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環(huán)球儀器專(zhuān)家解讀:FC裝配技術(shù)

作者: 時(shí)間:2007-11-19 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

李憶—環(huán)球儀器上海工藝實(shí)驗室工藝研究工程師

器件的小型化高密度封裝形式越來(lái)越多,如多模塊封裝(MCM)、系統封裝(SiP)、芯 片(FC,Flip-Chip)等應用得越來(lái)越多。這些技術(shù)的出現更加模糊了一級封裝與二級裝配之間的界線(xiàn)。毋庸置疑,隨著(zhù)小型化高密度封裝的出現,對高速與高精度裝 配的要求變得更加關(guān)鍵,相關(guān)的組裝設備和工藝也更具先進(jìn)性與高靈活性。

由于芯片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸、更小的球徑和球間距、它對植球工藝、基板技術(shù)、材料的兼容性、制造工藝,以及檢查設備和方法提出了前所未有的挑戰。

芯片的發(fā)展歷史

倒裝芯片的定義

什么器件被稱(chēng)為倒裝芯片?一般來(lái)說(shuō),這類(lèi)器件具備 以下特點(diǎn):

1.基材是硅;
2.電氣面及焊凸在器件下表面;
3.球間距一般為4-14mil、球徑為2.5-8mil、外形尺寸為1-27mm;
4.組裝在基板上后需要做底部填充。

其實(shí),倒裝芯片之所以被稱(chēng)為“倒裝”,是相對于傳 統的金屬線(xiàn)鍵合連接方式(Wire Bonding)與植球后的工藝 而言的。傳統的通過(guò)金屬線(xiàn)鍵合與基板連接的芯片電氣面朝 上(圖1),而倒裝芯片的電氣面朝下(圖2),相當于將 前者翻轉過(guò)來(lái),故稱(chēng)其為“倒裝芯片”。在圓片(Wafer) 上芯片植完球后(圖3),需要將其翻轉,送入貼片機,便于貼裝,也由于這一翻轉過(guò)程,而被稱(chēng)為“倒裝芯片”。

倒裝芯片的歷史及其應用

倒裝芯片在1964年開(kāi)始出現,1969年由IBM發(fā)明了倒 裝芯片的C4工藝(Controlled Collapse Chip Connection, 可控坍塌芯片聯(lián)接)。過(guò)去只是比較少量的特殊應用,近 幾年倒裝芯片已經(jīng)成為高性能封裝的方法,它的應用 得到比較廣泛快速的發(fā)展。目前倒裝芯片主要應用在Wi- Fi、SiP、MCM、圖像傳感器、微處理器、硬盤(pán)驅動(dòng)器、醫用傳感器,以及RFID等方面(圖5)。

與此同時(shí),它已經(jīng)成 為小型I/O應用有效的解決方案。隨著(zhù)微型化及人們已 接受SiP,倒裝芯片被視為各種針腳數量低的應用的首選方 法。從整體上看,其在低端應用和高端應用中的采用,根 據TechSearch International Inc對市場(chǎng)容量的預計,焊球凸點(diǎn)倒裝芯片的年復合增長(cháng)率(CAGR)將達到31%。

倒裝芯片應用的直接驅動(dòng)力來(lái)自于其優(yōu)良的電氣性能,以及市場(chǎng)對終端產(chǎn)品尺寸和成本的要求。在功率及電 信號的分配,降低信號噪音方面表現出色,同時(shí)又能滿(mǎn)足高密度封裝或裝配的要求??梢灶A見(jiàn),其應用會(huì )越來(lái)越廣泛。

倒裝芯片的組裝工藝流程

一般的混合組裝工藝流程

在半導體后端組裝工廠(chǎng)中,現在有兩種模塊組裝方法。在兩次回流焊工藝中,先在單獨的生產(chǎn)線(xiàn)上組裝器件,該生產(chǎn)線(xiàn)由絲網(wǎng)印刷機、貼片機和第一個(gè)回 流焊爐組成。然后再通過(guò)第二條生產(chǎn)線(xiàn)處理部分組裝的模塊,該生產(chǎn)線(xiàn)由倒裝芯片貼片機和回流焊爐組成。底部填 充工藝在專(zhuān)用底部填充生產(chǎn)線(xiàn)中完成,或與倒裝芯片生產(chǎn)線(xiàn)結合完成。

