驅動(dòng)電路IR2110的特性及應用

3.2防直通導通延時(shí)電路
對H橋驅動(dòng)電路上下橋臂功率晶體管加互補信號后,由于帶載情況下,晶體管的關(guān)斷時(shí)間通常比開(kāi)通時(shí)間長(cháng),這樣,當下橋臂晶體管未及時(shí)關(guān)斷而上橋臂搶先開(kāi)通時(shí),就會(huì )出現所謂“橋臂直通”故障。這樣會(huì )使橋臂直通時(shí)電流迅速變大,從而造成功率開(kāi)關(guān)損壞。所以設置導通延時(shí)及死區時(shí)間必不可少。IR2110具有一定的死區時(shí)間,其大小為10 ns且不可外調,而實(shí)際使用中,MOSEFT管的關(guān)斷時(shí)間比開(kāi)通時(shí)間有時(shí)還要比10ns大,此時(shí)就需要外加延時(shí)電路來(lái)加大死區時(shí)間,以防止電路直通,圖5給出了一種導通延時(shí)電路及其波形。
導通延時(shí)也可以通過(guò)RC時(shí)間常數來(lái)設置。對GTR,可按0.2μs/A來(lái)設置;而對MOSFET,則可按0.1~0.2μs來(lái)設計,且與電流無(wú)關(guān);IGBT可按2~5μs來(lái)設計。假如GTR的f為5 kHz旦雙極性工作,調寬區域為T(mén)/2=1/10=0.1 ms,此時(shí)若I為100 A,則△t=0.2×100=20μs。這樣PWM調制分辨率的最大可能性為:

這說(shuō)明死區時(shí)間占據了調制周期的1/5,顯然是不可行的。所以,對于100 A的電機系統,GTR的開(kāi)關(guān)頻率必須低于5 kHz。例如,2 kHz以下,此時(shí)的分辨率可達12.5左右。
4結束語(yǔ)
IR2110是一種性能比較優(yōu)良的驅動(dòng)集成電路,它的自舉懸浮驅動(dòng)電源可同時(shí)驅動(dòng)同一橋臂的上、下兩個(gè)開(kāi)關(guān)器件,驅動(dòng)電壓高達500 V,工作頻率為500 kHz,并具有電源欠壓保護關(guān)斷邏輯。IR2110的輸出用圖騰柱結構,驅動(dòng)峰值電流為2 A,同時(shí)兩通道還設有低壓延時(shí)封鎖(50ns)。此外,芯片還有一個(gè)封鎖兩路輸出的保護端SD,在SD輸入高電平時(shí),兩路輸出均被封鎖。IR2110的這些優(yōu)點(diǎn)給實(shí)際系統設計帶來(lái)了極大方便,特別是自舉懸浮驅動(dòng)電源大大簡(jiǎn)化了驅動(dòng)電源設計,因為只用一路電源即可完成上下橋臂兩個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件的驅動(dòng)。但與其它驅動(dòng)集成電路相比,IR2110的保護功能略顯不足,死區時(shí)間不可外調;電路工作在100%占空比信號輸入時(shí),也需要外接電荷泵電路來(lái)維持自舉電容的足夠能量。不過(guò)這些不足在實(shí)際應用中都可以通過(guò)本文所述的拓展應用電路來(lái)進(jìn)行完善和補充。
本文作者已將上述擴展應用電路應用于仿美國APEX公司SAxx系列產(chǎn)品的應用研制中,而且獲得了較好的效果,研制的產(chǎn)品已通過(guò)全部的鑒定檢驗,并通過(guò)了國防科工委組織的鑒定。該成果可在航天和兵器系統中,取代APEX公司的同類(lèi)產(chǎn)品,而且系統工作正常,用戶(hù)比較滿(mǎn)意。
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