線(xiàn)性穩壓器：工作原理極其補償

傳統的最小化供電噪聲的技術(shù)，例如電壓定位和芯片退耦電容的集成越來(lái)越難滿(mǎn)足電源完善性的需求。通常GHz級處理器使用電壓定位技術(shù)減小供電噪聲，但是電壓調整模塊無(wú)論從物理角度還是電學(xué)角度都遠不能滿(mǎn)足它的供電帶寬的需要。由于在100納米以下的工藝中，柵極漏電流成指數上升，芯片退耦電容也不是一個(gè)降低動(dòng)態(tài)噪聲的好方案。儲存在這些集成電容里的能量也隨著(zhù)供電電壓而成平方級下降。另外，在生產(chǎn)制造中，類(lèi)似于封裝電容環(huán)形電感和輸電線(xiàn)的串聯(lián)電阻這樣的封裝過(guò)濾元件參數將成指數增長(cháng)。[1、Power Delivery section]。在本文中，我們將介紹主動(dòng)噪聲調整（ANR）和主動(dòng)VLSI封裝（AVP）。這些方法具有以下優(yōu)點(diǎn)：接近于負載元件；隨電壓而成平方級增長(cháng)的電容儲能以便于在需要的位置配置穩定的電荷池――近似于高電流密度和高速暫態(tài)負載。

確保技術(shù)效能的一個(gè)關(guān)鍵要求就是對高性能ULSI元件電源格的動(dòng)態(tài)噪聲行為的準確的理解。用來(lái)分析多重芯片電源格的完整堆棧、分布式負載、漏電流、退耦電容、封裝格、外部連接性和封裝元件的工具對這種理解顯得有些牽強。這種工具可以把整個(gè)系統的噪聲的空間和時(shí)間變化形象化，也給設計者提供了詳細的芯片動(dòng)態(tài)噪聲和臨界路徑活動(dòng)的互動(dòng)信息。另外，這些工具還提供了一個(gè)ANR和其它有源/無(wú)源封裝元件的噪聲最小化沖突的動(dòng)態(tài)信息。為了謹慎地設計布局和ANR開(kāi)啟時(shí)序、無(wú)源退耦罩和其它單芯或多芯系統元件，它們提供了設計方法。真正的動(dòng)態(tài)噪聲分析需要有對一個(gè)電源格（包括電源所有部分的電源環(huán)狀電感、芯片內外駐波諧振器和電阻能耗在內）的所有關(guān)鍵元素建模的能力。本文作者經(jīng)常使用用于高性能系統的動(dòng)態(tài)噪聲精密分析的PowerESL工具。

主動(dòng)噪聲調整主動(dòng)噪聲調整是一個(gè)無(wú)損技術(shù)，它可以給出高性能ULSI系統和元件（如微處理器、SoCs、SiPs和多核）的電源完善性信息。在保證性能的前提下，高性能高能耗器件在運行過(guò)程中頻繁轉換工作狀態(tài)以降低功耗。當有應用程序運行在處理器上的時(shí)候，高性能器件的工作狀態(tài)就會(huì )轉換，而這些轉換可能產(chǎn)生對電流需求的巨大變化，這樣就可能在排空高帶寬負載附近存儲的電荷的同時(shí)引起輸電網(wǎng)絡(luò )共振。主動(dòng)噪聲調整通過(guò)對負載元件電源格快速的可控的本地充電來(lái)察覺(jué)這個(gè)問(wèn)題。圖1顯示一個(gè)嵌入的ANR元件就好像一個(gè)FET轉換器件。ANR與一個(gè)作為電荷池的電容相連，這個(gè)電容的充電過(guò)程有兩個(gè)途徑：通過(guò)連有外部高壓電源的電源線(xiàn)或者由系統設計決定的電荷泵來(lái)填充。這樣就可以通過(guò)一個(gè)電荷池給ANR提供高于工作過(guò)程中的負載很多倍的電荷。

圖一：ANR元件嵌入圖（專(zhuān)利申請中）

在本文中，我們要討論并展示在一個(gè)高性能芯片電源格中ANR的影響。ANR（或者ANR陣列）通過(guò)圖6中很短的導線(xiàn)連接到負載元件。因此ANR就可以完全掌握負載供電的空間和時(shí)間變化。當ANR偵測到（或者被告知）在所連接的負載元件供電格點(diǎn)或格區中發(fā)生了變化（稱(chēng)為電壓消沉事件）時(shí)，它就會(huì )初始化從電荷池到負載電源格的補償電流。經(jīng)過(guò)一個(gè)短暫周期的強電流，ANR通過(guò)一個(gè)可控方式把它切斷，使電荷池重新充滿(mǎn)為其它的暫態(tài)事件做好準備。