倒裝芯片的裝配工藝流程介紹

相對于其它的IC器件,如BGA、CSP等,倒裝芯片 裝配工藝有其特殊性,該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工藝。因為助焊劑殘留物(對可靠性的影響)及橋連的 危險,將倒裝芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法。業(yè)內推出了無(wú)需清潔的助焊劑,芯片浸蘸助焊劑工藝成為廣泛使用的助焊技術(shù)。目前主要的替代方法是使用免洗助焊劑,將器件浸蘸在助焊劑薄膜里讓器件焊球蘸取一 定量的助焊劑,再將器件貼裝在基板上,然后回流焊接;或者將助焊劑預先施加在基板上,再貼裝器件與回流焊 接。助焊劑在回流之前起到固定器件的作用,回流過(guò)程中起到潤濕焊接表面增強可焊性的作用。

倒裝芯片焊接完成后,需要在器件底部和基板之間填充一種膠(一般為環(huán)氧樹(shù)酯材料)。底部填充分為于“流動(dòng)原理”的流動(dòng)性和非流動(dòng)性(No-follow)底部填充。

上述倒裝芯片組裝工藝是針對C4器件(器件焊凸材料為SnPb、SnAg、SnCu或SnAgCu)而言。另外一種工藝是 利用各向異性導電膠(ACF)來(lái)裝配倒裝芯片。預先在基板上施加異性導電膠,貼片頭用較高壓力將器件貼裝在基板 上,同時(shí)對器件加熱,使導電膠固化。該工藝要求貼片機具有非常高的精度,同時(shí)貼片頭具有大壓力及加熱功能。 對于非C4器件(其焊凸材料為Au或其它)的裝配,趨向采用此工藝。這里,我們主要討論C4工藝,下表列出的是倒裝芯片植球(Bumping)和在基板上連接的幾種方式。

倒裝倒裝芯片幾何尺寸可以用一個(gè)“小”字來(lái)形容:焊球直徑?。ㄐ〉?.05mm),焊球間距?。ㄐ〉?.1mm),外形尺寸?。?mm2)。要獲得滿(mǎn)意的裝配良率,給貼裝設備及其工藝帶來(lái)了挑戰,隨著(zhù)焊球直徑的縮小,貼裝精度要求越來(lái)越高,目前12μm甚至10μm的精度越來(lái)越常見(jiàn)。貼片設備照像機圖形處理能力也十分關(guān)鍵,小的球徑小的球間距需要更高像素的像機來(lái)處理。

隨著(zhù)時(shí)間推移,高性能芯片的尺寸不斷增大,焊凸(Solder Bump)數量不斷提高,基板變得越來(lái)越薄,為了提高產(chǎn)品可靠性底部填充成為必須。

對貼裝壓力控制的要求

考慮到倒裝芯片基材是比較脆的硅,若在取料、助焊劑浸蘸過(guò)程中施以較大的壓力容易將其壓裂,同時(shí)細小的焊凸在此過(guò)程中也容易壓變形,所以盡量使用比較低的貼裝壓力,一般要求在150g左右。對于超薄形芯片,如0.3mm,有時(shí)甚至要求貼裝壓力控制在35g。

對貼裝精度及穩定性的要求

對于球間距小到0.1mm的器件,需要怎樣的貼裝精度 才能達到較高的良率?基板的翹曲變形,阻焊膜窗口的尺寸和位置偏差,以及機器的精度等,都會(huì )影響到最終的貼 裝精度。關(guān)于基板設計和制造的情況對于貼裝的影響,我們在此不作討論,這芯片裝配工藝對貼裝設備的要求里我們只是來(lái)討論機器的貼裝精度。為了回答上面的問(wèn)題,我們來(lái)建立一個(gè)簡(jiǎn)單的假設模型:

1.假設倒裝芯片的焊凸為球形,基板上對應的焊盤(pán)為圓形,且具有相同的直徑;
2.假設無(wú)基板翹曲變形及制造缺陷方面的影響;
3.不考慮Theta和沖擊的影響;
4.在回流焊接過(guò)程中,器件具有自對中性,焊球與潤濕面50%的接觸在焊接過(guò)程中可以被“拉正”。

那么,基于以上的假設,直徑25μm的焊球如果其對應的圓形焊盤(pán)的直徑為50μm時(shí),左右位置偏差(X軸)或 前后位置偏差(Y軸)在焊盤(pán)尺寸的50%,焊球都始終在焊盤(pán)上(圖9)。對于焊球直徑為25μm的倒裝芯片,工藝能力Cpk要達到1.33的話(huà),要求機器的最小精度必須達到12μm@3sigma。

