Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅動(dòng)操作

　　模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅動(dòng)電壓應用設計的N 溝道增強模式 MOSFET。

　　這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開(kāi)關(guān)功能，可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅動(dòng)。其超低柵極驅動(dòng)意味著(zhù)可以直接通過(guò)邏輯門(mén)來(lái)驅動(dòng)。

　　三款新 MOSFET可確保1.8VGS 條件下的導通電阻 (RDS(ON) ) 分別低于75毫歐（mΩ;）、100毫歐（mΩ）和200毫歐（mΩ），使之在低壓應用中大顯身手，例如高端分段開(kāi)關(guān)的電平轉換、升壓型轉換器電路的外置開(kāi)關(guān)，以及低壓微控制器和電機、電磁鐵等負載的緩沖等。

　　快速開(kāi)關(guān)性能是Zetex專(zhuān)有UMOS技術(shù)的另一個(gè)主要功能。例如ZXMN2B01F在VGS = 4.5V和ID = 1A的情況下，上升和下降時(shí)間僅為3.6ns和10.5ns。