改進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能快速I(mǎi)GBT帶來(lái)新的挑戰
加上吸收電容,直流母線(xiàn)就像一個(gè)諧振頻率為fRes,ZK的諧振電路。因此,可能會(huì )產(chǎn)生臨界狀態(tài)。例如,如果開(kāi)關(guān)頻率是f0的偶次因數,就會(huì )出現臨界現象。在這種情況下,如果諧振電路的品質(zhì)因數足夠好,在下一個(gè)開(kāi)關(guān)操作中注入到吸收電容中的能量是同相的。這可能會(huì )在短短的幾個(gè)時(shí)鐘脈沖之后導致臨界的過(guò)電壓。由于測試模塊相對較差的質(zhì)量,可以預計當開(kāi)關(guān)頻率為30kHz或以上時(shí)該影響會(huì )顯現。
此外,各種直流母線(xiàn)電路和/或模塊之間的不正確連接也可能導致不希望的激勵,這種情況應該在每個(gè)案例中進(jìn)行檢查。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/230972.htm
8 總結
關(guān)斷過(guò)程中uce-和iC的測量分析,說(shuō)明了直流母線(xiàn)寄生電感和模塊電感之間的相互作用。這使得在給定的應用中非常容易分析出薄弱環(huán)節,并在模擬中發(fā)現最大的潛力。
可以看出,單純改變關(guān)斷速度只能降低模塊所產(chǎn)生的過(guò)電壓尖峰。直流母線(xiàn)電路中的過(guò)電壓主要是電流等級的函數,只能通過(guò)降低di/dt略微減小。
關(guān)斷過(guò)程的形式化描述,揭示了選擇合適的開(kāi)關(guān)速度、吸收電容和模塊設計時(shí)的可能性和限制。措施均衡結合是優(yōu)化成本、提高可靠性的一個(gè)好方法——直接在電腦上進(jìn)行,無(wú)需復雜的測試。
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