對照像機和影像處理技術(shù)的要求

要處理細小焊球間距的倒裝芯片的影像,需要百萬(wàn)像素的數碼像機。較高像素的數碼像機有較高的放大倍率, 但是,像素越高視像區域(FOV)越小,這意味著(zhù)大的器件可能需要多次“拍照”。照像機的光源一般為發(fā)光二極 管,分為側光源、前光源和軸向光源,并可以單獨控制。倒裝芯片的的成像光源采用側光、前光,或兩者結合。

那么,對于給定器件如何選擇像機呢?這主要依賴(lài)圖 像的算法。譬如,區分一個(gè)焊球需要N個(gè)像素,則區分球間 距需要2N個(gè)像素。以環(huán)球儀器的貼片機上Magellan數碼像機為例,其區分一個(gè)焊球需要4個(gè)像素,我們用來(lái)看不同的 焊球間隙所要求的最大的像素應該是多大,這便于我們根 據不同的器件來(lái)選擇相機,假設所有的影像是實(shí)際物體尺寸的75%。

倒裝芯片基準點(diǎn)(Fiducial)的影像處理與普通基準 點(diǎn)相似。倒裝芯片的貼裝往往除整板基準點(diǎn)外(Global fiducial)會(huì )使用局部基準點(diǎn)(Local fiducial),此時(shí)的基 準點(diǎn)會(huì )較?。?.15—1.0mm),像機的選擇參照上面的方 法。對于光源的選擇需要斟酌,一般貼片頭上的相機光源 都是紅光,在處理柔性電路板上的基準點(diǎn)時(shí)效果很差,甚至找不到基準點(diǎn),其原因是基準點(diǎn)表面(銅)的顏色和基 板顏色非常接近,色差不明顯。如果使用環(huán)球儀器的藍色光源專(zhuān)利技術(shù)就很好的解決了此問(wèn)題。

吸嘴的選擇

由于倒裝芯片基材是硅,上表面非常平整光滑,最好選擇頭部是硬質(zhì)塑料材料具多孔的ESD吸嘴。如果選擇頭部 為橡膠的吸嘴,隨著(zhù)橡膠的老化,在貼片過(guò)程中可能會(huì )粘連器件,造成貼片偏移或帶走器件。

對助焊劑應用單元的要求

助焊劑應用單元是控制助焊劑浸蘸工藝的重要部分, 其工作的基本原理就是要獲得設定厚度的穩定的助焊劑薄 膜,以便于器件各焊球蘸取的助焊劑的量一致。 要精確穩定的控制助焊劑薄膜的厚度,同時(shí)滿(mǎn)足高速浸蘸的要求,該助焊劑應用單元必須滿(mǎn)足以下要求:

1. 可以滿(mǎn)足多枚器件同時(shí)浸蘸助焊劑(如同時(shí)浸蘸4或7枚)提高產(chǎn)量;
2. 助焊劑用單元應該簡(jiǎn)單、易操作、易控制、易清潔;
3. 可以處理很廣泛的助焊劑或錫膏,適合浸蘸工藝的 助焊劑粘度范圍較寬,對于較稀和較粘的助焊劑都 要能處理,而且獲得的膜厚要均勻;
4. 蘸取工藝可以精確控制,浸蘸的工藝參數因材料的不同而會(huì )有差異,所以浸蘸過(guò)程工藝參數必須可以單獨控制,如往下的加速度、壓力、停留時(shí)間、向上的加速度等。

對供料器的要求

要滿(mǎn)足批量高速高良率的生產(chǎn),供料技術(shù)也相當關(guān)鍵。倒裝芯片的包裝方式主要有這么幾種:2×2或4×4英 JEDEC盤(pán)、200mm或300mm圓片盤(pán)(Wafer)、還有 卷帶料盤(pán)(Reel)。對應的供料器有:固定式料盤(pán)供料器 (Stationary tray feeder),自動(dòng)堆疊式送料器(Automated stackable feeder),圓片供料器(Wafer feeder),以及帶式供料器。

所有這些供料技術(shù)必須具有精確高速供料的能力,對于圓片供料器還要求其能處理多種器件包裝方式,譬如: 器件包裝可以是JEDEC盤(pán)、或裸片,甚至完成芯片在機器內完成翻轉動(dòng)作。

我們來(lái)舉例說(shuō)明幾種供料器. Unovis的裸晶供料器(DDF Direct Die Feeder)特點(diǎn):
可用于混合電路或感應器、 多芯片模組、系統封裝、RFID和3D裝配
圓片盤(pán)可以豎著(zhù)進(jìn)料、節省空間,一臺機器可以安裝多臺DDF
芯片可以在DDF內完成翻轉
可以安裝在多種貼片平臺上,如:環(huán)球儀器、西門(mén)子 、安必昂、富士

對板支撐及定位系統的要求

有些倒裝芯片是應用在柔性電路板或薄型電路板上,這時(shí)候對基板的平整支撐非常關(guān)鍵。解決方案往往會(huì )用到 載板和真空吸附系統,以形成一個(gè)平整的支撐及精確的定位系統,滿(mǎn)足以下要求:

1.基板Z方向的精確支撐控制,支撐高度編程調節;
2.提供客戶(hù)化的板支撐界面;
3.完整的真空發(fā)生器;
4.可應用非標準及標準載板。

回流焊接及填料固化后的檢查

對完成底部填充以后產(chǎn)品的檢查有非破壞性檢查和破壞性檢查,非破壞性的檢查有

利用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行外觀(guān)檢查,譬如檢查填料在器件側面爬升的情況,是否形成良好的邊緣圓角,器件表面是否有臟污等
利用X射線(xiàn)檢查儀檢查焊點(diǎn)是否短路,開(kāi)路,偏移,潤濕情況,焊點(diǎn)內空洞等
電氣測試(導通測試),可以測試電氣聯(lián)結是否有 問(wèn)題。對于一些采用菊花鏈設計的測試板,通過(guò)通斷測試還可以確定焊點(diǎn)失效的位置
利用超聲波掃描顯微鏡(C-SAM)檢查底部填充后 其中是否有空洞、分層,流動(dòng)是否完整

破壞性的檢查可以對焊點(diǎn)或底部填料進(jìn)行切片,結合光學(xué)顯微鏡,金相顯微鏡或電子掃描顯微鏡和能譜分析儀 (SEM/EDX),檢查焊點(diǎn)的微觀(guān)結構,例如,微裂紋/微 孔,錫結晶,金屬間化合物,焊接及潤濕情況,底部填充 是否有空洞、裂紋、分層、流動(dòng)是否完整等。

完成回流焊接及底部填充工藝后的產(chǎn)品常見(jiàn)缺陷有: 焊點(diǎn)橋連/開(kāi)路、焊點(diǎn)潤濕不良、焊點(diǎn)空洞/氣泡、焊點(diǎn)開(kāi) 裂/脆裂、底部填料和芯片分層和芯片破裂等。對于底部填充是否完整,填料內是否出現空洞,裂紋和分層現象,需 要超聲波掃描顯微鏡(C-SAM)或通過(guò)與芯片底面平行的 切片(Flat section)結合顯微鏡才能觀(guān)察到,這給檢查此 類(lèi)缺陷增加了難度。

底部填充材料和芯片之間的分層往往發(fā)生在應力最大 器件的四個(gè)角落處或填料與焊點(diǎn)的界面,如左圖13 所示。


總結

倒裝芯片在產(chǎn)品成本,性能及滿(mǎn)足高密度封裝等方面 體現出優(yōu)勢,它的應用也漸漸成為主流。由于倒裝芯片的 尺寸小,要保證高精度高產(chǎn)量高重復性,這給我們傳統的 設備及工藝帶來(lái)了挑戰,具體表現在以下幾個(gè)方面:

1. 基板(硬板或軟板)的設計方面;
2.組裝及檢查設備方面;
3.制造工藝,芯片的植球工藝,PCB的制造工藝,SMT工藝;
4.材料的兼容性。

全面了解以上問(wèn)題是成功進(jìn)行倒裝芯片組裝工藝的基礎。

環(huán)球儀器SMT實(shí)驗室自1994年已成功開(kāi)發(fā)此完整工 藝,迄今我們使用了約75種助焊劑和150種底部填充材料在 大量不同的基板上貼裝了100,000個(gè)倒裝片,進(jìn)行測試和細致的失效分析,涵蓋了廣泛的參數范圍。

環(huán)球儀器對于倒裝芯片裝配的設備解決方案,兼顧了高速和高精度的特點(diǎn),譬如:DDF送料器結合GI-14平臺可 以實(shí)現裸芯片進(jìn)料高速貼裝,而AdVantis XS 平臺可以實(shí)現精度達9微米3西格碼的貼裝(下圖)??梢詰眠@些解決方案實(shí)現倒裝芯片,系統封裝(高混合裝配),裸芯片裝配及內植器件。

如果讀者對完整的倒裝芯片裝配工藝感興趣或有疑問(wèn),歡迎與本文作者聯(lián)系:liyi@uic.com。



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