200V Q系列二極管提供低反向恢復電荷和軟開(kāi)關(guān)特性

PI的Qspeed系列采用獨特的硅基工藝，具有低反向恢復電荷(Qrr)和軟開(kāi)關(guān)電性。當PN硅二極管在導通和反向偏置器件關(guān)斷時(shí)，電流將快速降至零，然后在二極管從正向導通中恢復時(shí)開(kāi)始反向流經(jīng)二極管，負電流與時(shí)間的乘積就被定義為反向恢復電荷。較低的Qrr值可降低MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗，能使設計產(chǎn)品在較高的頻率下工作，從而可降低磁性元件的尺寸和成本。較低的Qrr值還可減小MOSFET的導通電流，幫助設計工程師選擇更小的低成本元件。PI產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Klaus Pietrczak表示：“與傳統肖特基二極管相比，PI的200V Q系列二極管的Qrr低80%，結電容也降低80%。與溝道肖特基相比，Qrr降低40%，開(kāi)關(guān)損耗更低。與競爭對手的同類(lèi)產(chǎn)品相比，在相同的工作狀態(tài)下，PI的200V Q系列二極管也具有更低的Qrr和更好的正向壓降?！?

二極管是低頻到高頻的噪聲發(fā)生源之一，為了最小化EMI，應該選用反向恢復特性更軟的二極管，二極管軟度越高，二極管EMI的情況越好。傳統二極管的軟度能達0.5已較為理想，PI的Qspeed二極管系列的軟度可接近1，使其EMI和峰值反向電壓(PRV)值更低。

Klaus Pietrczak表示：“PI的200V Q系列二極管可應用于如通信電源和音頻放大器等領(lǐng)域。通過(guò)降低所產(chǎn)生的EMI水平，可以為設計工程師節省設計空間和元件成本，同時(shí)又可以獲得更優(yōu)良的設計性能?！?

200V Qspeed二極管產(chǎn)品提供DPAK、D2PAK和TO-220封裝，規格從10A~40A不等，目前已可出貨。