高亮度LED之“封裝光通”原理技術(shù)探析
前言:毫無(wú)疑問(wèn)的,這個(gè)世界需要高亮度發(fā)光二極管(High Brightness Light-Emitting Diode;HB LED),不僅是高亮度的白光LED(HB WLED),也包括高亮度的各色LED,且從現在起的未來(lái)更是積極努力與需要超高亮度的LED(Ultra High Brightness LED,簡(jiǎn)稱(chēng):UHD LED)。
用LED背光取代手持裝置原有的EL背光、CCFL背光,不僅電路設計更簡(jiǎn)潔容易,且有較高的外力抗受性。用LED背光取代液晶電視原有的CCFL背光,不僅更環(huán)保而且顯示更逼真亮麗。用LED照明取代白光燈、鹵素燈等照明,不僅更光亮省電,使用也更長(cháng)效,且點(diǎn)亮反應更快,用于煞車(chē)燈時(shí)能減少后車(chē)追撞率。
所以,LED從過(guò)去只能用在電子裝置的狀態(tài)指示燈,進(jìn)步到成為液晶顯示的背光,再擴展到電子照明及公眾顯示,如車(chē)用燈、交通號志燈、看板訊息跑馬燈、大型影視墻,甚至是投影機內的照明等,其應用仍在持續延伸。
更重要的是,LED的亮度效率就如同摩爾定律(Moore''''s Law)一樣,每24個(gè)月提升一倍,過(guò)去認為白光LED只能用來(lái)取代過(guò)于耗電的白熾燈、鹵素燈,即發(fā)光效率在1030lm/W內的層次,然而在白光LED突破60lm/W甚至達100lm/W后,就連螢光燈、高壓氣體放電燈等也開(kāi)始感受到威脅。
雖然LED持續增強亮度及發(fā)光效率,但除了最核心的螢光質(zhì)、混光等專(zhuān)利技術(shù)外,對封裝來(lái)說(shuō)也將是愈來(lái)愈大的挑戰,且是雙重難題的挑戰,一方面封裝必須讓LED有最大的取光率、最高的光通量,使光折損降至最低,同時(shí)還要注重光的發(fā)散角度、光均性、與導光板的搭配性。
另一方面,封裝必須讓LED有最佳的散熱性,特別是HB(高亮度)幾乎意味著(zhù)HP(High Power,高功率、高用電),進(jìn)出LED的電流值持續在增大,倘若不能良善散熱,則不僅會(huì )使LED的亮度減弱,還會(huì )縮短LED的使用壽命。
所以,持續追求高亮度的LED,其使用的封裝技術(shù)若沒(méi)有對應的強化提升,那么高亮度表現也會(huì )因此打折,因此本文將針對HB LED的封裝技術(shù)進(jìn)行更多討論,包括光通方面的討論,也包括熱導方面的討論。
附注1:一般而言,HB LED多指8lm/W(每瓦8流明)以上的發(fā)光效率。
附注2:一般而言,HP LED多指用電1W(瓦)以上,功耗瓦數以順向導通電壓乘以順向導通電流(Vf×If,f=forward)求得。
裸晶層:「量子井、多量子井」提升「光轉效率」
雖然本文主要在談?wù)揕ED封裝對光通量的強化,但在此也不得不先說(shuō)明更深層核心的裸晶部分,畢竟裸晶結構的改善也能使光通量大幅提升。
首先是強化光轉效率,這也是最根源之道,現有LED的每瓦用電中,僅有15%20%被轉化成光能,其余都被轉化成熱能并消散掉(廢熱),而提升此一轉換效率的重點(diǎn)就在p-n接面(p-n junction)上,p-n接面是LED主要的發(fā)光發(fā)熱位置,透過(guò)p-n接面的結構設計改變可提升轉化效率。
關(guān)于此,目前多是在p-n接面上開(kāi)鑿量子井(Quantum Well;QW),以此來(lái)提升用電轉換成光能的比例,更進(jìn)一步的也將朝更多的開(kāi)鑿數來(lái)努力,即是多量子井(Multiple Quantum Well;MQW)技術(shù)。
裸晶層:「換料改構、光透光折」拉高「出光效率」
亮度提升的LED已經(jīng)跨足到公眾場(chǎng)合的號志應用,此為國內工地外圍的交通方向指示燈,即是用HB LED所組構成。
附注3:AlGaInP(磷化鋁鎵銦)也稱(chēng)為「四元發(fā)光材料」,即是以Al、Ga、In、P四種元素化合而成。
附注4:在一般的圖形結構解說(shuō)時(shí),p-n接面也稱(chēng)為「發(fā)光層,emitting layer或active layer、active region」。
附注5:除了減少光遮、增加反射外,有時(shí)換用不同技術(shù)的用意是在于規避其它業(yè)者已申請的專(zhuān)利。
各種AlGaInP LED的發(fā)光效能強化法,由左至右為技術(shù)先進(jìn)度的差別,最左為最基礎標準的LED幾何結構,接著(zhù)開(kāi)始加入DBR(Distributed Bragg Reflector)反射層,再來(lái)是有DBR后再加入電流局限(Current Blocking)技術(shù),而最右為晶元光電的OMA(Omni-directional Mirror Adherence)全方位鏡面接合技術(shù),該技術(shù)也將基板材質(zhì)從GaAs換成Si.
