MIT設計出特別的二維電子系統 相對?，F系統可多儲40%的電荷

　　通過(guò)電子相關(guān)效應的實(shí)驗，研究人員提高了一個(gè)特別的二維電子系統的能力，使其可儲存多出40%的電荷。 據研究人員披露，這一改良對增加場(chǎng)效應晶體管的速度、限制其功率的消耗并同時(shí)限制其熱量的產(chǎn)生有幫助。

　　在正常情況下，一個(gè)平界面的保有電子負荷的能力受到其幾何性質(zhì)的限制，盡管有效地降低庫倫排斥的電子-電子間的相互作用迄今只能增加這一能力的數量級的幾 個(gè)百分點(diǎn)。 Lu Li及其同事如今證明，這種電子相關(guān)效應可降低化學(xué)勢能，并能相當顯著(zhù)地在兩個(gè)金屬氧化物的界面提高電荷保持能力。 負壓縮效應可導致電容增長(cháng)40%；在一個(gè)二維電子系統中的電子間能量的交換和關(guān)聯(lián)可在電子密度增加的時(shí)候通過(guò)這一增長(cháng)而降低該系統中的化學(xué)勢能。