存儲市場(chǎng)迎三大挑戰！

剛剛過(guò)去的2024年，存儲市場(chǎng)上演了一出“冰與火之歌”：終端市場(chǎng)消費電子復蘇遲緩，AI應用則繼續強勢突圍。存儲產(chǎn)品因而開(kāi)啟兩極化發(fā)展：消費類(lèi)存儲需求平淡，高性能、企業(yè)級存儲產(chǎn)品市場(chǎng)反響熱鬧。

存儲原廠(chǎng)于2023年下半年依據市況調整產(chǎn)能，以圖改善供需關(guān)系，到2024年產(chǎn)能調整逐漸奏效，多家存儲廠(chǎng)商在2024年重新回到獲利模式。

不過(guò)存儲器市場(chǎng)合約價(jià)走勢則沒(méi)有那么“一帆風(fēng)順”，整體來(lái)看，2024年上半年存儲器市場(chǎng)合約價(jià)保持上漲，而到了下半年由于市場(chǎng)需求變化，存儲器合約價(jià)遇到下行壓力，到了第四季度，DRAM出現漲幅收斂，NAND Flash則反轉下跌。

展望2025年，業(yè)界認為，盡管AI應用仍舊十分強勁，帶動(dòng)高性能HBM、QLC SSD產(chǎn)品需求水漲船高，但消費電子市場(chǎng)仍未見(jiàn)強勁復蘇信號，存儲市場(chǎng)仍有可能面臨終端需求、價(jià)格、產(chǎn)能三大方面的挑戰。

消費電子復蘇動(dòng)能仍待觀(guān)望

存儲器三大應用終端包括手機、筆電與服務(wù)器，其中服務(wù)器得益于A(yíng)I推動(dòng)，于2025年將實(shí)現新的成長(cháng)，而手機、筆電過(guò)去一年持續疲軟，2025年市場(chǎng)復蘇動(dòng)能仍待觀(guān)望。

2024年智能手機市場(chǎng)品牌廠(chǎng)商采取謹慎備貨策略，避免加劇庫存壓力。全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)指出，2024年第三季度，在旗艦新機推動(dòng)下，智能手機生產(chǎn)總數季增7%，約達3.1億支，同比持平。從旺季產(chǎn)量的角度分析，第三季的表現尚未恢復疫情前水平，表明全球消費市場(chǎng)仍缺乏明確的復蘇動(dòng)能。

展望2025年全年，業(yè)界認為智能手機出貨量有望恢復年增長(cháng)，但未來(lái)市場(chǎng)前景仍不明朗。

筆電市場(chǎng)，集邦咨詢(xún)數據顯示，2024年全球筆記本電腦市場(chǎng)受高利率與地緣因素影響，需求回溫速度緩慢，預計全年出貨量為1.74億臺，年增3.9%。2025年全球筆電出貨量將增長(cháng)4.9%，達到1.83億臺，商用市場(chǎng)有望復蘇，預期出貨量將迎來(lái)超過(guò)7%的年增長(cháng)。至于消費市場(chǎng)，預期消費機種增長(cháng)將放緩。

DRAM與NAND Flash合約價(jià)雙雙下跌

DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現弱化。集邦咨詢(xún)數據顯示，2024年第四季度DRAM整體平均價(jià)格估計上漲8%至13%，較前一季漲幅明顯收斂。

2025年第一季為傳統淡季，DRAM市場(chǎng)受智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續萎縮等影響，合約價(jià)走跌，其中一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將達8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預計下跌0%至5%。

展望2025年，集邦咨詢(xún)認為DRAM合約價(jià)將呈現下跌，其中上半年將跌幅明顯。消費型電子產(chǎn)品需求持續弱化，也將為2025年DRAM價(jià)格走勢帶來(lái)沖擊，若廠(chǎng)商未能做好產(chǎn)能調控，整體產(chǎn)業(yè)庫存的去化速度將更加緩慢。

NAND Flash方面，2024年第四季度，NAND Flash產(chǎn)品整體合約價(jià)呈現季減3%至8%的情況。2025年第一季NAND Flash供貨商將面臨庫存持續上升，訂單需求下降等挑戰，平均合約價(jià)恐季減10%至15%。其中，Wafer跌幅將收斂，模組產(chǎn)品部分，由于Enterprise SSD訂單穩定，預期可緩沖合約價(jià)跌勢；Client SSD及UFS則因消費性終端產(chǎn)品需求疲軟，買(mǎi)家采購意愿保守，價(jià)格將持續下探。

展望未來(lái)，業(yè)界認為，考慮到2024年第四季度以及2025年第一季度市場(chǎng)供過(guò)于求的關(guān)系，加上消費電子市場(chǎng)復蘇態(tài)勢仍不明朗，閃存需求位元大幅減少，供應商相應地開(kāi)始縮減資本支持、減少供給位元。供應商減產(chǎn)之下，明年下半年進(jìn)入傳統旺季，市場(chǎng)需求將有所提升，NAND Flash合約價(jià)有可能在下半年迎來(lái)較為好轉的情形。

NAND Flash進(jìn)入減產(chǎn)期？

AI效應之下，HBM獲利表現與高漲的市場(chǎng)需求日益凸顯，吸引存儲廠(chǎng)商大力布局生產(chǎn)，存儲市場(chǎng)資本支出結構因而發(fā)生改變，為持續滿(mǎn)足HBM需求，存儲廠(chǎng)商將更多資本用于DRAM領(lǐng)域，這使得用于NAND Flash生產(chǎn)的投資減少。

與此同時(shí)，為應對市場(chǎng)需求變化，多家大廠(chǎng)表態(tài)將下調存儲產(chǎn)品產(chǎn)量，NAND Flash成為重點(diǎn)調整對象。

美光科技最新財報上顯示，2025財年第一季度（截至2024年11月）美光NAND業(yè)務(wù)環(huán)比下滑5%，主要原因是受到了手機、汽車(chē)及工業(yè)等市場(chǎng)需求持續走低的影響。對此，美光執行副總裁首席財務(wù)官Mark Murphy表示，在NAND業(yè)務(wù)方面，公司正在采取迅速而果斷的行動(dòng)來(lái)降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量。

另?yè)襟w報道，三星設備解決方案（DS）副總裁KimJae-joon近期表示，正下調通用DRAM與NAND存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量，以應對逐漸下滑的市場(chǎng)需求。

去年12月，市場(chǎng)開(kāi)始傳出鎧俠將對NAND Flash實(shí)施減產(chǎn)，以應對市場(chǎng)需求下滑與產(chǎn)能過(guò)剩。

結語(yǔ)

存儲市場(chǎng)正面臨終端需求不顯、合約價(jià)走跌、部分領(lǐng)域產(chǎn)能過(guò)剩將進(jìn)行減產(chǎn)等挑戰，但存儲產(chǎn)業(yè)未來(lái)仍舊值得期待：AI強勁的增長(cháng)態(tài)勢仍在孕育無(wú)限發(fā)展機會(huì )，存儲廠(chǎng)商也在不遺余力調節產(chǎn)能，推動(dòng)高獲利、高性能存儲產(chǎn)品生產(chǎn)，以持續改善供需，再次推動(dòng)存儲產(chǎn)業(yè)向上發(fā)展。