無(wú)線(xiàn)設備高集成度設計

　　Analog Devices（ADI）射頻事業(yè)部高級營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Dale Wilson指出，“尺寸作為設計的一個(gè)重要的考量標準，在手持和便攜式應用中是尤為突出；而在較大的系統中，對尺寸大小也有要求，客戶(hù)希望在一定體積內，實(shí)現更多更強的功能。在多數情況下，客戶(hù)希望單個(gè)設備在擁有多功能的同時(shí)，成本能有所下降。此外，他們還希望能夠減少組裝和測試成本、簡(jiǎn)化實(shí)際設計工作。如果調諧、濾波、偏置等功能都能在芯片上實(shí)現，則可以大量減少用戶(hù)端的工作量，同樣也可以加快客戶(hù)產(chǎn)品的面市時(shí)間。分立射頻元件的性能通常比高集成度器件要好。但在許多應用中，只要目標價(jià)格得以實(shí)現，那么性能‘足夠好’就可以接受。因模擬和高性能射頻器件更多地采用CMOS工藝，也就有更多機會(huì )集成數字控制功能?！?/P>

　　為應對這種高集成度的要求，ADI公司傳統上采用先進(jìn)的雙極型工藝實(shí)現其眾多高性能射頻產(chǎn)品。然后，客戶(hù)會(huì )在其系統內采用數字控制功能。Wilson指出，ADI現正采用最新的BiCMOS工藝，它具有優(yōu)越的模擬性能以及在芯片中集成數字控制功能的能力。CMOS工藝也被用來(lái)實(shí)現高度集成的射頻器件，并且采用數字化處理來(lái)克服射頻性能局限。

　　去年秋天，ADI首次推出了支持高密度射頻卡的射頻混頻器和調制器，而且它能提升長(cháng)期演進(jìn)（LTE）和第四代（4G）基站（圖1）的容量和速度。ADRF670x 系列混頻器和ADRF660x系列調制器可在單一器件內整合多個(gè)獨立功能模塊。在4款ADRF660x系列的產(chǎn)品封裝內集成了一個(gè)有源射頻混頻器、單端 50歐輸入的射頻輸入平衡-非平衡轉換器（balun）、以及一個(gè)集成有壓控振蕩器（VCO）的鎖相環(huán)（PLL）頻率合成器。該有源混頻器提供6dB的電壓轉換增益。差分IF輸出工作于500MHz。ADRF6601接收混頻器工作在300到2500MHz，內部LO范圍是750到1160MHz。在 12dBm輸入功率時(shí)，它達到1dB的壓縮并可實(shí)現30dBm的輸入三階截點(diǎn)。該混頻器的單邊帶（SSB）噪聲是12dB。

　　圖1：射頻調制器和下變頻器包含一個(gè)集成PLL，它是一個(gè)多模N倍頻合成器，支持LTE 100KHz通道光柵。

　　每款ADRF670x調制器的都在射頻IC內集成了模擬同相/正交（I/Q）調制器、RF輸出開(kāi)關(guān)、帶壓控振蕩器的鎖相環(huán)。該調制器輸入帶寬為500MHz。ADRF6701 I/Q調制器的PLL/合成器使用一個(gè)N分頻（fractional- N）PLL，它將LO信號倍頻后饋送至I/Q調制器。PLL的參考輸入接受從12MHz到160MHz的信號。調制器的輸出頻率是400至 1300MHz。其內部L0頻率范圍是750到1160MHz。該器件在1dB壓縮點(diǎn)和29dBm輸出三階截點(diǎn)條件下，可提供14dBm的輸出功率，并提供158dBm/Hz的噪聲本底。

　　對PA的集成要求

　　隨著(zhù)3G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )的完善并逐漸向4G系統過(guò)渡，分布式架構和有源天線(xiàn)系統的應用推動(dòng)著(zhù)對更小、更高效收發(fā)器和PA的需求。例如，美信集成產(chǎn)品（Maxim）公司的MAX9947就承諾可簡(jiǎn)化滿(mǎn)足天線(xiàn)接口標準組織（AISG）的基站和塔安裝設備（圖2）的實(shí)施。這款尺寸為3x3mm，采用 TQFN形式封裝的單芯片收發(fā)器包含了發(fā)射器、接收器和有源濾波器。

