鉭電容使用中的壓降問(wèn)題

　　在此我們以AVX 貼片鉭電容的TAJ 系列為例，進(jìn)行說(shuō)明如下：

　　1. 鉭電容的浪涌電壓

　　鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC 國家1KΩ）能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內可達到高達10 倍額度電壓并高達30 秒的時(shí)間。浪涌電壓只作為參考參數，不能用作電路設計的依據，在正常運行過(guò)程中，電容應定期充電和放電。

　　不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時(shí)，分類(lèi)電壓VC 等于額定電壓VR，浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍；在85 到125 度時(shí)，分類(lèi)電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類(lèi)電壓VC 的1.3 倍。

　　AVX 鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應力會(huì )穿過(guò)電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6 伏的鉭電容在額定電壓運行時(shí)，有一個(gè)167 千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì )超過(guò)規定的浪涌電壓評級。作為鉭電容負極板層使用的半導體二氧化錳有自愈能力。然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。AVX 公司推薦降級表總結額定電壓使用上常見(jiàn)的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，保護電阻建議為1Ω/ V.如果達不到此要求應使用鉭電容器降壓系數高達70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。 A 系列組合應被用來(lái)增加工作電壓的等效電容器：例如，兩個(gè)22μF25V 系列部分相當于一個(gè)11μF50V 的一部分。

　　2. 鉭電容的反向電壓

　　AVX 鉭電容的反向電壓是有嚴格的限制的，具體如下：

　　在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額定直流工作電壓在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額定直流工作電壓在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高電壓值為準。這些限制是假設鉭電容器偏振光在其大多數的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續施加反向電壓會(huì )導致兩極分化，將導致漏電流增大。

　　在在何種情況下連續反向應用電壓可能會(huì )出現兩個(gè)類(lèi)似的電容應采用與負端接背回配置連接在一起。在大多數情況下這種組合將有一個(gè)標稱(chēng)電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個(gè)周期內，電容可能的方法完整的標稱(chēng)值。反向電壓等級的設計蓋小級別游覽得天獨厚的條件弄錯極性。引用的值是不打算覆蓋連續的反向操作。

　　3. 鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱(chēng)紋波電壓

　　這是最大的r.m.s.交流電壓；疊加一個(gè)特區電壓，可應用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過(guò)該類(lèi)別電壓。

　　4. 鉭電容的成型電壓

　　這是在陽(yáng)極氧化形成的電壓。 “這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設置額定電壓的一個(gè)因素。