工程師分享：適用于智能電池的微控制器存儲器技術(shù)

大多數智能電池都要用到微控制器(MCU)。MCU的體系結構不但會(huì )影響電池本身的性能,甚至會(huì )間接影響到電池供電的設備。因此,設計人員在選擇MCU時(shí) 不能掉以輕心,必須要考慮到多方面的因素,像價(jià)格、處理速度、代碼兼容性、可移植性,以及是否有實(shí)用的應用資料、在相關(guān)產(chǎn)品中的應用情況、開(kāi)發(fā)環(huán)境的多寡都是決策時(shí)的重要依據。

程序存儲器的類(lèi)型——如ROM,EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和Flash—— 也是要考慮的一個(gè)因素。對于某一類(lèi)應用,各種存儲器都有其優(yōu)點(diǎn)和不足。顯然,如果一個(gè)微控制器廠(chǎng)商的產(chǎn)品品種比較全,包含了各種類(lèi)型的存儲器,那么在選用 其器件時(shí)的余地就很大,可以最大程度地滿(mǎn)足具體項目的需要。

有些電池的充電算法和控制程序一旦確定就不會(huì )輕易改變,這種電池適合使用帶ROM(只讀存儲器)的MCU。ROM的內容是由器件廠(chǎng)商在生產(chǎn)過(guò)程中用掩膜的方式編程的,根據訂貨周期和制造成本的不同,掩膜的工藝會(huì )有一些差別。通常,源程序送交 器件廠(chǎng)商后4到6周即可拿到樣片,正式產(chǎn)品的訂貨周期為6到12周,而且有最小批量的要求(10~20千只)。ROM的制作工藝復雜度最低,硅片處理費用 也是最低的。由于掩膜后芯片內容不能更改,所以這種方式制成的芯片只能供特定的用戶(hù)、特定的產(chǎn)品使用。這種技術(shù)非常適合那些技術(shù)成熟、生產(chǎn)周期長(cháng)、更新?lián)Q代慢、不需要任何改進(jìn)的產(chǎn)品。

很多時(shí)候,電池供電產(chǎn)品本身需要不斷改進(jìn),而且要適應不同電池廠(chǎng)商的電池,為了提高設計的靈活性,比如經(jīng)常調整充電算法,就需要使用能夠自行編程的MCU微控制器,OTP(一次性可編程)技術(shù)和 Flash技術(shù)應運而生。

OTP類(lèi)型的MCU使用起來(lái)比較靈活,既可以由MCU廠(chǎng)商掩膜生產(chǎn),也可以在產(chǎn)品裝配時(shí)逐個(gè)編程,即使器件已經(jīng)裝配到電路板上,也可以對其編程。由于OTP MCU是標準產(chǎn)品,因此訂貨批量方面也比較靈活。OTP技術(shù)非常適合用于市場(chǎng)變化快、開(kāi)發(fā)周期短、更新?lián)Q代迅速、產(chǎn)品市場(chǎng)壽命短并且不需要大規模改動(dòng)的產(chǎn) 品。OTP MCU采用業(yè)界標準的在線(xiàn)編程(in-circuit programming,ICP)技術(shù),對程序的改動(dòng)可以存放在EPROM空閑的存儲單元中,這為可編程應用產(chǎn)品增加了適應性。

Flash類(lèi)型的MCU可以多次編程,使用時(shí)更加靈活,升級換代時(shí)也更加方便。一個(gè)系統產(chǎn)品運行一段足夠長(cháng)的時(shí)間后(通常不短于3年),維護就會(huì )成為很重要的問(wèn)題。在進(jìn)行局部改進(jìn)前應該全面考慮各種因素,比如要開(kāi)發(fā)改進(jìn)程序、設計更多的接口、防止編程失敗時(shí)系統崩潰以及更新過(guò)程中的容錯/糾錯等等。智能電池常常要調整內部MCU的充電算法和剩余容量測量算法,因此Flash技術(shù)適用于 SMBus(Smart Battery Bus,智能電池總線(xiàn))這樣的應用。

