MEMS光開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢有發(fā)展動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)介

摘要 本文介紹了基于MEMS(微電子機械系統)技術(shù)的光開(kāi)關(guān)的技術(shù)優(yōu)勢及主要制造商情況，并概要分析了MEMS技術(shù)的應用領(lǐng)域。

　　關(guān)鍵詞 MEMS，MOEMS，光開(kāi)關(guān)，表面犧牲層

1.概述

　　微電子機械系統（MEMS）就是將幾何尺寸或操作尺寸僅在微米、亞微米甚至納米量級的微機電裝置（如微機構、微驅動(dòng)器等）與控制電路高度集成在硅基或非硅基材料上的一個(gè)非常小的空間里，構成一個(gè)機電一體化的器件或系統。MEMS器件具有體積小、重量輕、能耗低、慣性小、響應時(shí)間短，可把多個(gè)不同功能、不同敏感方向或致動(dòng)方向的微機構大規模地集成在一起，并且可以通過(guò)微電鑄的方法進(jìn)行批量復制和大規模生產(chǎn)。

　　MEMS加工技術(shù)主要分為三類(lèi)：非硅基材料上以X光深度光刻的LIGA技術(shù)；硅基或非硅基材料上的精密機械刻劃技術(shù)；在半導體集成電路技術(shù)之上發(fā)展起來(lái)的硅MEMS加工技術(shù)。

　　硅MEMS加工技術(shù)最早出現于二十世紀六十年代，所采用的主要技術(shù)是單晶硅各向異性腐蝕技術(shù)（體硅微機械），其代表產(chǎn)品是硅壓力傳感器。八十年代美國率先開(kāi)發(fā)出以多晶硅為結構層、二氧化硅為犧牲層的表面犧牲層技術(shù)（表面微機械），并開(kāi)發(fā)出微硅靜電馬達，使得MEMS技術(shù)得到質(zhì)的飛躍發(fā)展。表面微機械加工技術(shù)與半導體集成電路技術(shù)最為相近，其主要特點(diǎn)是在薄膜淀積的基礎上，利用光刻、刻蝕等集成電路常用工藝制備微機械結構，最終利用選擇腐蝕技術(shù)釋放結構單元，獲得可微動(dòng)結構。進(jìn)入九十年代，隨著(zhù)深槽刻蝕技術(shù)、鍵合技術(shù)及其它關(guān)鍵技術(shù)的成功應用，體硅微機械又得到了飛速發(fā)展，并發(fā)展出多種體硅工藝與表面微機械工藝相互結合的新工藝。特別是開(kāi)發(fā)出利用感應耦合等離子體（ICP）和側壁鈍化（SPP）的先進(jìn)硅刻蝕工藝（ASE），可對硅材料進(jìn)行很大深寬比的三維微加工，其加工厚度可達幾百微米，側壁垂直度可接近九十度。這使得MEMS技術(shù)不僅在傳感器領(lǐng)域的應用得到迅速發(fā)展，而且在光纖通信、微型化學(xué)分析系統、DNA分析及微型機器人等領(lǐng)域的應用研究也得到空前發(fā)展。

　　光纖通信在實(shí)現了高速、大容量點(diǎn)對點(diǎn)的傳輸后，上世紀末已進(jìn)入了光纖網(wǎng)絡(luò )時(shí)代。MEMS在光纖通信領(lǐng)域的應用范圍十分寬廣，幾乎所有光網(wǎng)絡(luò )中的各個(gè)組成單元都能采用MEMS制作器件，并由此產(chǎn)生了一個(gè)新名詞：微光電子機械系統（MOEMS），它是機、電、光、磁、化學(xué)、自動(dòng)控制、傳感技術(shù)與信息處理等多種技術(shù)的綜合。綜觀(guān)光纖通信器件的發(fā)展歷程，可以看出器件的發(fā)展趨勢為：塊狀堆集型?光纖型?MOEMS型?集成型。前兩種已經(jīng)形成產(chǎn)業(yè)化，并正在向小型化方向發(fā)展。在目前集成型器件還不十分成熟的情況下，MEMS（或MOEMS）型光器件已出現了商業(yè)化的產(chǎn)品。利用MEMS技術(shù)可以制作光纖通信傳輸網(wǎng)中的許多器件，如：光分插復用器（OADM）、光交叉連接開(kāi)關(guān)矩陣（OXC-AS）、光調制器、光濾波器、波分復用解復用器、可調諧微型垂直腔表面發(fā)射半導體激光器（VCSEL）、可變光衰減器、增益均衡器及用于光路分配和耦合的微透鏡陣列等多種微型化光器件。

