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ITO表面處理方法

作者: 時(shí)間:2012-03-13 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
方法

摘 要:不同的會(huì )影響薄膜的光學(xué)和電學(xué)性能,并對整個(gè)OLED器件的效率和壽命產(chǎn)生影響。因此需要通過(guò)表面性能。本文介紹了幾種常用的方法,并對各種處理方法進(jìn)行比較。

1 引言

應用于彩色顯示器的有機發(fā)光器件(OLED)具有優(yōu)秀的圖像質(zhì)量,特別是在亮度以及對比度等方面。近十年來(lái),對OLED的研究得到廣泛的關(guān)注,對未來(lái)的圖像顯示技術(shù)帶來(lái)無(wú)法估量的沖擊。OLED器件的性能與空穴注入過(guò)程有非常密切的關(guān)系,通過(guò)使用錫摻雜氧化銦()做OLED的陽(yáng)極。

ITO具有低電阻率、高可見(jiàn)光率和高紅外光反射率等優(yōu)良特性,已經(jīng)被廣泛應用于固態(tài)平板顯示器件。ITO的導帶主要由In和Sn的55軌道組成,價(jià)帶由氧的2S軌道占主導地位。氧空位及Sn取代摻雜原子,構成施主能級并影響導帶中的載流子濃度。在ITO淀積過(guò)程中,由于薄膜中產(chǎn)生氧空位和Sn攙雜取代,形成高度簡(jiǎn)并的n型半導體。費米能級位于導帶底之上,因而具有很高的載流子濃度及低電阻率。此外,ITO的帶隙較寬,因而ITO薄膜對可見(jiàn)光和近紅外光具有很高的透過(guò)率。但是,由于ITO屬于非化學(xué)計量化合物,噴涂法、真空蒸發(fā)、化學(xué)氣相淀積、反映離子注入以及磁控濺射等沉積方法、沉積條件,以及表面處理方法,都將影響ITO薄膜的性能,導致ITO表面功函數在4~5eV之間變化。目前,ITO玻璃的生產(chǎn)已經(jīng)商業(yè)化,想要改善OLED的性能,需要對ITO的表面進(jìn)行處理,使之適應有機物薄膜。

2 表面處理對ITO表面性能的影響

下面從電學(xué)及表面性質(zhì)兩個(gè)方面,討論ITO表面處理的作用以及對OLED性能的影響。

2.1 表面處理對ITO表面性能的影響

ITO陽(yáng)極是OLED光出射面,粗糙的ITO表面將使光線(xiàn)發(fā)生漫反射,減少出射光的強度,降低OLED的外量子效率。粗糙的ITO表面會(huì )影響OLED的內場(chǎng)分布,ITO表面的局部高場(chǎng)會(huì )加速有機材料老化,從而降低器件的壽命和穩定性。

2.2 表面處理對ITO電性能的影響

OLED是空穴注入限制器件,空穴注入的數目直接影響整個(gè)器件的性能。通過(guò)改變表面的In、O、Sn及表面C污染物的含量,可以提高表面功函數,減小空穴注入的勢壘,提高空穴注入的數目。ITO是n型半導體,由重攙雜的Sn4+以及氧空位提供電子,當減少這兩種成份在表面的含量時(shí)間,表面功函數就會(huì )降低。

3 ITO表面處理方法

常用的ITO表面處理方法有機械拋光處理、酸堿處理、等離子處理及以上各種方法的結合。在進(jìn)行表面處理之前,要對ITO基片進(jìn)行清洗,依次用去離子水、丙酮、無(wú)水醇超聲清洗各30分鐘后,再用純氮氣吹干。下面詳細說(shuō)明各種表面處理方法。

3.1 ITO表面處理方法

固體表面的結構和組成都與內部不同,處于表面的原子或離子表現為配位上的不飽和性,這是由于形成固體表面時(shí)被切斷的化學(xué)鍵造成的。正是由于這一原因,固體表面極易吸附外來(lái)原子,使表面產(chǎn)生污染。因環(huán)境空氣中存在大量水份,所以水是固體表面最常見(jiàn)的污染物。由于金屬氧化物表面被切斷的化學(xué)鍵為離子鍵或強極性鍵,易與極性很強的水分子結合,因此,絕大多數金屬氧化物的清潔表面,都是被水吸附污染了的。在多數情況下,水在金屬氧化物表面最終解離吸附生成OH-及H+,其吸附中心分別為表面金屬離子以及氧離子。

根據酸堿理論,M+是酸中心,O-是堿中心,此時(shí)水解離吸附是在一對酸堿中心進(jìn)行的。在對ITO表面的水進(jìn)行解離之后,再使用酸堿處理ITO金屬氧化物表面時(shí),酸中的H+、堿中的OH-分別被堿中心和酸中心吸附,形成一層偶極層,因而改變了ITO表面的功函數。

3.2 等離子體處理

等離子體通常使用圖3所示的設備進(jìn)行工作。將基片放在底座上,在真空系統中通入不同的混合氣體,并在金屬電極上家射頻電壓將氣體電離,形成等離子體,以非??斓乃俣绒Z擊ITO基片。為了形成較均勻的電場(chǎng),電極采用金屬柵網(wǎng)結構。等離子體的作用通常是改變表面粗糙度和提高功函數。研究發(fā)現,等離子作用對表面粗糙度的影響不大,只能使ITO的均方根粗糙度從1.8nm降到1.6nm,但對功函數的影響卻較大。用等離子體處理提高功函數的方法也不盡相同。氧等離子處理是通過(guò)補充ITO表面的氧空位來(lái)提高表面氧含量的。氧同表面有機污染物反應生成CO2和H2O,去除了表面有機污染物。SF6通過(guò)在ITO表面形成一層含氟層來(lái)提高表面功函數,對粗糙度的改變不明顯。Ar等離子處理是通過(guò)除區在裝載基片過(guò)程中吸附的氧來(lái)清潔ITO表面的。

3.3 機械拋光

用大量Al2O3微粉狀噴丸流高速?lài)娤騃TO表面,借助其動(dòng)能將表面層的微觀(guān)凸起部位削平或壓平,以實(shí)現拋光的目的。此法操作簡(jiǎn)單,表面微觀(guān)型貌良好,無(wú)方向性,主要用于清除表面積污、微觀(guān)凸起及較淺線(xiàn)條,并具有強化表面的作用。但表面粗糙度僅能在原有基礎上略有改善。S。Jung等人發(fā)現,通過(guò)先拋光后退火對ITO進(jìn)行預處理,可改善表面粗糙度及氧含量,使用有機層同ITO接觸接口更加光滑,OLED器件的發(fā)光效率和注入電流均提高了10倍左右,ITO表面的TPD層結晶狀況也有所改變。

3.4 紫外臭氧處理

在真空室中安裝波長(cháng)為253.7nm的低壓水銀燈,將臭氧發(fā)生器和光解臭氧的紫外燈管放在內貼反光鋁薄膜的圓筒內,以提高光能利用率。將3400V高電壓加在臭氧發(fā)生器玻璃管外的金屬網(wǎng)和管內芯柱所構成的兩個(gè)放電電極,當真空室通過(guò)氧氣時(shí),流經(jīng)金屬網(wǎng)的部分氧分子分解成氧原子,并與其它氧分子碰撞產(chǎn)生臭氧分子。通過(guò)紫外線(xiàn)直接對有機物作用使有機物分解,這樣不僅在表面形成了一層富氧層,而且去除了表面的碳污染。各種表面處理方法的比較如表1所示。

表 1 各種表面處理方法的比較

表面處理方法

面阻(Ω/□)

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