Flash存儲器的編程時(shí)間比較長(cháng)(通常10ms,EPROM為10 μs),會(huì )影響大批量生產(chǎn)的速度。為了獲得與OTP器件相當的生產(chǎn)率,生產(chǎn)商必須大大提升編程工序的效率。另外,Flash存儲器雖然在可多次編程方面優(yōu)于OTP存儲器,但是,實(shí)現系統級MCU存儲器讀寫(xiě)會(huì )增加產(chǎn)品的復雜度,因此到目前為止,并沒(méi)有多少產(chǎn)品用到Flash存儲器的現場(chǎng)更新功能。使用這種功能的產(chǎn)品必須要能適應更新過(guò)程中可能發(fā)生的各種情況,比如調制解調器信道中斷,或者電源在擦除操作前/后中斷等等。采用Flash技術(shù)的產(chǎn)品在進(jìn)行更新 時(shí),通常需要廠(chǎng)家指派現場(chǎng)工程師來(lái)配合,以解決各種可能出現的問(wèn)題。在構思現場(chǎng)可編程設計方案時(shí)應該知道,出眾的CPU性能對于MCU的應用靈活性是至關(guān)重 要的。業(yè)界有一種觀(guān)點(diǎn)，認為微控制器中的CPU只是用于控制外圍電路完成控制功能，于是將微控制器硅片的大部分面積都設計成外圍模塊，CPU性能則較低。 另外一些微控制器的技術(shù)路線(xiàn)正好相反，將設計重點(diǎn)放在了CPU性能上，利用空閑的I/O引腳和程序存儲器實(shí)現軟件模擬功能，可以用軟件來(lái)模擬諸如 UART、PWM發(fā)生器等外圍電路，增加功能的同時(shí)并沒(méi)有增加成本。

假如要對已經(jīng)安裝在電路板上的OTP器件或Flash器件進(jìn)行編程操作，那么在線(xiàn)串行編程(In-Circuit Serial Programming，ICSP)技術(shù)是非常理想的選擇。有了ICSP技術(shù)，產(chǎn)品在裝配前不再必須經(jīng)過(guò)編程過(guò)程，可以加快生產(chǎn)速度。

要讓用戶(hù)發(fā)揮現場(chǎng)編程器件的靈活性，必要的一點(diǎn)就是提供通用的、多種語(yǔ)言版本的開(kāi)發(fā)工具。如果用戶(hù)總是要花費很多時(shí)間去熟悉同一種器件的不同版本的開(kāi)發(fā)工具，那么用戶(hù)的應用水平就難以很快提高。

用同樣數目的引腳提供更大的內存空間，這是一項很好的功能。近幾年來(lái)，用戶(hù)對于程序存儲器和數據存儲器容量的需求在迅速擴大，不過(guò)很多MCU系列并沒(méi)有推出改進(jìn)型產(chǎn)品。這里再次提醒讀者，應該選擇那些能提供多種程序存儲器類(lèi)型和大小的生產(chǎn)商。

設計智能電池時(shí)，除了要注意選擇恰當的MCU存儲器之外，還要認真考慮集成的外圍電路。 目前有不少微控制器廠(chǎng)商都在MCU內集成了成熟的模擬電路，例如PIC16C774型MCU就帶有1個(gè)12位模數轉換器、1個(gè)可編程節電復位器、1個(gè)可編 程電源電壓監測器和1個(gè)電壓基準。采用這些功能完善的芯片，可以在顯著(zhù)提高產(chǎn)品綜合性能的同時(shí)，減少器件數目，縮小電路板尺寸，降低產(chǎn)品綜合成本。除了那些帶有模擬電路的器件外，還有些模擬集成電路可以獨立實(shí)現某種充電算法，只需要改變外接電阻的大小就可以調整充電參數。當然，采用類(lèi)似MCU內核的專(zhuān)用電 池充電芯片也已經(jīng)出現，不過(guò)這種芯片不能由用戶(hù)編程。

智能電池的設計者在選擇MCU的存儲器類(lèi)型時(shí)要考慮多方面的因素，因為ROM、OTP和Flash三種技術(shù)各有其優(yōu)點(diǎn)和不足。有經(jīng)驗的設計者會(huì )選擇那些能夠提供多種存儲器類(lèi)型的廠(chǎng)商，為產(chǎn)品選出最恰當的MCU。