2025年存儲器市場(chǎng)的五大展望

存儲器市場(chǎng)，包括DRAM和NAND，預計在2025年將實(shí)現顯著(zhù)增長(cháng)，這主要得益于人工智能（AI）及相關(guān)技術(shù)的加速采用。在探索這些市場(chǎng)的復雜性時(shí)，出現了幾個(gè)關(guān)鍵趨勢，預計這些趨勢將塑造市場(chǎng)格局。以下是未來(lái)一年內存市場(chǎng)的五大展望，以及一個(gè)可能打亂一切的潛在不利因素。

• AI持續推動(dòng)對高帶寬內存（HBM）的關(guān)注

隨著(zhù)AI的興起，特別是在機器學(xué)習和深度學(xué)習等數據密集型應用中，對高帶寬內存（HBM）的需求空前高漲。預計HBM出貨量將同比增長(cháng)70%，因為數據中心和AI處理器越來(lái)越多地依賴(lài)這種類(lèi)型的存儲器來(lái)處理低延遲的大量數據。HBM需求的激增預計將重塑DRAM市場(chǎng)，制造商將優(yōu)先生產(chǎn)HBM，而不是傳統的DRAM產(chǎn)品。

• AI推動(dòng)對大容量SSD和QLC NAND技術(shù)的需求

隨著(zhù)AI繼續滲透各行各業(yè)，對大容量固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的需求也在上升。這對于需要大量數據存儲和快速檢索時(shí)間的AI工作負載尤其如此。因此，預計QLC NAND技術(shù)的采用率將增加，該技術(shù)以較低的成本提供更高的密度。盡管QLC SSD的寫(xiě)入速度比其他NAND類(lèi)型慢，但由于其成本效益和適合AI驅動(dòng)的數據存儲需求，它們將獲得更多青睞。預計數據中心NAND bit 需求增長(cháng)繼2024年約70%的爆炸性增長(cháng)之后，將在2025年超過(guò)30%。

• 資本支出（Capex）投資大幅轉向DRAM和HBM

受AI應用激增的推動(dòng)，內存市場(chǎng)的資本支出（capex）越來(lái)越多地流向DRAM，特別是HBM。隨著(zhù)制造商擴大產(chǎn)能以滿(mǎn)足日益增長(cháng)的需求，DRAM資本支出預計將同比增長(cháng)近20%。然而，這一轉變導致對NAND生產(chǎn)的投資極少，可能在市場(chǎng)上造成潛在的供應瓶頸。NAND領(lǐng)域的盈利能力持續改善，這可能會(huì )在 2026 年重新點(diǎn)燃該領(lǐng)域的投資熱情。

• 邊緣AI開(kāi)始嶄露頭角，但要到2026年才會(huì )產(chǎn)生顯著(zhù)影響

邊緣AI將AI處理功能更接近智能手機和PC等設備的數據源，預計將在2025年進(jìn)入市場(chǎng)。然而，該技術(shù)的全面影響要到2026年才會(huì )顯現。具有真正設備端AI功能的設備預計將在2025年底推出，但銷(xiāo)量可能不足以立即影響存儲器市場(chǎng)。真正的轉變應該發(fā)生在2026年，隨著(zhù)邊緣AI變得更加普及，將推動(dòng)對適合這些新功能的內存解決方案的需求。

• 數據中心AI重點(diǎn)延遲了傳統服務(wù)器更換周期

對AI驅動(dòng)的數據中心的關(guān)注導致傳統服務(wù)器基礎設施的更換周期延遲。許多企業(yè)正在將資源轉移到升級其AI能力上，導致傳統服務(wù)器需要更新。雖然這種延遲在短期內可能是可控的，但在某個(gè)時(shí)候，這些服務(wù)器將需要更新，這可能會(huì )推動(dòng)DRAM和NAND需求的突然激增。這種延遲的更換周期一旦發(fā)生時(shí)，可能會(huì )推動(dòng)存儲器需求顯著(zhù)增加。