TET-LCD供電電路
1 MAX1748的引腳與功能
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/225713.htm 有源矩陣薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器(LCD)具有輕薄、省電、抗干擾能力強、有效顯示面積大等特點(diǎn),已被廣泛應用于移動(dòng)電話(huà)、PDA、數碼相機等于持終端產(chǎn)品中。TFT-LCD的柵極驅動(dòng)通常需要正、負電流供電,因此在采用TFT-LCD的便攜式產(chǎn)品中一般需要三組供電電源,MAX1748就是針對這一應用而研制開(kāi)發(fā)的。它內部包括:主電源DC-DC轉換器和兩個(gè)電荷泵。主電流輸入電壓范圍為2.7~5.5V,輸出電壓可達13V,穩定度在±1%以?xún)?。雙電荷泵電路用于提供獨立的正、負電壓輸出,并為T(mén)FT柵極驅動(dòng)器供電,通過(guò)外接二極放寬和電容器,輸出電壓可達+40V/-40V。MAX1748采用20腳TSSOP(高度僅為1.1mm)封裝,引腳排列如圖1所示。表1為各引腳的功能說(shuō)明。
表1 MAX1748的引腳說(shuō)明
引 腳 | 名 稱(chēng) | 功 能 |
1 | RDY | 低電平有效,漏極開(kāi)路輸出,用于指示各路輸出電壓是否正常 |
2 | FB | 主電源反饋輸入端 |
3 | INTG | 主電源積分器輸出 |
4 | IN | 電源輸入,輸入范圍:+2.7V~+5.5V,外接0.1μF旁路電容 |
5 | GND | 模擬地 |
6 | REF | 內置基準,外接0.22μF旁路電容,可提供50μA負載電流 |
7 | FBP | 正電荷泵穩壓反饋輸入端 |
8 | FBN | 負電荷泵穩壓反饋輸入端 |
9 | SHDN | 低電平有效,關(guān)斷輸入引腳 |
10 | DRVN | 負電荷泵驅動(dòng)器輸出 |
11 | SUPN | 負電荷泵驅動(dòng)器電源,外接0.1μF旁路電容 |
12 | DRPN | 正電荷泵驅動(dòng)器輸出 |
13 | SUPP | 正電荷泵驅動(dòng)器電源,外接0.1μF旁路電容 |
14 | PGND | 功率地 |
15 | LX | 主電源N溝道功率MOSFET的漏極 |
16 | TGND | 接地端 |
2 MAX1748的內部結構
2.1 主電源升壓電路
MAX1748主電源升壓轉換器的工作頻率為1MHz,其外部允許選用小尺寸的電感和電容,通過(guò)調節脈沖寬度來(lái)控制每個(gè)轉換周期的能量傳遞,以產(chǎn)生穩定的輸出電壓。在PWM工作模式下,內部時(shí)鐘在上升沿觸發(fā)接通N溝道NOSFET(如圖2),當電壓誤差之和、斜率補償、電流反饋信號超出比較器電壓誤差之和、斜率補償、電流反饋信號超出比較器預置門(mén)限時(shí),觸發(fā)器復位,使得在下一時(shí)鐘周期之前MOSFET處于斷開(kāi)狀態(tài)。改變輸出電壓的誤差信號將改變開(kāi)關(guān)電流的門(mén)限值,從而調節M(mǎn)OSFET的導通與關(guān)斷時(shí)間。
2.2 雙電荷泵電路
MAX1748內部包括兩路獨立的低功耗電荷泵,一路電荷泵用于產(chǎn)生與輸入電壓(SUPN)反相的電壓,另一種電荷泵用來(lái)產(chǎn)生輸入電壓(SUPP)的倍壓輸出,內部N溝道、P溝疲乏MOSFET開(kāi)關(guān)的工作頻率為500kH。電荷泵電路工作時(shí),主電源轉換效率與負載電流的關(guān)系曲線(xiàn)如圖3所示。
2.3 MAX1748的上電順序
當MAX1748上電或脫離關(guān)斷狀態(tài)時(shí),控制電路將順序開(kāi)啟內部電路,其上電順序為:(1)基準電源上電;(2)具有軟啟動(dòng)電路的主電源DC-DC升壓轉換電路開(kāi)啟;(3)當主電流達到穩定的輸出電壓時(shí),負電荷泵電路啟動(dòng);(4)當負電荷泵輸出電壓達到穩壓值的88%時(shí),正電荷泵開(kāi)啟;(5)當正電荷泵輸出電壓達到穩壓值的90%時(shí),MOSFET導通,把RDY位至低電平。RDY為漏極開(kāi)路輸出,需在RDY與腳之間接100kΩ的上拉電阻。在RDY引腳降為低電平后,故障檢測電路將對基準電源、各種輸出電壓進(jìn)行監測。(基準源輸出故障門(mén)限值為1.05V,主電流故障檢測門(mén)限為正常輸出電壓的88%,負電葆泵故障檢測門(mén)限為正常輸出電壓的90%,正電荷泵故障檢測門(mén)限為正常輸出電壓的88%),一旦輸出電壓出現故障,RDY輸出將變?yōu)楦咦钁B(tài)。依照上電順序,MAX1748將關(guān)閉后續電路。例如,當負荷泵輸出電壓跌落到故障檢測門(mén)限值以下時(shí),主電流將保持有效輸出,而正電荷泵電路將被關(guān)閉直到負電荷泵輸出電壓達到正常。
