提升LED芯片品質(zhì)的方法

　　LED芯片生產(chǎn)流程

　　前段制程Flow Chart

　　ITO蒸鍍前清洗不良造成銲線(xiàn)掉電極

　　封裝廠(chǎng)新增銲線(xiàn)判定標準

　　Plasma在LED應用之優(yōu)點(diǎn)

　　Plasma表面清洗是近年來(lái)用在IC、LED、太陽(yáng)能等產(chǎn)業(yè)上的標準制程，利用Ar、H2、O2、N2氣體的物理或化學(xué)作用，讓表面微結構產(chǎn)生官能基或者粗糙度達到良好的結合性，或者蝕刻殘余負光阻等。讓產(chǎn)品的可靠度、穩定度提高增加壽命等。

　　采用真空電容式電極技術(shù)，產(chǎn)生高密度、高活性的電漿離子與自由基（Radical）。將LED上的有機污染物（Organic Contaminant）即碳氫化合物，以物理和化學(xué)的方法有效去除，強化、活化表面的黏著(zhù)力。

　　水滴角度測試（增加表面能）

　　Plasma Solutions

　　Plasma Theory

　　● Argon Plasma
　　純物理作用、物理撞擊可將表面高分子的鍵結打斷，形成微結構粗糙面。
　　● Oxygen Plasma
　　具有化學(xué)作用，可以氧化燃燒高分子聚合物，或者形成雙鑑結結構的官能子，可表面改質(zhì)。
　　● Hydrogen Plasma
　　具有還原性作用的氣體，可以還原被氧化的金屬表面層
　　● Mix Gas Plasma
　　可以組合上述的氣體種類(lèi)，也可達到特殊官能基的形成，例如氧氣與氫氣可以形成O-H官能基。

　　三種氣體實(shí)驗比較

　　1、Ar/H2混合氣，借由物理撞擊對表面的結構產(chǎn)生活化，形成粗糙面增加結合力。
　　2、O2/H2混合氣，對金屬面形成OH-基，也可以增加與Compound間的結合力。
　　3、純Ar氣利用該氣體的重量，達到最大物理撞擊增加結合力。

　　Plasma Principle in Parallel Electrode

　　1、RF power在平形板電極造成電場(chǎng)使電子來(lái)回震蕩。
　　2、電子激發(fā)并解氣體產(chǎn)生電漿。
　　3、電漿中的離子物理作用。自由基具有化學(xué)作用。如此與污染源反應，在真空中借由氣體流暢，揮發(fā)排出。

　　Carrier

　　Operation Condition

　　金球推力測試數據

　　結論

　　根據對失效LED分析可知，大都（約70%比例）為芯片焊線(xiàn)工藝出現peeling或焊不粘問(wèn)題。而焊線(xiàn)金球推力為影響這個(gè)工藝的關(guān)鍵參數，因此如何提升這個(gè)參數成為提高產(chǎn)品品質(zhì)的關(guān)鍵，通過(guò)實(shí)驗對比在蒸鍍前引入plasma能很大程度提升焊線(xiàn)金球推力，并起到穩定工藝制程能力的作用。