半導體BJT

共基直流電流放大系數為 。

3．特征頻率fT：當考慮BJT的結電容影響時(shí)，BJT的電流放大系數b 隨工作頻率f 的升高而下降。當b下降為1時(shí)所對應的信號頻率為特征頻率fT。

三、極限參數

1．集電極最大允許電流ICM

ICM是指BJT的參數變化不超過(guò)允許值時(shí)集電極允許的最大電流。

2．集電極最大允許功率損耗PCM

PCM表示集電結上允許損耗功率的最大值。超過(guò)此值就會(huì )使管子性能變壞或燒毀。

PCM= iCvCE

3．反向擊穿電壓

① V（BR）EBO

V（BR）EBO是指集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。

② V（BR）CBO

V（BR）CBO是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極-基極間的反向擊穿電壓。

③ V（BR）CEO

V（BR）CEO是指基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。V（BR）CEO V（BR）CBO。

各擊穿電壓大小之間有如下的關(guān)系：

V（BR）CBO> V（BR）CES> V（BR）CER> V（BR）CEO