MEMS設備市場(chǎng)穩步成長(cháng) 多種MEMS制程嶄露頭角

MEMS結構層制造流程實(shí)例

然而，因為芯片小型化有其限制，故各個(gè)研發(fā)機構正著(zhù)手發(fā)展新的檢測原理（例如，Tronic的MNEMS概念）來(lái)降低MEMS的硅芯片尺寸。此技術(shù)是基于壓阻硅納米線(xiàn)（piezoresistive nanowires）而不是純電容式檢測（capacitive detection），且著(zhù)眼于裝置效能及芯片尺寸上的技術(shù)躍進(jìn)。此舉將奠定新一代動(dòng)作感測應用的組合式感測器基礎，且可讓多自由度感測器明顯的減少表面積及改善效能。

Yole Developpement在一系列的MEMS技術(shù)中列出數種可望在未來(lái)幾年嶄露頭角的技術(shù)，包括：硅穿孔、室溫接合、薄膜PZT、暫時(shí)性接合、Cavity SOI、CMOS MEMS。其他的MEMS 技術(shù)（如金接合），亦可能廣泛運用于縮減芯片尺寸且同時(shí)維持晶圓級封裝的高度密封性。