　　圖2：收發(fā)器集成了帶Autodirection功能的輸出，可用來(lái)處理塔安裝設備的總線(xiàn)仲裁而無(wú)需MCU。

　　其中，發(fā)射器包括一個(gè)OOK調制器、一個(gè)符合AISG頻譜輻射規范的帶通濾波器和一個(gè)輸出放大器。接收器包括一個(gè)中心頻率在2.176MHz、帶寬為200kHz的帶通濾波器。它還包括一個(gè)用于重構數字信號的比較器和OOK解調器。在50Ω輸入阻抗條件下，MAX9947具有-15到 +5dBm的輸入動(dòng)態(tài)范圍。其可由電阻調控的輸出功率（7至12dBm）補償了外部電路和線(xiàn)路的損耗。該收發(fā)器支持所有的AISG數據速率：9.6、38.4和115.2kb/s。

　在PA方面，設計師面臨很高的峰-均值比以及嚴苛的頻譜生長(cháng)規范的約束。Scintera Networks公司希望能以其SC1887自適應射頻功率放大器線(xiàn)性器（RFPAL）系統級芯片（SoC）來(lái)滿(mǎn)足這種要求，SC1887在射頻域可執行復雜的信號處理。SC1887由標準CMOS工藝制造，采用了該公司的千兆赫茲信號處理技術(shù)（GSP）。這種可編程模擬信號處理器（ASP）平臺，力圖降低模擬方案的功耗及實(shí)現更小尺寸，而這原本是數字信號處理（DSP）的優(yōu)勢。SC1887射頻輸入和射頻輸出方案支持獨立于基帶和收發(fā)器子系統的模塊化PA設計。SC1887的功耗小于600mW，非常適合低功率發(fā)射器。這款SoC覆蓋 698到1000或1800到2800MHz頻段。它支持的輸入信號帶寬可達60MHz、峰均值比為10dB。該芯片可實(shí)現將相鄰信道泄漏功率比（ACLR）改善至26dB。

　　對更高效率的追求，也是Nujira和RF Micro Devices（RFMD）這兩家公司開(kāi)發(fā)PA的動(dòng)力。這兩家公司稱(chēng)，無(wú)線(xiàn)基礎設施供應商能夠利用它們的PA開(kāi)發(fā)出可滿(mǎn)足世界各種傳輸標準的單一的多模、寬帶射頻前端。其PA設計主要針對4G基站，它集成了RFMD的RFG1M09180 180W氮化鎵（GaN）寬帶功率晶體管與Nujira的Coolteq.h 包絡(luò )跟蹤功率調制器。僅使用一個(gè)RFG1M器件和一個(gè)Coolteq.h模塊，這款RFMD Nujira的RF前端就可工作（發(fā)射）在728到960MHz頻段。它具有45dBm的平均輸出功率，效率在50%以上。采用RFMD 目前開(kāi)發(fā)的GaN器件，這兩家公司期望只使用三個(gè)寬帶PA就能覆蓋700至2600MHz的蜂窩頻率。

　　通過(guò)采用碳納米管作為PA晶體管的散熱材料，Fujitsu Laboratories（富士通實(shí)驗室）公司已成功研制出工作在高頻、100W級、倒裝芯片封裝的放大器，它也是針對4G系統移動(dòng)基站設計的。為獲得高頻、大功率輸出和放大性能，該公司開(kāi)發(fā)出“雙面散熱”技術(shù)，晶體管芯片的兩面都可散熱。該公司介紹，這項技術(shù)還可以使晶體管芯片的尺寸縮小至現有晶體管芯片大小的2/3以?xún)取?/P>

　　使用倒裝芯片結構，碳納米管焊球（bump）經(jīng)過(guò)放大器頂部電極和基板之間。此外，在放大器的背面加裝一個(gè)散熱器，這樣，從放大器的兩面都可將熱量帶走。為在高頻獲得高放大倍率，互連至少需10μm長(cháng)。富士通利用鋁-鐵（Al-Fe）膜將碳納米管延長(cháng)至20μm，它與板垂直。與傳統方法比，這項新技術(shù)有望將散熱效率提高1.5倍。

　　這項工作凸顯了許多移動(dòng)通信設計工程師對有效熱管理的關(guān)注。東芝（美國）電子元件公司主管微波、射頻和小信號器件的開(kāi)發(fā)經(jīng)理Homayoun Ghani表示，更高效的設計僅需一個(gè)更小的散熱器，這使得在移動(dòng)系統應用中可采用更小更輕的器件。他指出，“接下來(lái)面臨的挑戰主要來(lái)自這些小器件產(chǎn)生的熱量，以及如何正確地設計一個(gè)有能力處理這些熱量的系統?！盙hani指出，一些系統集成商采用液冷技術(shù)。