2.MEMS光開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢

　　MEMS技術(shù)在光纖通信網(wǎng)絡(luò )中的一個(gè)重要應用就是利用微動(dòng)微鏡制作光開(kāi)關(guān)矩陣，微動(dòng)微鏡可以采用上下折疊方式、左右移動(dòng)方式或旋轉方式來(lái)實(shí)現開(kāi)關(guān)的導通和斷開(kāi)功能。MEMS技術(shù)制作的光開(kāi)關(guān)是將機械結構、微觸動(dòng)器和微光元件在同一襯底上集成，結構緊湊、重量輕，易于擴展。它比機械式光開(kāi)關(guān)和波導型光開(kāi)關(guān)具有很好的性能，如：低插損、小串音、高消光比、重復性好、響應速度適中，與波長(cháng)、偏振、速率及調制方式無(wú)關(guān)，壽命長(cháng)、可靠性高，并可擴展成大規模光交叉連接開(kāi)關(guān)矩陣。

　　MEMS光開(kāi)關(guān)有2D(二維)數字和3D(三維)模擬兩種結構。在2D結構中，所有微反射鏡和輸入輸出光纖位于同一平面上，通過(guò)靜電致動(dòng)器使微鏡直立和倒下或使微鏡以“翹翹板”的方式處于光路和彈出光路的工作方式來(lái)實(shí)現“開(kāi)”和“關(guān)”的功能，如圖1所示，所以2D結構又稱(chēng)為數字型。一個(gè)N′N(xiāo)的2D光開(kāi)關(guān)需要N2個(gè)微反射鏡，2D結構的優(yōu)點(diǎn)是控制簡(jiǎn)單，缺點(diǎn)是由于受光程和微鏡面積的限制，交換端口數不能做得很大。在3D結構中，所有微反射鏡處于相向的兩個(gè)平面上，通過(guò)改變每個(gè)微鏡的不同位置來(lái)實(shí)現光路的切換，如圖2所示。一個(gè)N′N(xiāo)的3D光開(kāi)關(guān)只需要2N個(gè)微反射鏡，但每個(gè)微反射鏡至少需要N個(gè)可精確控制的可動(dòng)位置，所以3D結構又稱(chēng)為模擬型。與2D結構相反，3D結構的優(yōu)點(diǎn)是交換端口數能做得很大，可實(shí)現上千端口數的交換能力，缺點(diǎn)是控制機理和驅動(dòng)結構相當復雜，控制部分的成本很高。

　　MEMS光開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢體現在性能、功能、規模、可靠性和成本等幾個(gè)方面。在關(guān)鍵的性能指標如插入損耗、波長(cháng)平坦度、PDL（偏振相關(guān)損耗）和串擾方面，MEMS技術(shù)能達到的性能可與其他技術(shù)所能達到的最高性能相比。比如基于MEMS技術(shù)制作的2×2光開(kāi)關(guān)模塊的插入損耗可達0.4dB，PDL小于0.1dB，串擾小于-70dB。在功能方面，微鏡具有可靠的閉鎖功能，能夠保證光路切換的準確性。在規模方面，采用2D結構的MEMS光開(kāi)關(guān)已有64′64的商用產(chǎn)品，采用3D結構的MEMS光開(kāi)關(guān)也有上千端口數的樣品，從而使構建中等規模和大規模光纖網(wǎng)絡(luò )節點(diǎn)成為可能。在可靠性方面，單晶硅極好的機械性能可使制成的器件能夠抗疲勞，由于單晶硅中沒(méi)有位錯，所以從本質(zhì)上它不會(huì )產(chǎn)生疲勞，是一種完美的彈性材料。MEMS光開(kāi)關(guān)的壽命已超過(guò)3800萬(wàn)次，并且在溫度循環(huán)、沖擊、振動(dòng)和長(cháng)期高溫貯存等可靠性指標方面，均滿(mǎn)足Telcordia GR-1073-Core標準。在成本方面，MEMS光開(kāi)關(guān)為降低系統成本提供了多種可能，MEMS芯片的功能度使得更低成本的網(wǎng)絡(luò )設置和架構以及光纖層的保護成為可能。MEMS尺寸小和功耗低的特性使得系統的外形可以縮小，節省了中繼器和終端節點(diǎn)占用的地盤(pán)。MEMS器件的單批產(chǎn)量很高，經(jīng)濟性好，而且器件與器件之間重復性好。執行器與光器件集成在單個(gè)芯片上，可以在一個(gè)硅片上重復多次，從而可以提供價(jià)格更低的光器件。這些在成本方面的節約將使器件價(jià)格下降，最終降低設備和營(yíng)運成本。

