恩智浦推出業(yè)界首款采用LFPAK56(Power SO-8)封裝的雙極性晶體管

　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mmx6mmx1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD電源塑封的雙極性晶體管。新組合由6個(gè)60V和100V低飽和晶體管構成，集極電流最高為3A(IC)，峰值集極電流(ICM)最高為8A。新型晶體管的功耗為3W(Ptot)，VCEsat值也很低——其散熱和電氣性能不亞于采用大得多的電源封裝(如DPAK)的雙極性晶體管，其占用面積也減少了一半。

　　恩智浦LFPAK封裝采用實(shí)心銅夾片和集極散熱片設計，這是實(shí)現如此之高功率密度的基礎，因為這種設計大幅降低了封裝的電阻和熱阻。LFPAK同時(shí)還消除了眾多競爭DPAK產(chǎn)品中使用的焊線(xiàn)，使恩智浦得以大幅提高機械堅固度和可靠性。

　　新款LFPAK56雙極性晶體管經(jīng)過(guò)AEC-Q101認證，適用于多種汽車(chē)應用，最高支持175°C的環(huán)境溫度。這些新型低VCEsat晶體管還可用于背光、電機驅動(dòng)和通用電源管理等應用。今年，新的雙極性晶體管組合將不斷推出新品，包括采用LFPAK56D封裝的雙晶體管以及采用LFPAK56封裝的6A、10A和15A高電流型號。

　　恩智浦半導體晶體管部產(chǎn)品經(jīng)理Joachim Stange表示：“我們相信，恩智浦LFPAK封裝將成為雙極性晶體管領(lǐng)域緊湊式電源封裝的標準——就如恩智浦LFPAK如今成為MOSFET行業(yè)標桿一樣。汽車(chē)市場(chǎng)尤其需要采用這種封裝的雙極性晶體管，這為開(kāi)發(fā)出小尺寸、高功率密度和高效率的模塊奠定了基礎?！?/p>

　　上市時(shí)間

　　采用LFPAK56封裝的新型雙極性低VCEsat晶體管即將量產(chǎn)上市，產(chǎn)品型號包括：PHPT60603NY/PHPT60603PY、PHPT61003NY/PHPT61003PY和PHPT61002NYC/PHPT61002PYC。

　　采用LFPAK56D封裝的雙晶體管以及6A、10A和15A的高電流型號將從2014年第二季度開(kāi)始發(fā)布。