晶體管基礎知識

雙極結型三極管相當于兩個(gè)背靠背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發(fā)射極注入基區，其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界，并在反向偏置的 CB 結勢壘電場(chǎng)的作用下到達集電區，形成集電極電流 IC 。在共發(fā)射極晶體管電路中 , 發(fā)射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大部分 的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由于 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個(gè)交變的小電流ib，在集電極電路中將出現一個(gè)相應的交變電流ic，有c/ib=β，實(shí)現了雙極晶體管的電流放大作用。

金屬氧化物半導體場(chǎng)效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場(chǎng)效應，在半導體中感生出導電溝道來(lái)進(jìn)行工作的。當柵 G 電壓 V_G 增大時(shí)， p 型半導體表面的多數載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時(shí)，電子積累層將在 n+ 源區 S 和 n+ 漏區 D 之間形成導電溝道。當 V_DS ≠ 0 時(shí)，源漏電極之間有較大的電流 I_DS 流過(guò)。使半導體表面達到強反型時(shí)所需加的柵源電壓稱(chēng)為閾值電壓 V_T 。當 V_GS>V_T 并取不同數值時(shí)，反型層的導電能力將改變，在相同的 V_DS 下也將產(chǎn)生不同的 I_DS , 實(shí)現柵源電壓 V_GS 對源漏電流 I_DS 的控制。

二、晶體管的命名方法
晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。
按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C為PNP型硅材料；D為NPN型硅材 料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A代表高頻大功率管。

最后面的數字是產(chǎn)品的序號，序號不同，各種 指標略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對于二極管來(lái)說(shuō)，第三位的P代表檢波管；W代表穩壓管；Z代表整流管。上面 舉的例子，具體來(lái)說(shuō)就是PNP型鍺材料低頻小功率管。對于進(jìn)口的三極管來(lái)說(shuō)，就各有不同，要在實(shí)際使用過(guò)程中注意積累資料。
　　常用的進(jìn)口管有韓國的90xx、80xx系列，歐洲的2Sx系列，在該系列中，第三位含義同國產(chǎn)管的第三位基本相同。
三、 常用中小功率三極管參數表,也提供：常用晶體管三極管資料大全

四、用萬(wàn)用表測試三極管
（1） 判別基極和管子的類(lèi)型
選用歐姆檔的R*100（或R*1K）檔，先用紅表筆接一個(gè)管腳，黑表筆接另一個(gè)管腳，可測出兩個(gè)電阻值，然后再用紅表筆接另一個(gè)管腳，重復上述步驟，又 測得一組電阻值，這樣測3次，其中有一組兩個(gè)阻值都很小的，對應測得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是PNP型的；反之，若用黑表筆接一個(gè)管腳，重復上 述做法，若測得兩個(gè)阻值都小，對應黑表筆為基極，且管子是NPN型的。
（2）判別集電極
因為三極管發(fā)射極和集電極正確連接時(shí)β大（表針擺動(dòng)幅度大），反接時(shí)β就小得多。因此，先假設一個(gè)集電極，用歐姆檔連接，（對NPN型管，發(fā)射極接黑表 筆，集電極接紅表筆）。測量時(shí)，用手捏住基極和假設的集電極，兩極不能接觸，若指針擺動(dòng)幅度大，而把兩極對調后指針擺動(dòng)小，則說(shuō)明假設是正確的，從而確定 集電極和發(fā)射極。
（2） 電流放大系數β的估算
選用歐姆檔的R*100（或R*1K）檔，對NPN型管，紅表筆接發(fā)射極，黑表筆接集電極，測量時(shí)，只要比較用手捏住基極和集電極（兩極不能接觸），和把手放開(kāi)兩種情況小指針擺動(dòng)的大小，擺動(dòng)越大，β值越高。