3.發(fā)展動(dòng)態(tài)

　　盡管率先將MEMS光開(kāi)關(guān)商用化的OMM公司在今年（2003）3月因最后獲得資金的希望破滅而暫時(shí)關(guān)閉，去年（2002）Onix關(guān)門(mén)、IMMI轉向以及采用3D-MEMS技術(shù)曾研制出1152′1152光開(kāi)關(guān)的Xros前年（2001）被Nortel收購。目前仍有不少的機構（包括Dicon、Luncent、Jdsu、Nortel等）在進(jìn)行MEMS光開(kāi)關(guān)的應用開(kāi)發(fā)。 目前全球有60家左右的MEMS制造工廠(chǎng)，上百家MEMS領(lǐng)域的新興公司以及更多的大學(xué)和研究機構。世界領(lǐng)先的Coventor公司的MEMS 計算機輔助設計（CAD）軟件工具，目前全球的用戶(hù)已超過(guò)300家。除MEMS光開(kāi)關(guān)外，據筆者不完全統計，目前擁有MEMS技術(shù)設備并能提供相關(guān)光器件的公司主要有：JDSU、Santec、Memscap、Intpax、Umachines、Baynet、Avanex、Agere、InLight、Bandwidth9、Fujitsu、Go4fiber、lucent、networkelements、nortel、Olympus、NetworkPhotonics、Siemens、Teraoptix、Finisar、MCI、chromux、AXSUN、MegaSense、Sercalo、Molecular、Bookham、LIGHTech、Dicon、Lightconnect、Cypress、Novera等。最近Fujitsu宣布將發(fā)展一項采用MEMS技術(shù)的80通道的光開(kāi)關(guān)，其切換速度將是1微秒，這是截至目前多通道光開(kāi)關(guān)的最高切換速度。此外，日本Olympus也開(kāi)始進(jìn)行MEMS研發(fā)部門(mén)新的整合計劃，其計劃不僅包括可變光衰減器、光MEMS開(kāi)關(guān)等光通信MEMS芯片，而且還包括設計、制造和封裝用于光網(wǎng)絡(luò )、生物、醫藥和工業(yè)用途的MEMS產(chǎn)品。目前，全球已有數十家公司將MEMS技術(shù)作為光器件的基本開(kāi)發(fā)技術(shù)，現已有的產(chǎn)品包括光開(kāi)關(guān)、可變光衰減器、可調濾波器、可調激光器、共振腔探測器、增益均衡器、調制器及光斬波器等。據市場(chǎng)調研公司CIR預測：光MEMS市場(chǎng)將從2003年的5.6億美元增加到2007年的17億美元，其中，基于MEMS的小型光開(kāi)關(guān)將取代傳統的機械式光開(kāi)關(guān)，而依賴(lài)光MEMS構建的設備的實(shí)際市場(chǎng)總額則將達到數十億美元。

4.結語(yǔ)

　　全球光纖通信市場(chǎng)在經(jīng)歷了近三年的冬眠期之后，隨著(zhù)朗訊市場(chǎng)份額的好轉和市值的抬頭，使人們重新燃起了春天的希望。盡管近年來(lái)MEMS光器件制造商風(fēng)云變幻，潮起潮落，但MEMS技術(shù)的應用領(lǐng)域不僅僅是光通信，依然保持著(zhù)強勁的生命力。以其研究方向多元化、加工工藝多樣化、系統單片集成化、制造與封裝統一化、應用領(lǐng)域全面化為標志的固有特征和先天優(yōu)勢，必將在通信、導航、傳感、醫用、交通、航空航天等軍事和民用領(lǐng)域得到廣泛的推廣和應用。

參考文獻

1.Chen R T.,Nguyen H etal., A low voltage micromachined optica switch by stress-induced bending, [C].Proceedings of 12th IEEE internation Micro Electro Mechanical System Conference, Orlando, p424-428， 1999

2.M.C. Wu, L.-Y. Lin, S.-S. Lee, and K.S.J. Pister, Micromachined free-space integrated micro-optics, Sensors and Actuators A, 50(1-2), p79-86 ,1995

3.J. -Y. Gill, L. V. Ngo, P. R. Nelson, C. -J. Kim, Elimination of extra spring effect at the step-up anchor of surface-micromachined structure, Journal of Microelectromechanical Systems, vol.7, no.1, p114-121, 1998