TE新SESD器件可應對復雜ESD和浪涌保護挑戰

　　設計工程師充分了解在應付由charged board event (CBE) 所造成的較嚴重損壞時(shí)，提供符合IEC 61000-4-2標準的靜電放電 (ESD)保護功能可能并不足夠。這些極強的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時(shí)間特性，可能損壞智能手機、平板電腦、汽車(chē)信息娛樂(lè )設備和其它敏感的電子產(chǎn)品的I/O端口。認識到這一事實(shí)，TE Connectivity旗下的電路保護業(yè)務(wù)部門(mén)推出了全新的硅ESD (SESD)系列器件， 這些器件的空氣放電額定值為±20kV 和±22kV，遠遠高于IEC 8kV 接觸放電和15kV空氣放電標準要求，可以幫助設計人員解決由CBE事件引起的普遍電路保護難題。

　　TE電路保護部產(chǎn)品經(jīng)理Nicole Palma表示：“在與設計工程師一起工作時(shí)，我們發(fā)現IEC的ESD保護標準沒(méi)有真正解決可能導致產(chǎn)品故障的CBE問(wèn)題。針對這一挑戰，我們提升了現有的小型低電容SESD器件產(chǎn)品線(xiàn)，提供20kV及更高的浪涌保護能力。這種更強大的保護能力可以幫助制造商提高產(chǎn)品可靠性，最大限度地減少現場(chǎng)返修(field return)，而這正是競爭異常激烈的計算機、移動(dòng)、消費和汽車(chē)市場(chǎng)的關(guān)鍵設計考慮。”

　　此新一代SESD產(chǎn)品同時(shí)具有單向和雙向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能，這些器件的浪涌保護能力(4通道陣列為2.2A，1和2通道器件為2.5A)有助于提供更穩健的性能。

　　SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向)，能幫助滿(mǎn)足HDMI、eSATA和其它高速信號要求。它們的低鉗位電壓 (<15V) 有助于達到快速啟動(dòng)時(shí)間和最大限度地減少能量通泄 (energy let-through)。此外，SESD器件具有極低的泄漏電流(50nA)，幫助在必須節約能源的應用中降低功耗。

　　型號：

　　單通道：

　　· SESD0201X1UN-0030-088 – 單向; 0201尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp;8.8V (典型) VBR

　　· SESD0201X1BN-0015-096 – 雙向; 0201尺寸;0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR

　　· SESD0402X1UN-0030-088 – 單向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR

　　· SESD0402X1BN-0015-096 –雙向; 0402尺寸;0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR

　　多通道：

　　· SESD0402Q2UG-0030-088 – 單向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR

　　· SESD1004Q4UG-0030-088 – 單向; 1004尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR