小型熒光燈用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40
1 主要特點(diǎn)
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/225746.htm隨著(zhù)全球節能技術(shù)的提高,小型熒光燈市場(chǎng)的發(fā)展非常迅猛。在眾多的低成本解決方案中,用戶(hù)通常選用簡(jiǎn)單的自振蕩電路,而這些電路一般都采用STBV或BUL系列等功率雙極型器件。
在采用如L6569型驅動(dòng)器的應用,選用MOSFET是一個(gè)十分有效的解決方案。為此,ST公司專(zhuān)門(mén)推出了用于小型熒光燈的400V功率MOSFET STS1DNC40和STQ1NC40,這兩種器件與傳統器件相比,具有高效、低成本的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)不影響產(chǎn)品的性能或使用壽命。另外,由于NC系列硅效率的提高和NC系列(PwerMESH)上RDS(on)*面積的減小,這兩款器件的功耗也有明顯的降低。
STS1DN40和STQ1NC40是全新的小型熒光燈400V功率MOSFET。其中STS1DN40采用表面安裝雙島版SO-8封裝,而STQ1NC40則采用TO-92封裝。這兩種器件集NC系列400V器件的性能和小型裝所特有的靈活性于一身,因而具有成本低、可節省電路板空間(采用STS1DNC40可節省一個(gè)封裝)以及可鉗位尺寸等特點(diǎn)。
2 主要電氣參數
STS1DNC40的典型RDS(on)為4.7Ω,可采用低門(mén)限門(mén)極驅動(dòng),由于采用SO-98的標準外形封裝,因此十分方便于自動(dòng)化表面安裝。而STQ1NC40的典型RDS(on)也為4.7Ω,并具有極高的db/dt能力,可進(jìn)行100%的雪崩測試。它采用新高壓基準,并采用門(mén)極電荷 最小化的TO-92封裝形式。STS1DNC40和STQ1NC40的主要電氣參數如表1所列。
表1 STS1DNC40和STQ1NC40的主要電氣參數
P/N | 電源(V) | 封裝 | RDS(ON)(Ω)最大值 | BVDSS(V) | 總功耗Tc=25℃ |
STS1DNC40 | 220 | SO-8 | 5.5 | 400 | 2W |
STQ1NC40 | 220 | TO-92 | 5.5 | 400 | 3.5W |
表2 220V小型熒光燈用標準功率MOSFET的主要參數
P/N | 電源(V) | 封裝 | RDS(ON)(Ω)最大值 | BVDSS(V) | 典型CFL功率范圍(W) | 技術(shù) |
STD1NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 9 | 500 | 7-23 | PowerMESHI |
STD2NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 6 | 500 | 7-23 | PowerMESHI |
STD3NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 2.7 | 500 | 7-23 | PowerMESHII |
STD4NB50/-1 | 220 | DPAK/INAK | 1.5 | 500 | 7-23 | PowerMESHII |
STD2NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 5.5 | 400 | 7-23 | PowerMESHII |
3 應用電路
圖1是采用STQ1NC40設計的小型熒光燈電路原理圖,可以看出,采用這種新型元器件設計的電路可極大的提高電路的靈活性和降低電路成本。表2給出了ST公司其它的220V小型熒光燈用功率MOSFET的主要參數。
評論