3 電源設計
圖4為MAX1748的典型應用電路,下面介紹主電源和電荷泵電路的設計過(guò)程。
3.1 主電源的設計
a.設置輸出電壓
改變主電源輸出(VMAIN)與FB引腳間的電阻R1或FB引腳與GND之間 電阻R2可以調節輸出電壓,一般R2設置在10kΩ至20kΩ范圍內,R1的阻值可依照下式選擇:
R1=R2[(VMAIN/VREF)-1]
式中,VREF=1.25V,主電源輸出電壓VMAIN范圍為VIN~13V。選擇較大的分壓電阻有利于改善DC-DC的轉換效率,但輸入偏置電流牟反饋會(huì )使輸出電壓的誤差增大。
b.選擇電感
電感的選擇取決于輸入電壓、輸出電壓、最大電流、開(kāi)關(guān)頻率、轉換效率、電壓紋波、尺寸以及所允許的電感值,電感參數主要包括:電感值(L)、峰值電流(IPEAK)和等效電阻(RL),可參考下式確定電感的峰值電流:
IPEAK=[IMAIN(MAX)V(MAIN)/(EfficiencyVIN(MIN)) ×[1+(LIR/2)]
式中:LIR=電感電流峰峰值/電感最大平均電流,在對電感尺寸、損耗、輸出紋波等參數加以權衡后,一般LIR應設置在0.3至0.5之間。電感值為:
L=V2IN(MIN)Efficiency(VMIN-VIN(MIN))/(V2(MAIN)LIRIMAIN(MAX)fosc)
圖4電路中,主電源輸出電壓為10V、最大負載電流為200mA,時(shí)鐘頻率為1MHz、效率為85%,因此應選用6.8μH的電感,推薦使用帶用鐵氧體磁芯的電感,電感的最大額定工作電流應該大于峰電流IPEAK,當電路出現故障時(shí),電感的峰值電流有時(shí)會(huì )達到2A。MAX1748的快速限流電路能夠在電感出現軟飽和時(shí)為IC提供保護。電感的直流等效電阻對轉換效率的影響較大,應選用等效電阻低于內置N溝道MOSFET導通電阻的電感,為減小噪聲輻射,應選用屏蔽電感。
c.選擇電容
輸出電容對輸出電壓的紋波及轉換北京有直接影響,輸出紋波等于電感峰值電流與輸出電容等效串聯(lián)電阻(ESR)的乘積,選用低導通電阻的陶瓷電容有利于改善系統特性,當負載瞬態(tài)峰值電流較大時(shí),可選用表面貼裝的鉭電容。輸入電容CIN能夠降低從輸入電源吸取的峰值電流和抑制噪聲。電容值由輸入電源的內阻確定,內阻較大時(shí)電容值應較大,是由于升壓型DC-DC轉換相當于輸入電源的一個(gè)“恒功率”負載,輸入電流增大時(shí),輸入電壓跌落。一般選擇CIN=COUT。
3.2 電荷泵電路設計
a.效率
MAX1748內部穩壓型電荷泵的轉換效率特性與線(xiàn)性穩壓器相似,當輸出電流較小時(shí),轉換效率主要取決于靜態(tài)電流;當輸出電流較大時(shí),轉換北京主要取決于輸入電壓。因此,電葆 泵電路所能提供的最大效率可由下式確定:
EN=VNEG/(VINN) (負電荷泵)
Ep=Vpos/[VIN(N+1)] (正電荷泵)
式中,N為電荷泵的級數。
b.設置輸出電壓
在FBP引腳與VPOS、GND之間接電阻分壓器(R3、R4)可調節正電荷泵的輸出電壓;在FBN引腳與VNEG、REF之間接電阻分壓器(R5、R6)可調節負電荷泵的輸出電壓。通常R4、R6在50kΩ至100kΩ之間選擇,根據需要的輸出電壓值,可由下式可確定R3、R5的值:
R3=R4[(Vpos/VREF)-1]
R5=R6(VNEG/VREF)
式中,VREF=1.25V,Vpos的調節范圍為VSUPP~40V;VNEG的調節范圍為0~-40V。
c.選擇電容
飛電容一般取0.1μF,增大飛電容的電容值會(huì )降低輸出電流的驅動(dòng)能力,當飛電容增大到一定程序時(shí),輸出電流的驅動(dòng)能力將主要受限于內部電荷泵開(kāi)關(guān)的導通電阻和外部二極管的導通限抗。電葆泵的輸出電容對輸出電壓的紋波和瞬態(tài)電壓的峰值影響較大,增大輸出電容、降低電容的ESR可減小輸出紋波,并降低瞬態(tài)電壓峰值。
電荷泵輸入電容應大于或等于飛電容,并盡量靠近IC安裝。COUT由下式確定:
COUT≥[IOUT/(500kHz×γripple)]
d.選擇二極管
二極管可選用肖特基二極放寬,其額定電流應大于4倍的平均輸出電流,正電荷泵二極管的額定電壓需大于1.45倍的VSUPP;負電荷泵二極管的額定電壓需大于VSUPN。
3.3 利用共柵-共源電路產(chǎn)生高壓輸出
當要求主電源的輸出電壓高于13V時(shí),可通過(guò)外接N溝道MOSFET與內部電路構成共柵-共源結構以獲得高壓輸出,外接MOSFET應靠近LX引腳安裝,柵極接輸入電壓、源極線(xiàn)LX。實(shí)際電路如圖5所示,外部MOSFET的導通電阻(RDS(ON))要低于內部N溝道MOSFET的導通電阻,較低的導通電阻有利于改善轉換效率。外部MOSFET的額定電壓應高于主電源輸出電壓(VMAIN)。
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