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【專(zhuān)業(yè)分析】LED行業(yè)封裝熱點(diǎn)之COB散熱技術(shù)

作者: 時(shí)間:2013-11-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

所謂COB封裝(ChiponBoard),是指芯片直接在基板上進(jìn)行綁定封裝。也就是指將N顆芯片綁定在金屬基板或陶瓷基板上,成為一個(gè)新的光源模組。通常是按電源設計要求,用多顆小芯片配置在一起,組成一個(gè)大功率的光源模組,再配合二次透鏡和散熱外殼的設計,來(lái)開(kāi)發(fā)電源效率高、散熱性能好、造價(jià)成本低的照明設備。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/222181.htm

  眾所周知,由于芯片結溫的高低直接影響到LED出光效率、色度漂移和器件壽命等參數,如何提高封裝器件散熱能力、降低芯片溫度成為COB結構設計中亟需解決的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節。針對大功率COBLED的封裝散熱難題,通常通過(guò)多顆LED芯片合理的排列,選擇合適的基板可以得到有效的解決。本文主要是針對元暉光電開(kāi)發(fā)的電源相對應的COB模組進(jìn)行熱分析。探討了LED芯片排列,陶瓷基板(Al2O3基板,AlN基板)及金屬基板(鋁基板,銅基板)對芯片溫度的影響。

  元暉光電所開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)控制開(kāi)關(guān)重新組合LED串接方式的電源,把88顆芯片分為3串(LED1,LED2,LED3),如圖1。

【專(zhuān)業(yè)分析】LED行業(yè)封裝熱點(diǎn)之COB散熱技術(shù)

  其中LED1中有59顆,功耗為76.4%;LED2中有15顆,功耗為14.8%;LED3中有14顆,功耗為8.7%.假設88顆芯片的總功耗為7.4W,那么可以計算出這3串芯片的每顆芯片的功耗如表1所示??梢钥吹?,在LED1中,每顆芯片的功耗為:0.0958W;在LED2中每顆芯片的功耗為:0.0732W;在LED3中每顆芯片的功耗為:0.0462W.顯然,這三串的芯片的單顆功耗不是均等的,LED1中的芯片單顆功耗是LED3中的兩倍。這樣可能會(huì )引起芯片的結溫不同,從而導致壽命不同。下面我們通過(guò)模擬來(lái)分析如何減小這種由于芯片單顆功耗分配不均所引起的溫度差異。

【專(zhuān)業(yè)分析】LED行業(yè)封裝熱點(diǎn)之COB散熱技術(shù)

  從圖1可以看出,88顆芯片要用一條線(xiàn)串起來(lái),同時(shí)還要有4根線(xiàn)連到芯片排列組合的外圍,用來(lái)配合電源連接。這里假設陶瓷基板構成(結構參見(jiàn)圖2):陶瓷基材的尺寸為10mmx10mmx0.5mm(其中,中心5mmx5mm為芯片所占區域,周邊2.5mm寬度的區域是為安置4個(gè)焊盤(pán)所需)。上面有一層銅(厚度為30um);金屬基板的構成(結構參見(jiàn)圖3):基材尺寸為10mmx10mmx1mm,絕緣層厚度為75um,銅層厚度為35um,所用的芯片為CREE的DA3547。

【專(zhuān)業(yè)分析】LED行業(yè)封裝熱點(diǎn)之COB散熱技術(shù)   我們先按常規方法排列芯片,如圖4所示,LED1中的59顆高功耗芯片用紅色表示,LED2中的15顆芯片用綠色表示,LED3中的14顆低功耗的芯片用藍色表示。然后把這個(gè)COB基板固定在一塊鋁板(厚度1.2mm,直徑50mm),這個(gè)鋁板主要用于代替球泡燈的散熱外殼(圖5.),我們假設鋁板的邊緣溫度63.8攝氏度(相當于球泡燈的外殼溫度),同時(shí)假設鋁板對應芯片所在的表面及芯片的外表面對外的熱交換系數為5W/C.m2,環(huán)境溫度為25oC,其他表面絕熱。芯片的熱功耗參數參見(jiàn)表1.那么我們先使用SolidWorksSimulation進(jìn)行模擬,計算一下在A(yíng)l2O3基板上,這種常規排列的芯片的溫度分布如何?從圖6可以看到,芯片的最高溫度為88.5oC(在LED1串中),最低溫度為75oC(在LED3串中),這樣在這組COB基板上的不同芯片之間就存在13.5oC的溫差,這將導致他們的壽命不同。

  我們從溫度分布圖(圖6)可以想到一種更合理的芯片排列圖,就是把LED1串中高功耗的芯片盡量排在溫度低外圈,LED3串低功耗的芯片排在溫度高的內圈,同時(shí)要考慮芯片排列要滿(mǎn)足圖1電源設計的要求,因此我們有了如圖7所示的更合理排列。同樣,我們計算了在A(yíng)l2O3基板上,這種排列的溫度分布(圖8.),結果表明:芯片的最高溫度為83.3oC(在LED1串中),最低溫度為74.9oC(在LED3串中),所以這組COB基板上的不同芯片之間就存在8.4度的溫差,比常規排列降低了5°。

【專(zhuān)業(yè)分析】LED行業(yè)封裝熱點(diǎn)之COB散熱技術(shù)

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  那么我們來(lái)看看這兩種排列在不同的基板上會(huì )有什么影響?表2列出了陶瓷基板(Al2O3,AlN),金屬基板(鋁基板,銅基板)主要參數。其中金屬基板的參數參見(jiàn)Bergquist公司金屬基板MP-06503模擬結果參見(jiàn)表3及圖9~14。

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【專(zhuān)業(yè)分析】LED行業(yè)封裝熱點(diǎn)之COB散熱技術(shù)   上面分析的都是針對芯片分布區域為5mmx5mm,由于熱源比較集中,會(huì )導致芯片溫度比較高,如果我們把芯片排滿(mǎn)整個(gè)Al2O3基板10mmx10mm的區域,芯片的溫度會(huì )如何?圖15給出了芯片按常規排列,分布區域為10mmx10mm的分布圖。然后把這個(gè)基板放在同圖5同樣的環(huán)境中模擬,可以得到溫度分布圖(如圖16所示)。然后把這兩種不同分布區域的結果列入表4。從表4我們可以看到,芯片分布區域10mmx10mm相對于分布區域5mmx5mm的溫度分布得到大大的改善。


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