砷化鎵金屬-半導體場(chǎng)效應管

砷化鎵（GaAs）是由化學(xué)元素周期表中Ⅲ族元素鎵和Ⅴ族元素砷二者組成的單晶化合物，因此，它又叫做Ⅲ-Ⅴ化合物，是一種新型半導體材料。它的特性與周期表中Ⅳ族元素硅類(lèi)似，但重要的差別之一是，GaAs的電子遷移率比硅約大5~10倍。用GaAs制造有源器件時(shí)，具有比硅器件快得多的轉換速度（例如在截止、飽和導通間變化）。高速砷化鎵三極管正被用于微波電路、高頻放大和高速數字邏輯電路中。

由砷化鎵制造的場(chǎng)效應管叫做金屬-半導體場(chǎng)效應管（MES-FET），它具有速度高等優(yōu)點(diǎn)，應用廣泛。

其中常數l叫做溝道長(cháng)度調制參數，通常在（0.05 ~ 0.2）V–1范圍，N溝道MESFET器件VP的典型值是（–0.5 ~ –2.5）V。常數K的單位為mA/V2。