用軟啟動(dòng)禁止低成本輸出來(lái)遏制電流尖峰

為滿(mǎn)足嚴格的待機功耗規范要求，一些多路輸出電源被設計為在待機信號為活動(dòng)狀態(tài)時(shí)斷開(kāi)輸出連接。

通常情況下，通過(guò)關(guān)閉串聯(lián)旁路雙極晶體管(BJT)或MOSFET即可實(shí)現上述目的。對于低電流輸出，如果在設計電源變壓器時(shí)充分考慮到晶體管的額外壓降情況，則BJT可成為MOSFET的合適替代品，且成本更為低廉。

圖十所示為簡(jiǎn)單的BJT串聯(lián)旁路開(kāi)關(guān)，電壓為12 V，輸出電流強度為100 mA，并帶有一超大電容(CLOAD)。晶體管Q1為串聯(lián)旁路元件，由Q2根據待機信號的狀態(tài)來(lái)控制其開(kāi)關(guān)。電阻R1的值是額定的，這樣可確保Q1有足夠的基值電流在最小Beta和最大的輸出電流下以飽和的狀態(tài)工作。PI建議額外添加一個(gè)電容器(Cnew)，用以調節導通時(shí)的瞬態(tài)電流。如果不添加Cnew，Q1在導通后即迅速進(jìn)入電容性負載，并因而產(chǎn)生較大的電流尖峰。為調節該瞬態(tài)尖峰，需要增加Q1的容量，這便導致了成本的增加。

用作Q1額外“密勒電容”的Cnew可以消除電流尖峰。該額外電容可限制Q1集電極的dv/dt值。dv/dt值越小，流入Cload的充電電流就越少。為Cnew指定電容值，使得Q1的理想輸出dv/dt值與Cnew值相乘等于流入R1的電流。

圖10：簡(jiǎn)單的軟啟動(dòng)電路可以禁止待機時(shí)的電源輸出，同時(shí)消除導通時(shí)的電流尖峰，因此，可利用小型晶體管(Q1)來(lái)保持低成本。