　　在蜂窩手機集成化設計過(guò)程中，會(huì )遇到他們自身的障礙。TriQuint公司負責移動(dòng)器件的市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級主管Shane Smith表示，“對于模擬集成，半導體公司正在開(kāi)發(fā)支持多模、多頻段工作的PA。目前，帶EDGE和GMSK調制的五頻段WCDMA需要客戶(hù)購買(mǎi)6個(gè)PA。 2010-2011年，客戶(hù)將只需購買(mǎi)一個(gè)PA模塊就可實(shí)現相同功能?！?/P>

　　以3G/4G融合手機架構為目標，TriQuint Semiconductor 提供TriQuint一體化移動(dòng)前端架構（TRIUMF，圖3）。該模塊提供了由GSM、EDGE、WCDMA和HSPA組成的射頻功能。與標準多頻段模塊方案比，以這種方式，有望將體積減小50%。通過(guò)將4個(gè)獨立PA模塊整合在一起，TRIUMF降低了手機組裝成本。由于整合了天線(xiàn)開(kāi)關(guān)、模式/頻段（開(kāi)關(guān)）、開(kāi)關(guān)和雙工器的集成PA模塊會(huì )減小前端電路板面積，因而可使射頻系統小型化。

　　圖3：通過(guò)使用集成模塊替代多個(gè)分立模塊，手機制造商可以節省大量空間用于功能設計，如Wi-Fi、GPS、藍牙、照相機以及收音機等。

　　雖然CMOS在具成本效益的整合方面有許多顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)，但在手機應用中，CMOS功率放大器一直無(wú)法匹敵或超過(guò)砷化鎵（GaAs）PA的性能。 Javelin Semiconductor的營(yíng)銷(xiāo)副總裁Patrick Morgan解釋說(shuō)，“Axiom Microdevices開(kāi)發(fā)出基于分布式有源變換器（DAT）的2G PA架構，DAT是一種模擬技術(shù)。ACCO Semiconductor開(kāi)發(fā)出一種用于PA的稱(chēng)為MASMOS的新晶體管技術(shù)?？傊?，各公司試圖解決CMOS PA的挑戰的方法主要有以下三種：數字信號處理；新型的模擬架構衍生；對標準CMOS工藝流程進(jìn)行重大變革?！?/P>

　　針對W-CDMA和HSPA無(wú)線(xiàn)通信推出的JAV5001 PA，是采用標準CMOS工藝實(shí)現的。JAV5001整合了基帶和收發(fā)器。在3×3mm封裝內，它集成了功率調節、PA偏置、輸入和輸出匹配以及功率控制電路。JAV5001采用單電源供電。在W-CDMA調制時(shí)，其線(xiàn)性輸出功率可達28.0dBm。其增益范圍從5dB（低功率模式）到27dB（高功率模式）。達到2.5kV的人體模式（HBM）防靜電（ESD）等級。其相鄰信道泄漏功率比（ACLR）的典型值是-40dBc（最大值是-38dBc），偏置是±5MHz。在大功率模式，JAV5001的功率附加效率（PAE）是40%；在中功率模式，JAV5001的PAE是28%。在 2400到2484MHz，其最大噪聲是 -150dBm/Hz；在RX頻段，噪聲是-147dBm/Hz；偏置是190MHz。

　　隨著(zhù)數字電路能處理或支持的高頻功能越來(lái)越多，最大的障礙可能在于保持模擬性能。正如TowerJazz的市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)拓展總監Ramesh Ramchandani指出的：“力促將數字和模擬功能真正集成于一個(gè)芯片內的IC設計人員發(fā)現，與單獨模擬芯片比，要想從數字/模擬集成芯片中獲得預期性能是越來(lái)越難了。許多工程師在發(fā)揮創(chuàng )造力以尋找能彌補模擬性能不理想的電路方案。但是，其中的一個(gè)缺點(diǎn)是這里面必須包含一個(gè)額外的電路，而且為得到同等性能，可能需要額外增加電容、電阻、電感等無(wú)源元件?！边@一歷時(shí)數十年的困境仍“毫不妥協(xié)”：集成非常有必要，但不能以犧牲絲毫性能為代價(jià)。