; -webkit-text-stroke-width: 0px"> 通過(guò)前記圖3中介紹的片狀鐵氧體磁珠阻抗頻率特性可以看出,阻抗值以400-500MHz范圍為界開(kāi)始減少。這是由于片狀磁珠的結構所帶來(lái)的影響。一般來(lái)說(shuō),電感器的阻抗會(huì )隨著(zhù)頻率的上升而逐步增大。然而,如圖5所示,普通的片狀鐵氧體磁珠內部在繞線(xiàn)始端(入口)和終端(出口)附近會(huì )存在相互較為接近的部位。由于這個(gè)部分會(huì )發(fā)生靜電耦合(存在一個(gè)微型電容的狀態(tài)),高頻電流通過(guò)這里時(shí)會(huì )出現不容易受電感器阻抗影響的情況。由于頻率越高,靜電耦合部分越容易通過(guò),因此頻率越高所顯示的阻抗也就越低。
為了解決這一問(wèn)題,就需要對繞線(xiàn)始端與終端接近這一構造進(jìn)行改善。圖6就是為了改善高頻特性而對片狀鐵氧體磁珠的內部結構進(jìn)行了調整的一例。通常,片狀鐵氧體磁珠的導體線(xiàn)圈的軸是垂直方向的(也就是縱向繞線(xiàn)),而改良了高頻特性的磁珠的導體線(xiàn)圈的軸則是水平方向的。通過(guò)這一改動(dòng),增大了線(xiàn)圈繞線(xiàn)始端與終端之間的距離,阻抗開(kāi)始減少的起始頻率就得到了大幅度提高。

除上述以外,片狀鐵氧體磁珠還有大電流型、小型化等各種不同的規格,用戶(hù)可以從中選擇最適合自己用途的產(chǎn)品。
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