對GaN、InGaN化合材料的LED而言,也有其自有的一套制程結構光通強化法,以德國OSRAM來(lái)說(shuō),1999年還在使用標準結構,2002年就進(jìn)展到ATON結構,2003年換成更佳的NOTA結構,2005年則是ThinGaN結構。
封裝層:抗老化黃光、透光率保衛戰
從裸晶層面努力增加光亮后,接著(zhù)就正式從封裝層面接手,務(wù)使光通維持最高、光衰減至最少。
要有高的流明保持率(Transmittance,透光率、穿透率,以百分比單位表示),第一步是封裝材質(zhì),過(guò)去LED最常用的是環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy),不過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂老化后會(huì )逐漸變黃(因「苯環(huán)」成份),進(jìn)而影響光亮顏色,尤其波長(cháng)愈低時(shí)老化愈快,特別是部分WLED使用近紫外線(xiàn)(Near ultraviolet)發(fā)光,與其它可見(jiàn)光相比其波長(cháng)又更低,老化更快。
新的提案是用矽樹(shù)脂(silicone)換替環(huán)氧樹(shù)脂,例如美國Lumileds公司的Luxeon系列LED即是改采矽封膠。
使用矽膠的不只是Lumileds Luxeon,其它業(yè)者也都有矽膠方案,如通用電氣。東芝(GE Toshiba)公司的InvisiSi1,東麗。道康寧(Dow Coring Toray)的SR 7010等也都是LED的矽膠封裝方案。
矽膠除了對低波長(cháng)有較佳的抗受性、較不易老化外,矽膠阻隔近紫外線(xiàn)使其不外泄也是對人體健康的一種保護,此外矽膠的光透率、折射率、耐熱性都很理想,GE Toshiba的InvisiSi1具有高達1.51.53的折射率,波長(cháng)范疇在350nm800nm間的光透率達95%,且波長(cháng)低至300nm時(shí)仍有75%80%的光透,或者與折射率進(jìn)行取舍,將折射率降至1.41,如此即便是300nm波長(cháng)也能維持95%的光透性。同樣的,Dow Coring Toray的SR 7010在405nm波長(cháng)以上時(shí)光透率達99%,且硬化處理后折射率亦有1.51,另外耐熱上也都能達180℃200℃的水平,關(guān)于熱的問(wèn)題我們在此暫不討論。
此外,也有業(yè)者提出所謂的無(wú)樹(shù)脂封裝,即是用玻璃來(lái)作為外套保護,或如日本京瓷(Kyocera)提出的陶瓷封裝,都是為了抗老化而提出,其中陶瓷也有較佳的耐熱效果。
Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED(InGaN)的橫切面圖,從圖中可知Luxeon用矽封裝進(jìn)行裸晶防護,而非傳統的環(huán)氧樹(shù)脂。
隨著(zhù)使用時(shí)間的增長(cháng),LED的光通量也會(huì )逐漸降低,圖中是兩個(gè)LED的壽命光通量曲線(xiàn)比較,下方藍色線(xiàn)為一般5mm的WLED指示燈,上方紅色線(xiàn)則是高功率LED照明燈。
附注6:另一個(gè)加速環(huán)氧樹(shù)脂老化變黃的因素來(lái)自溫度,高溫會(huì )加速老化。
封裝層:透鏡的透射 反射杯的反射、折射
前述的封裝主要在于保護LED裸晶,并在保護之余盡可能讓光熱忠實(shí)向外傳遞,接下來(lái)還是在封裝層面,不過(guò)不再是內覆的Resin部分,而是外蓋的Lens部分。
在用膠封裝完后,依據LED的不同用途會(huì )有各種不同的接續作法,例如做成一個(gè)一個(gè)的獨立封裝元件,過(guò)去最典型的單顆LED指示燈即是如此,另一種則是將多個(gè)LED并成一個(gè)整體性元件,如七段顯示器、點(diǎn)陣型顯示器等。此外焊接腳位方面也有兩種區分,即穿孔技術(shù)(Through-Hole Technology;THT)及表面黏著(zhù)技術(shù)(Surface-Mount Technology;SMT)。
在此暫且不談?wù)撊杭缘钠叨物@示器、點(diǎn)陣型顯示器,而就逐一獨立、分離、離散性的封裝來(lái)說(shuō),也要因應不同的應用而有不同的封裝外觀(guān),若是與過(guò)往LED相同是做為穿孔性焊接的狀態(tài)指示燈則只要采行燈泡(Lamp)型態(tài)的封裝(今日也多俗稱(chēng)成「炮彈型」),即便確定是此型也還有透鏡型態(tài)(Lens Type)的區別,如典型Lamp、卵橢圓Oval、超卵橢圓Super Oval、平直Flat等。而若是表面黏著(zhù)型,也有頂視Top View、邊視Side View、圓頂Dome等。
為何要有各種不同的透鏡外型?其實(shí)也有各自的應用需求,就一般而言,Lamp用來(lái)做指示燈號、Oval用于戶(hù)外標示或號志、Top View用來(lái)做直落式的背光、Flat與Side View配合導光板(Guide Plate:LGP)做側邊入光式的背光、Dome做為小型照明燈泡、小型閃光燈等。
外型不同、應用不同,發(fā)光的可視角度(View Angle)也就不同,此部分也就再次考驗封裝設計,運用不同的設計方式,可以獲得不同的發(fā)光角度、光強度、光通量,此方面常見(jiàn)的作法有四:中軸透鏡Axial lens、平直透鏡Flat lens、反射杯Reflective cup、島塊反射杯Reflective cup by island.