圖2顯示了一個(gè)高速系統中的ANR的模擬應用結果，該系統中的負載1和負載2電流同圖1。動(dòng)畫(huà)顯示了系統輸電堆棧對供電狀態(tài)變換的響應。這個(gè)模擬通過(guò)模擬芯片格和輸電系統所有元件的一個(gè)分布式模型實(shí)現。不同的格間供電電壓引起了不同的向下的偏移，這些偏移被稱(chēng)作“消沉”。這些消沉降低了芯片區域的的供電能力并阻礙了芯片工作頻率該完成的功能。

圖2：在一個(gè)高速系統中使用ANR的分布式模型的模擬結果。曲面顯示了芯片表面所有點(diǎn)的供電變化Δ（Vdd－Vss）。這個(gè)模型包括了一個(gè)計算格導線(xiàn)電勢變化的電場(chǎng)解。這個(gè)工具還計算了電介質(zhì)中的電壓變化。在一個(gè)標準單核工作站（包含ANR功能）上運行一個(gè)6ns、15個(gè)時(shí)鐘周期的模擬需要大概10分鐘左右的時(shí)間。

曲面右側的負載工作于沒(méi)有ANR的狀態(tài)，而左側的負載顯示了包含ANR功能以后對于同樣的負載電流的格響應。我們可以看到：在A(yíng)NR開(kāi)啟以后，電壓消沉或減低性能的噪聲顯著(zhù)地減弱了。

圖3顯示了在芯片格接近兩個(gè)負載中心位置的供電電壓。

圖3：在芯片表面包含與未包含ANR的負載電流引起的供電噪聲。當節電狀態(tài)變化時(shí)，功能塊被打開(kāi)或關(guān)閉，這時(shí)，設備通過(guò)ANR的過(guò)濾器調整到更低頻率的系統級暫態(tài)。高頻噪聲也顯著(zhù)降低。

從這些結果來(lái)看，很顯然，ANR對控制低頻系統級暫態(tài)特別有效。當檢測到消沉的時(shí)候，ANR可以同樣有效地檢測到過(guò)充。低頻消沉和過(guò)充與供電電路電感與封裝和系統板電容有關(guān)，在高速系統里常常是影響性能的最重要的噪聲元件。ANR可以被用于降低各種頻率的噪聲幅。它們也可以修改頻譜以便把供電噪聲移動(dòng)到系統共振頻率以外。這個(gè)移動(dòng)的效果如圖4。圖4還顯示了沿著(zhù)兩條長(cháng)導線(xiàn)的噪聲傳播。a曲線(xiàn)被連到ANR電路附近的封裝格，b曲線(xiàn)位于沒(méi)有ANR的負載附近。ANR引起的頻率移動(dòng)和對應的波長(cháng)減小對系統的噪聲都有明顯的影響。

圖4：沿著(zhù)兩條導線(xiàn)的分布式Vdd和Vss供電變化。該模擬包含了一個(gè)連接到芯片場(chǎng)解的對稱(chēng)導線(xiàn)對的列表。ANR通過(guò)減弱臨近導體的共振來(lái)改變噪聲頻譜。

動(dòng)態(tài)噪聲取決于漏電流和電壓

電源噪聲的頻譜構成的考量對尋求系統中的速度和功耗的平衡點(diǎn)很重要。圖5中是一個(gè)簡(jiǎn)化了的系統功耗格模型。

圖5：簡(jiǎn)化的功耗格模型

在這個(gè)模型中，負載端壓降由下式給出：

一般來(lái)說(shuō)，負載電流（I）是供電噪聲的非線(xiàn)性函數，并且(3)只有數字解。然而，我們可以看到一些對負載電流使用近靜態(tài)近似的典型的功耗格性能的原委。例如，今天的先進(jìn)工藝相對于過(guò)去有著(zhù)更高的靜態(tài)漏電流。動(dòng)態(tài)壓降提供了一個(gè)可以降低總體噪聲級別的負反饋，漏電流也隨之迅速下降。對系統負載電流做一次近似（三極管漏電流隨供電電壓線(xiàn)性增長(cháng)）：

這樣一個(gè)大靜態(tài)漏電流使系統噪聲整