AI和數據中心需求激增，美光確認內存價(jià)格上漲

美光已確認其提高內存價(jià)格的計劃，理由是未來(lái)幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強勁。該公司的最新公告表明，隨著(zhù)供應限制以及人工智能、數據中心和消費電子產(chǎn)品的需求增長(cháng)推高了成本，價(jià)格將在 2025 年和 2026 年繼續上漲。

價(jià)格上漲之際，內存市場(chǎng)正從供應過(guò)剩和收入下降的時(shí)期反彈。在過(guò)去的一年里，由于主要供應商的減產(chǎn)以及對高性能計算和 AI 工作負載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價(jià)格穩步回升。隨著(zhù)美光確認有意提高價(jià)格，三星和 SK 海力士等其他內存制造商預計將效仿，進(jìn)一步鞏固價(jià)格上漲趨勢。

在給其渠道合作伙伴的一份聲明中，美光指出“各個(gè)業(yè)務(wù)部門(mén)未預測的需求”是價(jià)格上漲背后的關(guān)鍵因素。該公司強調，對 AI 相關(guān)應用的需求不斷增長(cháng)，以及保持有競爭力的產(chǎn)品組合的必要性，這些都是這些調整的驅動(dòng)力。美光還鼓勵合作伙伴提供長(cháng)期預測，以幫助確保未來(lái)幾年的供應穩定。

價(jià)格上漲背后的關(guān)鍵驅動(dòng)因素之一是對高帶寬內存 （HBM） 的需求不斷增長(cháng)，這對于 AI 加速器和下一代 GPU 至關(guān)重要。隨著(zhù) Nvidia、AMD 和 Intel 等公司推動(dòng)更先進(jìn)的 AI 解決方案，對更快、更高效的內存解決方案的需求激增。Micron 及其競爭對手正在提高 HBM 的產(chǎn)量以滿(mǎn)足這一需求，但供應仍然緊張，導致成本上升。

該公司最近宣布投資 70 億美元在新加坡新建 HBM 組裝廠(chǎng)，旨在滿(mǎn)足 AI 進(jìn)步帶來(lái)的增長(cháng)需求。該工廠(chǎng)計劃于 2026 年投產(chǎn)，將增強美光生產(chǎn) HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內存的能力，使公司能夠在不斷增長(cháng)的 HBM 市場(chǎng)中占據更大的份額。

此外，隨著(zhù) PC 和智能手機制造商增加 DRAM 和 NAND 閃存的訂單，預計更廣泛的消費電子市場(chǎng)將復蘇。隨著(zhù)設備制造商為 2025 年底和 2026 年推出新產(chǎn)品做準備，預計內存需求將保持強勁，這進(jìn)一步證明了美光調整價(jià)格的合理性。

隨著(zhù)美光為新的定價(jià)趨勢奠定基礎，現在所有的目光都集中在競爭對手和客戶(hù)將如何應對。如果需求保持強勁，該行業(yè)的價(jià)格可能會(huì )持續上漲，從而在未來(lái)幾年影響從游戲 PC 到企業(yè)數據中心的方方面面。