采用高性能SRAM提高DSP密集型應用的性能
下表對比QDR-IV SRAM與DDR3 SDRAM存儲器技術(shù)的主要性能參數。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/247534.htm
表1說(shuō)明了在相同頻率運行時(shí),QDR-IV可以提供超過(guò)DDR3 SDRAM兩倍的帶寬。此外,QDR-IV SRAM的雙獨立端口在獲取輸入信號的同時(shí)生成輸出信號,易于滿(mǎn)足DSP的實(shí)時(shí)處理功能對數據的需求。因此可以減輕向存儲器傳輸數據以及從其提取數據時(shí)的瓶頸問(wèn)題。

SAR雷達透視
負責以高分辨率觀(guān)察地表的SAR雷達需要進(jìn)行轉置存儲器存取,其中對距離方向和方位方向進(jìn)行轉置,以便進(jìn)行重建處理。距離與方位壓縮處理之間的高效FFT與IFFT(DSP)運行可以實(shí)現此目的。QDR SRAM的架構優(yōu)勢能夠通過(guò)實(shí)現快速、一致的存儲器存取時(shí)間而提高SAR雷達的性能。圖5說(shuō)明了SAR圖像重建相關(guān)的轉置問(wèn)題:

采用傳統SDRAM存儲器時(shí),寫(xiě)入SAR圖像數據(如圖所示)會(huì )造成不連續的地址空間,從而導致處理器性能降低(此情況下估計大約降低5倍)。由于QDR-IV的獨立讀取與寫(xiě)入端口支持并行運算和隨機存儲器存取,因此可以降低對處理能力的影響。
QDR SRAM為基于DSP的應用中片外數據存儲提供了對傳統SDRAM的高性能替代方案。通過(guò)級聯(lián)多個(gè)器件能夠消除QDR SRAM的密度限制。由于能夠實(shí)現速度更快的存儲器存取而提高DSP性能,這種方法成為需要更高隨機存取吞吐量的應用的理想選擇。
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