模擬電路基礎知識系列之二：半導體三極管

一. 三極管的結構、類(lèi)型及特點(diǎn)
1.類(lèi)型---分為NPN和PNP兩種。
2.特點(diǎn)---基區很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區摻雜濃度很高，與基區接觸
面積較??；集電區摻雜濃度較高，與基區接觸面積較大。
二. 三極管的工作原理
1. 三極管的三種基本組態(tài)

3. 共射電路的特性曲線(xiàn)
*輸入特性曲線(xiàn)---同二極管。

* 輸出特性曲線(xiàn)

飽和管壓降，用UCES表示
放大區---發(fā)射結正偏，集電結反偏。 截止區---發(fā)射結反偏，集電結反偏。
4. 溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線(xiàn)向左移動(dòng)。 溫度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均增加。
三. 低頻小信號等效模型（簡(jiǎn)化）
hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示； hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，
常用β表示；

四. 基本放大電路組成及其原則
1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。 2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。

五. 放大電路的圖解分析法
1. 直流通路與靜態(tài)分析
*概念---直流電流通的回路。
*畫(huà)法---電容視為開(kāi)路。
*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)。
*直流負載線(xiàn)---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線(xiàn)。
　　*電路參數對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響
　　
1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負載線(xiàn)上下移動(dòng)。
2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線(xiàn)上移動(dòng)。
3）改變VCC：直流負載線(xiàn)平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。
2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析
*概念---交流電流流通的回路
*畫(huà)法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。
*作用---分析信號被放大的過(guò)程。
*交流負載線(xiàn)--- 連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的
直線(xiàn)。
3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線(xiàn)性失真

（1）截止失真
*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設置過(guò)低
*失真現象---NPN管削頂，PNP管削底。
*消除方法---減小Rb，提高Q。
（2） 飽和失真
*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設置過(guò)高
*失真現象---NPN管削底，PNP管削頂。
*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC 。
4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍
（1） Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。
（2）范圍
*當（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQ－UCES）。
*當（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。