解決智能手機EMI干擾問(wèn)題
在靜電放電防護方面,該系列產(chǎn)品中的瞬態(tài)電壓抑制器具有極低的鉗位電壓(Vclamp)。當靜電放電事件發(fā)生時(shí),瞬態(tài)電壓抑制器的鉗位電壓越低,則越能適時(shí)導通可觀(guān)的靜電放電電流,以避免受保護電路遭到靜電放電侵害而造成永久受損失效。圖2所示即為利用傳輸線(xiàn)脈沖產(chǎn)生系統(TLP系統)測量到的鉗位電壓比較圖表。在圖表中可以清楚看到,晶焱科技所開(kāi)發(fā)的電磁干擾濾波器在17A的大靜電放電電流下,其鉗位電壓遠低于相似產(chǎn)品,因此可以非常有效地為受保護電路提供一個(gè)快速有效的靜電放電旁路。
抗靜電防護效果高達15kV以上(IEC 61000-4-2 ±15kV接觸放電模式)。根據IEC 61000-4-2標準制定的規格,第四級防護至少需要提供8kV接觸放電模式和15kV空氣放電模式的靜電放電防護能力。該系列產(chǎn)品提供了15kV以上接觸放電模式的靜電放電防護能力,明顯超出了IEC 61000-4-2標準中第四級所規定的需求數值。
由于智能手機需要依靠電池來(lái)提供所需電能,所以在器件正常使用時(shí)漏電流越大,則電池供電的時(shí)間就將越短。圖3所示為晶焱科技推出的電磁干擾濾波器新產(chǎn)品和相似產(chǎn)品的漏電流比較圖。由圖中兩條曲線(xiàn)的比較可知,晶焱科技的電磁干擾濾波器新產(chǎn)品,其漏電流比相似產(chǎn)品更小,因此可以增加智能手機電池的可持續使用時(shí)長(cháng)。
在封裝方面,晶焱科技的電磁干擾濾波器產(chǎn)品在雙排扁平無(wú)引腳(DFN)封裝形式方面采用了0.4mm或0.5mm的引腳間距,在CSP形式方面則采用了0.4mm的引腳間距。因此,在進(jìn)行系統設計時(shí),可以有效縮減電磁干擾濾波器所需占用的電路板面積,而方便其它電路元器件的放置和設計。
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