真相：準諧振反激的設計內幕

準諧振 QR

Q(Quasi)

R( resonant)

主要是降低MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗，而mos的開(kāi)關(guān)損耗主要是來(lái)源于自身的輸出電容。

從上圖中，大家可以討論一下，一般的開(kāi)關(guān)損耗來(lái)自于那幾個(gè)部分的寄生電容產(chǎn)生的。在傳統的非連續模式反激DCM)的停滯時(shí)間內，寄生電容將會(huì )跟VDC周?chē)闹饕姼挟a(chǎn)生振蕩。寄生電容上的電壓會(huì )隨振蕩而變化，但始終具有相當大的數值。當下一個(gè)周期MOSFET導通時(shí)間開(kāi)始時(shí)，寄生電容會(huì )通過(guò)MOSFET放電，產(chǎn)生很大的電流尖峰。由于這個(gè)電流出現時(shí)MOSFET存在一個(gè)很大的電壓,該電流尖峰因此會(huì )做成開(kāi)關(guān)損耗。

從上面的圖可以看到，準諧振跟一般的傳統反激原理基本一樣。

Lleak是初級漏感，Rp是初級電阻，Cp是諧振電容；

當副邊繞組中的能量釋放完畢之后(即變壓器磁通完全復位)，在開(kāi)關(guān)管的漏極出現正弦波振蕩電壓，振蕩頻率由LP、CP決定，衰減因子由RP決定。

對于傳統的反激式變換器，其工作頻率是固定的，因此開(kāi)關(guān)管再次導通有可能出現在振蕩電壓的任何位置(包括峰頂和谷底。