限制MOSFET的開(kāi)關(guān)速度因素

我們知道MOSFET的開(kāi)關(guān)速度相對于三極管已經(jīng)有相當大的改善，可以達到數百K，甚至上M；但我們想想，當我們需要MOSFET有更高的開(kāi)關(guān)速度，更小的損耗時(shí)，限制MOSFET的開(kāi)關(guān)速度有哪些因素在作怪呢？

1、MOSFET的G極驅動(dòng)電阻引起的延時(shí)

　　2、PCB Layout引起的寄生電感影響驅動(dòng)電流

　　3、MOSFET封裝本身引起的ESR與ESL

　　4、MOSFET的米勒效應

　　但是MOSFET開(kāi)關(guān)頻率越高，EMC越難處理。

　　頻率一高，LAYOUT就要注意。D也要加磁珠了。

　　1.驅動(dòng)電阻可以反并二極管

　　2.增大驅動(dòng)電阻，EMC會(huì )表現稍好一點(diǎn)。這個(gè)是經(jīng)過(guò)驗證了的。

　　3.驅動(dòng)電流不是問(wèn)題，現在就3842那么老的都有1A。專(zhuān)業(yè)芯片就更不用說(shuō)了。

　　4.自己做驅動(dòng)電路用變壓器其實(shí)很簡(jiǎn)單的。也很便宜。老板也會(huì )很高興。

　　5.MOSFET本身的結電容啥的那是沒(méi)得改了，出廠(chǎng)的時(shí)候就定下來(lái)了。只有認命了，要不就換大廠(chǎng)牌的，但是價(jià)格又上去了。這里面需要權衡。誰(shuí)都想用RDS小的COOLMOS啊。有時(shí)候卻要考慮成本。其實(shí)用COOLMOS可以適當減小發(fā)熱，散熱器減小，效率提高，也可以省一點(diǎn)成本的。

　　6.米勒電容，沒(méi)辦法啊。

　　7.LAYOUT的時(shí)候盡量走短一點(diǎn)。如果是鋁基板散熱就很好兼顧這點(diǎn)。如果是用散熱片，從變壓器,PWM IC到主MOSFET還是有一段距離的，頻率一兩百K看不出來(lái)，但是頻率幾百K的時(shí)候就郁悶了。

　　高壓功率器件速度越來(lái)越快，最早的SCR/BJT速度是大約4~20微秒開(kāi)關(guān)速度；后來(lái)BJT/IGBT提高到150納秒左右，現在實(shí)際可以達到8納秒水平。在不久將來(lái)；會(huì )達到1納秒左右。

　　驅動(dòng)要求也越來(lái)越高；僅以驅動(dòng)線(xiàn)長(cháng)為例，早期的驅動(dòng)線(xiàn)沒(méi)啥特別要求；只要雙絞就基本夠用了。后來(lái)的高速I(mǎi)GBT/FET的柵線(xiàn)；除雙絞外；長(cháng)度被限制在10CM以?xún)?。從現在的測試看；要求未來(lái)的高速器件的驅動(dòng)線(xiàn)被限制在1CM以?xún)取?BR>
　　就這驅動(dòng)線(xiàn)長(cháng)的問(wèn)題；估計大多數工程師只是經(jīng)驗所談；沒(méi)多少人能從理論上說(shuō)清楚而自覺(jué)的設定工程參數。

　　理論的缺乏和經(jīng)驗口口相傳的不確定性；直接拖了應用后退。找各種理由去解釋?zhuān)烤蜕厦嫣岢龅募僭O；多是出自于此。