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RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數設計

作者: 時(shí)間:2013-12-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
關(guān)于的分析。我也參考了PI與仙童公司給出的設計參考,以及網(wǎng)絡(luò )上網(wǎng)友歸納的一些觀(guān)點(diǎn)與計算公式。但是我必須說(shuō),這些參考文獻給出的計算方法,沒(méi)有一個(gè)是可以直接應用的,至少在這個(gè)使用ssl4101t的電源方案中,計算值與實(shí)際值出入非常大。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/227228.htm

2元件參數設計計算

下面我說(shuō)下,我參考了各種資料以及自己分析出的一種計算方法。

流入的能量在傳遞到后,所有的文獻都說(shuō),漏感能量損耗在了電阻R上,可以這么說(shuō),但是如果以這個(gè)為依據對鉗位電阻的阻值進(jìn)行計算設計,這樣的做法是不對的,因為,這樣計算出來(lái)的電阻值不能保證,鉗位電路上的電壓波動(dòng)在預想的范圍內,范圍波動(dòng)的變化會(huì )影響到計算時(shí)所預計的箝位電壓值,導致整個(gè)設計完全失敗。所以電阻值的計算只有一個(gè)依仗,就是RC一階電路的理論,在前面已經(jīng)介紹了。這個(gè)電阻值的設計在于一個(gè)周期所期望的壓降,這個(gè)壓降由RC緩沖電路的放電速度限定。而當電阻的阻值并非由功率設定時(shí),那么電阻上的功率只由電阻的上的壓降以及其阻值決定。


RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數設計

從能量上考慮,鉗位電路必然要吸收漏感的能量,但是,這個(gè)漏感能量在傳遞到RCD鉗位電路之前,是有損耗的,損耗在于MOS管的輸出電容上,也就是Coss,因為,漏感能量要先給它充能,使得它兩端的電壓能達到鉗位電路的鉗位電壓,達到了鉗位電壓后,二極管才會(huì )導通,接著(zhù)才是漏感能量向鉗位電路傳遞能量,但是在MOS管輸出電容上損耗的能量是非常小的,大概在漏感能量的3%左右,所以可以忽略不計。還有一點(diǎn)非常重要,漏感電流在流入鉗位電路的過(guò)程中,反射電壓會(huì )對其做功,在上面的等效圖上,看上去反射點(diǎn)呀是不會(huì )對漏感電流做功的,但是實(shí)際的情況是,初級漏感并非是在初級電感之后的小尾巴,它存在于初級電感的每一處,所以反射電壓是確確實(shí)實(shí)的加在了漏感身上,那么當漏感激發(fā)出電流時(shí),反射電壓就會(huì )對其做功。在《開(kāi)關(guān)電源A到Z》中,是這么描述這一情況的,并且還給出了相應的公式。

一次繞組與漏感串聯(lián),故較短時(shí)間內,漏感一直都在試圖復位。變壓器一次繞組被迫跟著(zhù)變化并且連續提供此串聯(lián)電流,通過(guò)齊納管續流。雖然可以肯定一次繞組總是試圖通過(guò)二次側續流,但一部分能量還是被轉入齊納管鉗位電路,直到漏感完全復位。換句話(huà)說(shuō),一次電感中有些能量被串聯(lián)的漏感“迅速拿走”,并連同漏感本身所具有的的能量,一起通過(guò)齊納管電路續流。(P94)

RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數設計


從4-11式可以看出,選定的鉗位電壓值越小,越接近反射電壓,那么損耗的功率也就越大,而當選擇的鉗位電壓值越大,損耗的功率也就越小,但是這時(shí)候MOS管兩端的電壓尖峰也就越高,因為若要二極管關(guān)斷截止,那么MOS管D極的電壓值必須要等于鉗位電容上的鉗位電壓最大值。

而在實(shí)際使用這個(gè)公式去計算的時(shí)候,發(fā)現了一個(gè)問(wèn)題,那就是,計算的能量值與實(shí)際流入RCD鉗位電路的能量值相比,計算值明顯大了不少,也就是說(shuō),并非所有的損耗能量都進(jìn)入了鉗位電路,很大一部分消耗在別的元件器件上以及寄生參數上,還有一部分回饋給了電網(wǎng)。

在PI公司給的鉗位電路設計參考中,對這一點(diǎn)有所提及。具體情況如下:

RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數設計

PI公司將不同功率的電源,鉗位電路中所消耗的能量進(jìn)行了劃分。在這個(gè)案例中輸出功率是大于90w的,但是實(shí)際情況并非PI所預計的。下面給出這個(gè)案例中,電阻使用100千歐,電容2.2納法,二極管為ESIJ,反向恢復速度為35納秒的超快速二極管的實(shí)測鉗位電路波形。

RCD鉗位電路基本原理分析及元件參數設計

圖表 12

以及相對應的MOS管兩端電壓波形:

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圖13

以及,使用500ns回復時(shí)間的GROMA二極管時(shí)鉗位電容的波形:

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圖14使用GROMA時(shí),MOS兩端電壓波形:

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圖15

下面

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