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ARM體系結構的發(fā)展之:ARMv6增加的系統支持

作者: 時(shí)間:2013-09-30 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

16.2v6增加的系統支持

為了滿(mǎn)足目前無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、汽車(chē)電子和消費類(lèi)電子產(chǎn)品不斷增長(cháng)的市場(chǎng)需要,公司在v6中引入新的技術(shù)和結構組成,包括增強的DSP支持和對多處理器環(huán)境的支持。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/257007.htm

16.2.1存儲管理

由于在體系結構中引入新的存儲管理機制,處理器的整體性能得到提高。在新的體系結構中,平均指令預取和數據等待時(shí)間大幅度減少,存取過(guò)程中Cache命中率顯著(zhù)提高。由于存儲機制的改善,系統整體性能的提高達到30%。

另外,存儲系統的改善使系統總線(xiàn)(BUS)使用更加合理,從而減少了系統總線(xiàn)使用頻度,降低了系統功耗。

圖16.2顯示了ARMv6體系結構存儲系統示意圖。

圖16.2ARMv6存儲系統示意圖

1.ARMv6

ARMv6采用“分層”的存儲管理,存儲層次的最頂層在處理器內核中。該存儲器被稱(chēng)為寄存器文件(registerfile)。這些寄存器被集成在處理器內核中,在系統中提供最快的存儲訪(fǎng)問(wèn)。

ARMv6體系結構處理器使用物理索引Cache(Physicallytaggedcaches),即地址轉換在CPU和Cache之間,這樣就減少了CPU在運行大的操作系統時(shí)由于上下文切換而帶來(lái)的系統開(kāi)銷(xiāo)。使用這種物理Cache,可以使CPU的整體性能提高近20%。

為了減少在內容轉換時(shí),刷新Cache的CPU開(kāi)銷(xiāo),ARMv6將構建為使用物理尋址的存儲系統。系統中設有TCM作為物理可尋址的快速訪(fǎng)問(wèn)內存,存在于存儲系統中,作為Cache的補充。無(wú)論Cache還是TCM,都可以配置為指令和數據分離的Harvard架構或指令和數據統一的馮·諾依曼架構。另外,L1DMA子系統可以使數據在沒(méi)有CPU參與的情況下,直接和TCM進(jìn)行數據傳輸。

2.頁(yè)表格式

在A(yíng)RMv6體系結構中,頁(yè)表格式也發(fā)生了變化。圖16.3顯示了新的一級頁(yè)表格式。

圖16.3ARMv6頁(yè)表格式

協(xié)處理器CP15中的XP-bit可以指定是否使用這種新的頁(yè)表格式。如果不設置該位,則系統繼續使用ARMv5架構的頁(yè)表格式。

從圖16.3可以看出,新的頁(yè)表格式增加了以下特性:

·XN:從不執行位(executeneverbit)。

·nG:非全局地址映射位(notGlobalbitforaddressmatching)。

應用程序空間指示ASID(ApplicationSpaceIdentifier)是ARMv6體系中增加的又一關(guān)鍵特性。當nG位置位時(shí),地址轉換使用虛擬地址和ASID相結合的方法以減少上下文切換的時(shí)間。同時(shí),應用程序空間指示提供了一種任務(wù)可知調試方法(task-awaredebugging)。

有關(guān)ARMv6存儲系統的詳細內容請參閱ARM相關(guān)文檔。

3.增加的頁(yè)表基地址寄存器

為了提高地址轉換的處理速度,ARMv6體系結構中增加了一個(gè)新的頁(yè)表基地址寄存器,以存儲二級頁(yè)表的基地址。CP15同時(shí)支持TTBR0和TTBR1。專(zhuān)門(mén)的控制寄存器用來(lái)保存用戶(hù)設定的整數N,N的取值范圍為0~7。當N的值不等于0時(shí),0~232-N的地址空間使用TTBR0,而其他空間使用TTBR1進(jìn)行傳輸控制。一級頁(yè)表根據N取值的不同,占有128bytes~16KB存儲空間。

16.2.2多處理單元支持

由于片上系統Soc結構的復雜化,ARM內核現在經(jīng)常被用于有多個(gè)處理單元的設備,這些處理單元競爭使用系統的共享資源。為了滿(mǎn)足多處理單元任務(wù)間同步的需要,Load/Store互斥指令引入到新的ARMv6體系結構中來(lái)。新指令包括:

·LDREX:加載互斥指令。

·STREX:存儲互斥指令。

LDREX指令從存儲器中裝載一個(gè)值到寄存器,在處理這個(gè)數據時(shí),不會(huì )有任何其他因素改變該值。STREX指令存儲一個(gè)值到寄存器,并返回一個(gè)指示值。

16.2.3異常處理和中斷

ARMv6體系結構提供了對向量中斷(vectoredInterrupt)的支持。向量中斷控制器(VIC,VectoredInterruptController)由CP15的寄存器1中的VE–bit來(lái)控制。當向量中斷控制器使能時(shí),該控制器可以向CPU提供發(fā)生中斷的向量。

另外,在A(yíng)RMv6的體系結構中,程序狀態(tài)寄存器CPSR擴展了A位來(lái)控制Abort異常。這種機制類(lèi)似于程序狀態(tài)寄存器CPSR中I和Fbit對IRQ和FIQ的控制。

操作系統通常在堆棧中保存一次中斷或異常處理的返回狀態(tài)。ARMv6增加了新的指令來(lái)提高這類(lèi)操作的效率。這種操作在中斷/調度程序驅動(dòng)系統中,出現的頻率是很高的。這些新增加的指令包括:

·SRS:保存返回狀態(tài)在特定模式的堆棧中。

·RFE:異常返回。

·CPSID/CPSIE:改變處理器狀態(tài),開(kāi)中斷或關(guān)中斷。

16.2.4混和大小端支持

AMRv6體系結構中增加了同時(shí)處理大端和小端數據的能力。新增加了指令SETEND來(lái)設置一段代碼處理數據的字節排列方式,另外還增加了一些單獨的處理指令來(lái)提高在混和大小端環(huán)境下的處理效率。

指令SETEND的標準格式如下:

SETENDendian_specifier>

該指令根據參數endian_specifier>的值來(lái)改變默認的數據端格式。

SETEND指令的設置直接和程序狀態(tài)寄存器CPSR中新增加的E位相對應。E位對數據大小端的控制如圖16.4所示。

16.2.5對媒體處理的支持

為了進(jìn)一步提高體系結構的DSP和媒體處理能力,單指令流多數據流(SIMD)技術(shù)被引入到ARMv6體系結構中。這種技術(shù)對于處理大量復雜運算和并行地存儲大流量數據十分有效。

圖16.4E位對數據大小端的控制

ARMv6對SIMD的實(shí)現簡(jiǎn)單而又不失其靈活性。它將現存的32位ARM數據通道劃分成4個(gè)8位或2個(gè)16位的片段,為SIMD操作增加了獨立的數據總線(xiàn)。這種實(shí)現方法硬件代價(jià)小,遵循了ARM低功耗、高計算效率的設計原則。

為了支持SIMD算法,ARMv6中引入一些新的指令,有關(guān)這些指令的詳細信息請參閱ARM的相關(guān)文檔。



關(guān)鍵詞: ARM體系結構 ARMv6 ARM L1Cache

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