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基于PT4201控制芯片的離線(xiàn)式LED射燈設計方案

作者: 時(shí)間:2013-11-17 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
rgin: 10px; font-family: Arial, Helvetica, sans-serif; font-size: 14px; line-height: 26px; background-color: rgb(255, 255, 255); ">  當LED負載發(fā)生短路時(shí),光耦發(fā)光管兩端電壓等于輸出電壓,由于輸出功率很小因此整個(gè)系統工作是安全的。當采樣電阻發(fā)生短路時(shí),由于光耦發(fā)光管兩端電壓為零,發(fā)光管不導通導致FB電壓快速爬升到保護閾值。在Rosc為100Kohm情況下,過(guò)32mS后將自動(dòng)關(guān)閉。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/222173.htm

  工作頻率設定:

  的Rosc引腳為設定PWM頻率提供了方便,用一個(gè)電阻接在Rosc引腳和GND之間可以對PWM頻率進(jìn)行設定(圖4)。PWM頻率與設定電阻之間的關(guān)系遵循以下關(guān)系:Fosc=6500/Rosc.FOSC單位KHz,Rosc單位Kohm.

基于PT4201控制芯片的離線(xiàn)式LED射燈設計方案

  圖4工作頻率設定

  在正常工作時(shí)會(huì )周期性地改變PWM工作頻率進(jìn)行頻率抖動(dòng),周期性改變的頻率把EMI傳導干擾擴展到更寬的頻譜范圍內從而降低了傳導段的EMI干擾。

  電流采樣以及前沿消隱:

  PT4201的CS引腳的功能之一是采樣外部MOSFET電流進(jìn)行電流斜率補償;二是提供逐周期的MOSFET過(guò)流保護功能。PT4201通過(guò)采樣與功率MOSFET串聯(lián)的采樣電阻來(lái)采樣流過(guò)MOSFET的電流,流過(guò)MOSFET的電流在采樣電阻Rcs上轉換成電壓信號,CS上電壓和FB電壓共同決定了PWM脈沖占空比。

  在PWM每個(gè)導通周期當CS引腳的電壓超過(guò)內部門(mén)限電壓時(shí)MOSFET將立即被關(guān)掉防止過(guò)流對器件的損傷。過(guò)流門(mén)限電壓與MOSFET的電流可由以下關(guān)系確定:IOC=Voc/Rcs

  其中IOC為MOSFET電流,Voc為過(guò)流門(mén)限電壓,Rcs為采樣電阻大小。內部過(guò)流的門(mén)限值與PWM占空比大小有關(guān),當PWM占空比為0時(shí),過(guò)流門(mén)限值為0.80V.

基于PT4201控制芯片的離線(xiàn)式LED射燈設計方案

  圖5省略RC濾波器

  由于變壓器副繞組整流電路反向恢復時(shí)間以及初級繞組寄生電容等因素影響,在每一個(gè)PWM周期開(kāi)啟瞬間會(huì )在采樣電阻上產(chǎn)生一個(gè)持續時(shí)間很短的尖峰電壓。為此PT4201會(huì )在MOSFET開(kāi)啟后屏蔽CS采樣輸入一段時(shí)間TBLK,在這段時(shí)間內,過(guò)流保護被關(guān)閉不會(huì )關(guān)掉外部MOSFET.這樣可以避免MOSFET開(kāi)啟瞬間在采樣電阻上產(chǎn)生的電壓毛刺而造成誤動(dòng)作。PT4201提供的這種功能可以省去電流采樣電路所需的RC濾波器(圖5)?! DD過(guò)壓保護

  當系統發(fā)生嚴重故障時(shí),例如對于光耦開(kāi)路或者反饋開(kāi)路的情況,光耦輸出電流接近零致使FB端電壓上升。FB電壓上升將會(huì )使PT4201工作在過(guò)流保護狀態(tài),因為有多余的電流供給負載,如果超出了負載所需電流大小會(huì )使輸出電壓迅速爬升。由于輔助繞組的電壓與輸出電壓成一定的比例,輸出電壓升高引起輔助繞組電壓升高進(jìn)而使VDD電壓升高,當PT4201檢測到VDD引腳電壓達到過(guò)壓保護點(diǎn)時(shí)會(huì )關(guān)閉PWM.當OVP被觸發(fā)時(shí)由于沒(méi)有能量供給負載及輔助繞組,VDD電壓和輸出電壓下降,當降低到OVP解除電壓時(shí)將重新開(kāi)啟正常工作。這時(shí)如果故障解除則正常工作,如果故障依然存在將重新進(jìn)入OVP保護狀態(tài)(圖6)。

基于PT4201控制芯片的離線(xiàn)式LED射燈設計方案

  圖6VDD過(guò)壓保護

  OUT輸出驅動(dòng):

  PT4201的OUT腳用來(lái)驅動(dòng)功率MOSFET的柵極。優(yōu)化設計圖騰柱形式輸出的驅動(dòng)能力使驅動(dòng)強度和EMI得到良好的折衷。同時(shí),OUT的輸出高電位被限制到了18V,從而可以保護由于VDD升高可能對MOSFET造成的損傷。內部OUT和GND之間有一個(gè)電阻,可以在芯片不工作時(shí)將外部MOSFET的柵極可靠置為0電位。

  PT4201的E273W離線(xiàn)式射燈設計方案

  PT4201的E273W離線(xiàn)式射燈設計方案應用線(xiàn)路是典型的反激式的拓撲結構,采用副邊反饋(即光耦反饋),以提高輸出電流精度。相比于原邊反饋電路電流精度+-5%,副邊反饋的電路精度在+-2%以?xún)?,成本只增加?.3RMB,但卻給大批量生產(chǎn)時(shí)提供了便利。

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  圖7PT4201的E273W離線(xiàn)式射燈電路圖

  3WE27的應用一般負載接3顆1W的LED,每顆LED的VF在3.4V+-0.2V左右。一般電流為300mA-350mA.工作原理如圖7所示,AC85V-265V交流電輸入,通過(guò)L1(相當于一個(gè)保險絲,抗浪涌)后接入整流橋,從整流橋出來(lái)的電壓大約為1.4XVin,電流1A左右。C1是一個(gè)濾波電容,電容值的選擇大約是負載功率的1-3倍即可,此處3W的應用采用4.7uF的電容,如選擇太小的會(huì )導致紋波大,選擇太大的空間又不允許。PT4201的VDD端一開(kāi)始由R4降壓后供電,18V啟動(dòng),啟動(dòng)之后就通過(guò)變壓器輔助繞組供電,電壓在9-27V之間。R1、C3和D2是一個(gè)RCD吸收回路,用來(lái)吸收Q1開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的尖峰。減小R1,可以提高吸收效果,但是會(huì )導致系統效率降低,建議采用折衷的方式。PT4201的RI端所接電阻R7是用來(lái)設定開(kāi)關(guān)頻率的,此處把頻率設定在65kHz.PT4201的CS端連接采樣電阻R8、R9,設置電流。變壓器是一個(gè)重要的部件,采用反激式的拓撲結構,當Q1關(guān)斷時(shí),變壓器5、6斷導



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