Diodes公司的碳化硅肖特基二極管提供領(lǐng)先業(yè)界的FoM及系統效率
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Diodes公司(Diodes)近日宣布擴大碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。DSCxxA065LP系列的額定電流為4A、6A、8A、10A及12A，采用超高熱效率的T-DFN8080-4封裝，專(zhuān)為高效率電源開(kāi)關(guān)產(chǎn)品應用而設計，例如直流對直流、交流轉直流、可再生能源、數據中心 (特別是處理大量人工智能運算的數據中心) ，以及工業(yè)電機驅動(dòng)等。
DSCxxA065LP 系列的品質(zhì)因數 (FoM=QC×VF) 為業(yè)界極佳，歸功于以下兩大特點(diǎn)：
● 無(wú)反向恢復電流和低電容電荷 (QC)，因此開(kāi)關(guān)損耗可忽略不計；
● 低正向電壓 (VF) 可大幅降低傳導損耗，提升整體功率效率。
以上兩個(gè)特性使得該系列產(chǎn)品非常適合用于高速開(kāi)關(guān)電路。
DSCxxA065LP 系列的反向漏電流 (IR) 也低于業(yè)界其他產(chǎn)品，最大僅為 20μA。這能大幅降低熱耗散和傳導損耗，提高系統穩定性以及可靠度，相較于硅基肖特基器件，這些優(yōu)勢更加明顯。降低熱耗散也能減少冷卻成本和運營(yíng)支出。
小巧輕薄的 T-DFN8080-4 (典型尺寸：8mm x 8mm x 1mm) 表面貼裝封裝底部有大面積散熱片，可降低熱阻。T?DFN8080-4 占用更少的電路板面積，但具有更大的散熱片，可完美替代 TO252 (DPAK)。這兩個(gè)特點(diǎn)有助于提高電路設計的功率密度，縮小整體尺寸，降低冷卻預算。
DSC04A065LP (4A)、DSC06A065LP (6A)、DSC08A065LP (8A)、DSC10A065LP (10A)及 DSC12A065LP (12A)的訂購單位為 2,500 件。
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