MEMS設備市場(chǎng)穩步成長(cháng) 多種MEMS制程嶄露頭角

市場(chǎng)研究機構Yole Developpement的最新報告指出，僅管微機電系統（MEMS）產(chǎn)業(yè)的標準化尚未落實(shí)，各大公司仍致力于讓自己的技術(shù)平臺最佳化；這方面的制程革新也將驅動(dòng) MEMS 設備及材料在2012到2018年間達到7%的年復合成長(cháng)率。

制程革新將點(diǎn)燃MEMS的設備與材料市場(chǎng)，Yole Developpement預期 MEMS相關(guān)制造設備市場(chǎng)將在接下來(lái)五年內，以5.2%的年復合成長(cháng)率從2012年的3億7，800萬(wàn)美元，在2018年成長(cháng)至5億1，000萬(wàn)美元以上；值得注意的是，Yole Developpement預期MEMS的設備市場(chǎng)的循環(huán)周期模式將與主流IC設備市場(chǎng)相當。

而在接下來(lái)五年，MEMS材料與相關(guān)的消耗品之需求將以10.5%的年復合成長(cháng)率，從2012年的1億3，600萬(wàn)美元成長(cháng)到2018年的2億4，800萬(wàn)美元以上。

全球MEMS設備與材料需求 （單位：百萬(wàn)美元）

目前，MEMS的制造仍相當多元且欠缺標準化；仍采用Yole Developpement所形容的一種產(chǎn)品，一套制程規則。其實(shí)MEMS的歷史與一般IC產(chǎn)業(yè)不同，且其技術(shù)藍圖也與半導體產(chǎn)業(yè)有所不同。因此，以完全不同制造方式制作相同MEMS裝置的業(yè)者處處可見(jiàn)，有時(shí)還甚至來(lái)自同一家公司（例如，CMOS MEMS及混合途徑方法都可用于慣性感測器或麥克風(fēng)）。

然而，當MEMS與前代產(chǎn)品相比成為可快速攻入市場(chǎng)的商品化產(chǎn)品時(shí)，任何能夠加速商業(yè)化流程的事宜也都會(huì )廣受歡迎。MEMS的封裝正朝向與前端制程不同的方向演進(jìn)，且Yole Developpement已經(jīng)注意到，封裝標準化對于支援產(chǎn)量大幅成長(cháng)的產(chǎn)品出貨之重要性將會(huì )提高，而與MEMS與感測器內容相關(guān)的整體成本將會(huì )降低（例如，制造商之間的麥克風(fēng)封裝方式大都相同）。此外，這份報告也顯示在前端制程方面，各大公司都正在發(fā)展針對不同MEMS裝置的獨家技術(shù)平臺。

MEMS的前端制造發(fā)展趨勢

（來(lái)源：Yole Developpement，2013年2月；圖表顯示新MEMS制程采用的時(shí)間表。箭頭左側表示技術(shù)的開(kāi)始采用時(shí)間--例如，DRIE是從96年時(shí)開(kāi)始運用于Bosch慣性MEMS--Yole Developpement預測在未來(lái)將可看到越來(lái)越多創(chuàng )新的MEMS制程：TSV、微影步進(jìn)機、薄晶圓的暫時(shí)性接合、室溫接合）

Yole Developpement的報告中，也揭示當MEMS從制程技術(shù)性的競爭移轉到功能及系統性的競爭時(shí)，就有必要采用標準途徑來(lái)降低封裝尺寸及成本。目前，MEMS代工廠(chǎng)仍處于制程技術(shù)性的競爭階段，且必須以更廣泛的制程技術(shù)來(lái)因應新的MEMS設計及結構。

這種技術(shù)途徑與通常只專(zhuān)注于單一類(lèi)型MEMS設計的無(wú)晶圓廠(chǎng)公司是不同的，該種公司的主要任務(wù)是找到最有經(jīng)驗與可靠的代工伙伴來(lái)說(shuō)服客戶(hù)自己的強項所在；同時(shí)，整合元件大廠(chǎng)（IDM）則通常是仰賴(lài)已制式化運作的MEMS制程來(lái)制造其產(chǎn)品（如ST的THELMA）。由于總是必須面對MEMS制造技術(shù)前景的最前線(xiàn)變革，故代工廠(chǎng)的挑戰也往往是最大的。

Yole Developpement的MEMS的前端制造發(fā)展趨勢報告也清楚點(diǎn)出了主要的前端制造技術(shù)改革；例如，芯片尺寸封裝（CSP）技術(shù)中的硅穿孔（TSV）也正逐漸滲透到MEMS產(chǎn)業(yè)。在此方面，該機構分析了意法半導體（STMicroelectronics）自家工廠(chǎng)采用TSV來(lái)接合MEMS芯片與主機板的獨家方法。

ST的方法免除焊墊（bond pad）的需求，將之以使用氣隙蝕刻（etched-out air gaps）絕緣的多晶硅通孔來(lái)取代；采用其基礎MEMS制程，但規模約十倍大。根據ST的報告，減少了20%~30%的芯片尺寸，可抵銷(xiāo)采用TSV制程微增的成本，使得總成本反而降低。