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低壓驅動(dòng)的RF MEMS開(kāi)關(guān)設計與模擬

作者： 時(shí)間：2013-11-18 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò ) 收藏
/25px 宋體, arial; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">　　合理選擇生長(cháng)介質(zhì)膜的工藝對開(kāi)關(guān)性能有很大影響，本文的RF MEMS開(kāi)關(guān)需要在基底表面生長(cháng)一層氮化硅膜，一般選擇LP-CVD工藝，而介質(zhì)膜則選擇PECVD工藝為宜，金屬膜的性能要求相對較低，用濺射方法即可?？紤]到基底要求漏電流與損耗盡可能小，選取高阻硅與二氧化硅做基底，后者保證了絕緣要求。金質(zhì)信號線(xiàn)與下極板通過(guò)正膠剝離形成，電子束蒸發(fā)得到鋁質(zhì)上極板。但從可行性考慮，部分方案的工藝實(shí)現對于國內的加工工藝尚有難度，只能犧牲微系統的性能來(lái)達到加工條件。

　　4 結語(yǔ)

　　本文主要從結構上進(jìn)行了創(chuàng )新，通過(guò)計算機輔助設計仿真分析得到了理論解，一定程度上滿(mǎn)足了設計初衷，但在工藝上還不成熟。更低的驅動(dòng)電壓和更高的開(kāi)關(guān)頻率仍是亟待解決的問(wèn)題，另外如何保證實(shí)際產(chǎn)品的可靠性、實(shí)用性也是未來(lái)的研究重點(diǎn)。
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