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分享:從基本到完善的RCC電路原理介紹及問(wèn)題探討

作者: 時(shí)間:2013-12-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
em; line-height: 24px; color: rgb(62, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">5.如果在集電極有較大電流時(shí)使用其他方法導致基極電流不足,也可以觸發(fā)正反饋機制關(guān)斷晶體管Tr1。這一特點(diǎn)常用于實(shí)現電流限制和穩壓。(即在電流或電壓過(guò)大時(shí)減小占空比或禁止晶體管開(kāi)通)要注意的:

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/227237.htm

電路的不穩定性

目前被普遍認識的是電路對元件、布線(xiàn)、生產(chǎn)工藝要求很高。使用劣質(zhì)元件、水準不高的布板、變壓器繞制不恰當都可能導致RCC電路無(wú)法工作,或在正常工作一段時(shí)間后失效。常見(jiàn)失效模式包括但不限于:

漏感導致的二次擊穿

RCC最常見(jiàn)也最典型的失效現象是主開(kāi)關(guān)管燒毀。大部分此類(lèi)故障是由變壓器基極線(xiàn)圈漏感導致的。 變壓器基極線(xiàn)圈的漏感和基極串聯(lián)的電阻形成LR低通濾波電路,對電流信號有延遲作用,導致在集電極電壓上升時(shí),基極電流減小的正反饋出現延遲。而這樣的延遲對于絕大部分雙極型開(kāi)關(guān)管是致命的,它導致晶體管越出安全工作區,以及發(fā)熱量過(guò)大,最終導致不可逆的二次擊穿。

此類(lèi)故障較少出現在使用功率MOSFET制作的RCC上,因為功率MOSFET的安全工作區遠大于雙極型晶體管。并且功率MOSFET為電壓控制型,開(kāi)通/關(guān)斷閾值范圍窄,MOSFET較為不易出現同時(shí)承受大電流和高電壓的情況,即使偶爾出現也不會(huì )發(fā)生不可逆的失效。 曾經(jīng)有一批基于MOSFET的RCC電源常常因開(kāi)關(guān)管損壞而失效,經(jīng)查證,是因為廠(chǎng)家技術(shù)考慮不周,機械模仿110V地區產(chǎn)品,在220V交流線(xiàn)路(整流后電壓高達311V)上,使用了耐壓500V的MOSFET(型號是IRF840)。

輸出電壓不穩,損壞用電器

另一常見(jiàn)的問(wèn)題是輸出電壓明顯超過(guò)設計輸出電壓,導致負載過(guò)熱、燒毀。特別是當負載為鋰離子電池時(shí),輸出過(guò)高電壓極端危險,可能導致電池內部氣體液體泄漏甚至爆炸。 原因一是變壓器繞組間不完全耦合,存在漏感,導致互調整率差。在變換器處于輕載狀態(tài),占空比小的時(shí)候,此問(wèn)題更加嚴重。二是和集成芯片中包含的運算放大器(放大倍數高達數百倍、數千倍)相比,電壓環(huán)路開(kāi)環(huán)增益太小,精確穩壓困難。

并且這兩個(gè)缺點(diǎn)幾乎是不可能同時(shí)妥善解決的。解決二次擊穿問(wèn)題要求基極線(xiàn)圈和主線(xiàn)圈近繞以保持耦合良好,而解決輸出電壓不穩的問(wèn)題要求次級線(xiàn)圈和基極線(xiàn)圈近繞,又要求初次級之間數千伏的電氣隔離。在有限繞線(xiàn)位置的變壓器骨架下,要達到這兩個(gè)矛盾的目的,十分困難。


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