基本的BJT反相器的動(dòng)態(tài)性能
考慮到負載電容CL的影響后基本反相器將成為如下圖所示的電路
。圖中CL包含了門(mén)電路之間的接線(xiàn)電容以及門(mén)電路的輸入電容。
當反相器輸出電壓vO由低向高過(guò)渡時(shí) ,電路由VCC通過(guò)Rc對CL充電。
當vO由高向低過(guò)渡時(shí),CL又將通過(guò)BJT放電。
這樣,CL的充、放電過(guò)程均需經(jīng)歷一定的時(shí)間,這必然會(huì )增加輸出電壓vO波形的上升時(shí)間和下降時(shí)間。特別是CL充電回路的時(shí)間常數RcCL較大時(shí),vO上升較慢,即增加了上升時(shí)間。
基于器件內部和負載電容的影響 ,導致基本BJT反相器的開(kāi)關(guān)速度不高。
尋求更為實(shí)用的TTL電路結構,是下面所要討論的問(wèn)題。
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