基于51單片機的萬(wàn)用表設計
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萬(wàn)用表是電氣、電子行業(yè)中常用的儀器之一，本文通過(guò)對MCS-51單片機進(jìn)行電路及軟件開(kāi)發(fā)，實(shí)現電阻、電感、電容的精確測量，同時(shí)利用DDS芯片發(fā)生任意頻率波形。其系統整體結構框圖如圖1所示。
單片機取得按鍵值，從而判斷工作模式，具體測量不同類(lèi)型由硬件或軟件選通相應電路。
電阻：被測電阻與內部已知電阻串聯(lián)，測其公共端電壓與兩電阻總電壓。
電容：采用被測電阻與內部已知電阻構成RC CMOS振蕩器，記錄其頻率通過(guò)C=l／πRf求得(C：電容值，R：電阻值，f：頻率值)。
電感：利用被測電感與內部已知電容構成LC振蕩電路，記錄其頻率通過(guò)
求得(f：頻率值，L：電感值，C：電容值)。
頻率：將被測信號接入單片機單位時(shí)間內脈沖個(gè)數，以計算頻率值f=m／t(f：頻率值，m：脈沖個(gè)數，t：時(shí)間)。
信號發(fā)生：采用DDS芯片AD9850芯片。通過(guò)單片機控制其頻率及相位。
數據儲存：采用24C04 E2PROM進(jìn)行數據的存儲，實(shí)現數據調回。
2 電阻測量模塊
2．1 電阻測量模塊設計
如圖2所示，基于A(yíng)D芯片PCF8591的4路8位AD中的一路。由于此為8位AD，被測電阻Rx與Ro之間有Ro／256Rx256Ro，隨本系統采用雙檔位的電阻測量。電路中R0有兩個(gè)值，R01=30kΩ其測量范圍為118Ω到7．68MΩ。Ro2=100 Ω其測量范圍為0．3 Ω到25．6kΩ。Q1、Q2完成大小量程自動(dòng)切換。
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