一般的Lamp用的即是中軸透鏡法,Dome及Oval/Super Oval等也類(lèi)似,但Oval/Super Oval的光亮比Lamp更集中在軸向的小角度內。而Flat則是用平直透鏡法,好處是光視角比中軸透鏡法更大,但缺點(diǎn)是光通量降低、光強度減弱。至于Top View、Side View等則多用反射杯或島塊反射杯,此作法是在封裝內加入反射鏡,對部分發(fā)散角度的光束進(jìn)行反射、折射等收斂動(dòng)作,使角度與光強度能取得平衡。
日亞化學(xué)工業(yè)(Nichia)的5mm白光LED,圖中可見(jiàn)炮彈(Lamp)型封裝內部也使用碗狀的反射杯(Reflective cup)設計來(lái)強化光照角度及強度。
就技術(shù)難易來(lái)說(shuō),只用上透鏡的Axial lens、Flat lens確實(shí)較為簡(jiǎn)易,只要考慮透射與光束發(fā)散性,相對的有Reflective cup就不同了,原有的透射、發(fā)散一樣要考慮,還要追加考慮反射、折射以及光束收斂,確實(shí)更加復雜。
還有,我們還沒(méi)討論材質(zhì),透鏡部分除了可持續用原有的覆膠材質(zhì)外也可以改用其它材質(zhì),因為透鏡已較為講究光透而較不講究裸晶防護,如此還可采行塑料(Plastic)、壓克力(Acrylic)、玻璃(Glass)、聚碳酸酯(Polycarbonate)等,且如之前所述,光透性與波長(cháng)有關(guān),不同波長(cháng)光透度不同,再加上有不同的材質(zhì)可選擇,甚至要為透鏡上色,好增加光色的對比度,或視應用場(chǎng)合的裝飾效果(玩具、耶誕樹(shù)),還有前面的透鏡、反射杯等幾何設計等,以上種種構成了LED光通上的第四道課題。
結束語(yǔ)
最后,HB LED被人強調為「綠色照明」,言下之意「環(huán)?!故瞧浜艽蟮脑V求點(diǎn),所以不僅要無(wú)鉛(Pb Free)封裝,還要合乎今日歐洲RoHS(Restriction of Hazardous Substances Directive,限用危害物質(zhì)指令)的法令規范,無(wú)論封裝與LED整體都不能含有汞、鎘、六價(jià)鉻(hexavalent chromium)、多溴聯(lián)苯(PolyBrominated Biphenyls;PBB)、多溴聯(lián)苯醚(PolyBrominated Diphenyl Ether;PBDE)等環(huán)境有害物,此外WEEE(Waste Electrical and Electronic Equipment directive,廢棄電子電機設備指令)等其它相關(guān)法規也必須遵守。
當然!前面我們也已經(jīng)約略提到封裝物必須能封阻與抗受低波長(cháng)、紫外光,還要有一定的硬度來(lái)抗受機械外力,以及耐熱性,此外絕緣、抗靜電、抗濕也都必須注意。
更重要的是,無(wú)論您要不要高亮度,都必須盡可能將光亮導出,因為,若不能忠實(shí)導出光能,光能在封裝層內被吸收,就會(huì )轉化成熱能,為封裝上的散熱問(wèn)題又添一項顧慮因素,事實(shí)上LED的熱若不能順利排解與降低,成為熱負荷,反過(guò)來(lái)一樣要傷害LED本體,包括亮度也會(huì )受到影響,因此,達到最佳、最理想的光通,是封裝設計必然要重視的一課!
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