日本新技術(shù)實(shí)現磁盤(pán)記錄密度和容量增長(cháng)

山形富士通、富士通研究所、神奈川科學(xué)技術(shù)研究院（KAST）光科學(xué)重點(diǎn)研究所室益田研究小組共同努力，成功地以25nm間隔在氧化鋁上以一維方式排列出了納米孔（發(fā)布資料）。納米孔是通過(guò)陽(yáng)極氧化形成的。不僅有望實(shí)現記錄密度達1Tbit/平米英寸的磁記錄，還能將硬盤(pán)磁記錄介質(zhì)的記錄容量提高到現有產(chǎn)品的5倍以上。
       在1月7日于美國巴爾的摩舉行的磁技術(shù)國際會(huì )議“JointMMM/Intermag Conference（MMM-Intermag 2007）”上對該技術(shù)進(jìn)行了詳細發(fā)表。此次開(kāi)發(fā)的技術(shù)是一項旨在實(shí)現Tbit級垂直磁記錄介質(zhì)的基礎性研究，是受日本科學(xué)技術(shù)振興機構（JST）的委托作為創(chuàng )新技術(shù)開(kāi)發(fā)研究項目而實(shí)施的。研究時(shí)間自2004年至2006年度，共歷時(shí)3年。
可增加硬盤(pán)記錄密度的垂直磁記錄的研發(fā)工作早已進(jìn)入實(shí)用化階段。業(yè)內認為今后為了實(shí)現密度更高的磁記錄，需要采用以人工方式對磁性材料進(jìn)行規則排列、稱(chēng)為“晶格介質(zhì)（Patterned Media）”的記錄介質(zhì)。眾所周知，由鋁經(jīng)過(guò)陽(yáng)極氧化而成的氧化鋁存在大量納米級的納米孔。通過(guò)在這些納米孔中填充磁性金屬，就有望實(shí)現晶格介質(zhì)。
       不過(guò)，氧化鋁中的納米孔有一個(gè)特點(diǎn)，它會(huì )以自生方式形成蜂窩狀的六方形致密結構，因此不適合沿圓周方向進(jìn)行磁記錄的硬盤(pán)。因而該研究小組于2005年6月開(kāi)發(fā)了先在鋁表面以直線(xiàn)狀形成凹凸圖案，再對氧化鋁納米孔進(jìn)行一維排列的手法（發(fā)布資料）。但當時(shí)的一維排列間隔最小只有45nm。此次通過(guò)對陽(yáng)極氧化條件進(jìn)行優(yōu)化，在凹部?jì)刃纬呻p列納米孔，從而縮小了間隔。即使是間隔接近電子束繪制極限的50nm間隔的凹凸線(xiàn)也能在寬25nm的凹部?jì)蓚刃纬杉{米孔列，從而實(shí)現了25nm間隔。
      除此之外，還在填充了磁性體的納米孔磁性層（納米孔為隨機排列）下方，形成了用于將磁束向記錄層集中的軟磁性底膜，并成功地利用垂直磁記錄頭進(jìn)行了記錄和讀取。今后準備制作以25nm間隔沿圓周方向排列納米孔，并且含有軟磁性底膜的記錄介質(zhì)，力爭實(shí)現1Tbit/平米英寸級的記錄與讀取。