結型場(chǎng)效應管

4.1.1 結型場(chǎng)效應管的結構與工作原理

一、結型場(chǎng)效應管的結構

如圖1(a)所示，在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P+區,就形成兩個(gè)不對稱(chēng)的P+N結，即耗盡層。把兩個(gè)P+區并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極g，稱(chēng)為柵極，在N型半導體的兩端各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為源極s和漏極d。它們分別與三極管的基極b、發(fā)射極e和集電極c相對應。夾在兩個(gè)P+N結中間的N區是電流的通道，稱(chēng)為導電溝道（簡(jiǎn)稱(chēng)溝道）。這種結構的管子稱(chēng)為N溝道結型場(chǎng)效應管，它在電路中用圖1(b)所示的符號表示，柵極上的箭頭表示柵-源極間的P+N結正向偏置時(shí)，柵極電流的方向（由P區指向N區）。

N溝道JFET的結構剖面圖

rd反映了漏-源電壓vDS對iD的影響。在飽和區內，iD幾乎不隨vDS而變化，因此，rd數值很大，一般為幾十千歐~幾百千歐。

（6）. 極間電容Cgs、Cgd、Cds

Cgs是柵-源極間存在的電容，Cgd是柵-漏極間存在的電容。它們的大小一般為1~3pF，而漏-源極間的電容Cds約為0.1~1pF。在低頻情況下，極間電容的影響可以忽略，但在高頻應用時(shí)，極間電容的影響必須考慮。

（7）. 最大漏-源電壓V(BR)DS

指管子溝道發(fā)生雪崩擊穿引起iD急劇上升時(shí)的vDS值。V(BR)DS的大小與vGS有關(guān)，對N溝道而言，|vGS|的值越大，則V(BR)DS越小。

（8）. 最大柵-源電壓V(BR)GS

指柵-源極間的PN結發(fā)生反向擊穿時(shí)的vGS值，這時(shí)柵極電流由零而急劇上升。

（9）. 漏極最大耗散功率PDM

漏極耗散功率PD(=vDSiD)變?yōu)闊崮苁构茏拥臏囟壬?，為了限制管子的溫度，就需要限制管子的耗散功率不能超過(guò)PDM。PDM的大小與環(huán)境溫度有關(guān)。

除了以上參數外，結型場(chǎng)效應管還有噪聲系數，高頻參數等其他參數。結型場(chǎng)效應管的噪聲系數很小，可達1.5dB以下。