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最通俗理解開(kāi)關(guān)電源電磁干擾分析

作者: 時(shí)間:2011-10-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  先簡(jiǎn)單介紹一下下EMI:EMI翻譯成中文就是。其實(shí)所有的電器設備,都會(huì )有。只不過(guò)嚴重程度各有不同。會(huì )影響各種電器設備的正常工作,會(huì )干擾通信數據的正常傳遞,雖然對人體的傷害尚無(wú)定論,但是普遍認為對人體不利。所以很多國家和地區對電器的電磁干擾程度有嚴格的規定。當然電源也不例外的,所以我們有理由好好了解EMI以及其抑制方法。

  下面結合一些專(zhuān)家的文獻來(lái)描述EMI。

  首先EMI 有三個(gè)基本面

最通俗理解開(kāi)關(guān)電源電磁干擾分析

  噪音源:發(fā)射干擾的源頭, 如同傳染病的傳染源;

  耦合途徑:傳播干擾的載體,如同傳染病傳播的載體,食物,水,空氣等等;

  接收器:被干擾的對象,被傳染的人。

  缺少一樣,電磁干擾就不成立了。所以,降低電磁干擾的危害,也有三種辦法:

  1、從源頭抑制干擾。

  2、切斷傳播途徑

  3、增強抵抗力,這個(gè)就是所謂的EMC(電磁兼容)

  解釋以下名詞:

  :也就是噪音通過(guò)導線(xiàn)傳遞的方式。

  輻射干擾:也就是噪音通過(guò)空間輻射的方式傳遞。

  差模干擾:由于電路中的自身電勢差,電流所產(chǎn)成的干擾,比如火線(xiàn)和零線(xiàn),正極和負極。

  共模干擾:由于電路和大地之間的電勢差,電流所產(chǎn)生的干擾。

  通常我們去實(shí)驗室測試的項目:

  傳導發(fā)射:測試你的電源通過(guò)傳導發(fā)射出去的干擾是否合格。

  輻射發(fā)射:測試你的電源通過(guò)輻射發(fā)射出去的干擾是否合格。

  傳導抗擾:在具有的環(huán)境中,你的電源能否正常工作。

  輻射抗擾:在具有輻射干擾的環(huán)境中,你的電源能否正常工作。

  首先來(lái)看,噪音的源頭:

  任何周期性的電壓和電流都能通過(guò)傅立葉分解的方法,分解為各種頻率的。

  所以在測試干擾的時(shí)候,需要測試各種頻率下的噪音強度。

  那么在中,這些噪音的來(lái)源是什么呢?

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  中,由于開(kāi)關(guān)器件在周期性的開(kāi)合,所以,電路中的電流和電壓也是周期性的在變化。那么那些變化的電流和電壓,就是噪音的真正源頭。那么有人可能會(huì )問(wèn),我的開(kāi)關(guān)頻率是100KHz的,但是為什么測試出來(lái)的噪音,從幾百K到幾百M都有呢?

  我們把同等有效值,同等頻率的各種波形做快速傅立葉分析:

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  藍色:

  綠色: 三角波

  紅色: 方波

  可以看到,只有基波分量,但是三角波和方波含有高次諧波,諧波最大的是方波。

  也就是說(shuō)如果電流或者電壓波形,是非正弦波的信號,都能分解出高次諧波。

  那么如果同樣的方波,但是上升下降時(shí)間不同,會(huì )怎樣呢。

  同樣是100KHz的方波

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  紅色:上升下降時(shí)間都為100ns

  綠色:上升下降時(shí)間都為500ns

  可以看到紅色的高次諧波明顯大于綠色。

  我們繼續分析下面兩種波形,

  A:有嚴重高頻震蕩的方波, 比如MOS,二極管上的電壓波形。

  B:用吸收電路,把方波的高頻振蕩吸收一下。

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  分別做快速傅立葉分析:

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  可以看到在振蕩頻率(大概30M)之后,A波形的諧波,要大于B波形。

  再來(lái)看,下面的波形,一個(gè)是具有導通尖峰的電流波形,一個(gè)沒(méi)有導通尖峰。

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  對兩個(gè)波形做傅立葉分析:

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  可以看到紅色波形的高次諧波,要大于綠色波形,繼續對兩個(gè)波形,作分析

  紅色: 固定頻率的信號,綠色:具有稍微頻率抖動(dòng)的信號

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  可以看到,頻率抖動(dòng),可以降低低頻段能量。進(jìn)一步,放大低頻段的頻譜能量:

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  可以看到,頻率抖動(dòng)就是把頻譜能量分散了,而固定頻率的頻譜能量,集中在基波的諧波頻率點(diǎn),所以峰值比較高,容易超標。

  最后稍微總結一下,如果從源頭來(lái)抑制EMI。

  1、對于開(kāi)關(guān)頻率的選擇,比如傳導測試150K-30M,那么在條件容許的情況下,可選擇130K之類(lèi)的開(kāi)關(guān)頻率,這樣基波頻率可以避開(kāi)測試;

  2、采用頻率抖動(dòng)的技術(shù)。頻率抖動(dòng)可以分散能量,對低頻段的EMI有好處;

  3、適當降低開(kāi)關(guān)速度,降低開(kāi)關(guān)速度,可以降低開(kāi)關(guān)時(shí)刻的di/dt,dv/dt。對高頻段的EMI有好處;

  4、采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù),比如PSFB,AHB之類(lèi)的ZVS可以降低開(kāi)關(guān)時(shí)刻的di/dt,dv/dt。對高頻段的EMI有好處。而LLC等諧振技術(shù),可以讓一些波形變成正弦波,進(jìn)一步降低EMI;

  5、對一些振蕩尖峰做吸收,這些管子上的振蕩,往往頻率很高,會(huì )發(fā)射很大的EMI;

  6、采用反向恢復好的二極管,二極管的反向恢復電流,不但會(huì )帶來(lái)高di/dt.還會(huì )和漏感等寄生電感共同造成高的dv/dt。

  但事實(shí)上,是EMI發(fā)射源無(wú)法根本解決。而且一些從源頭抑制EMI的方法同時(shí)會(huì )降低效率,所以從傳播途徑來(lái)抑制EMI顯得尤為重要。

  下面來(lái)看一下傳播途徑,這個(gè)是poon Pong 兩位教授總結的傳播途徑,比較的直觀(guān)全面。

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