極致優(yōu)化整機效率,軟開(kāi)關(guān)技術(shù)在POWERQUARK中的創(chuàng )新
快充技術(shù)的發(fā)展不斷突破著(zhù)功率極限。隨著(zhù)功率增大,芯片的溫升效應隨之顯著(zhù),熱損耗加劇,影響系統整體的能量轉化效率,過(guò)熱的芯片還可能帶來(lái)安全性和使用壽命等方面的隱患。作為目前主流快充系統的核心器件,反激變換器的效率與整機溫升和散熱成本密不可分,如何進(jìn)一步提升它的效率始終是電源設計工程師最關(guān)心的問(wèn)題之一。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202410/464117.htm傳統軟開(kāi)關(guān)拓撲:借助外圍電路實(shí)現
開(kāi)關(guān)損耗是反激變換器的主要損耗來(lái)源之一,由開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中的電流和電壓交疊引起。為提高系統效率,降低溫度,實(shí)現軟開(kāi)關(guān)成為減少系統開(kāi)關(guān)損耗的重要手段。在開(kāi)關(guān)電源中,有多種拓撲均可實(shí)現軟開(kāi)關(guān),如有源鉗位 (ACF)、非對稱(chēng)半橋 (AHB)、諧振 (LLC) 等電路。
如下圖所示,從電路結構上看,ACF 需要增加一顆高壓開(kāi)關(guān)管和高側驅動(dòng),AHB 除高壓開(kāi)關(guān)管和驅動(dòng)外還需增加諧振電容,均會(huì )大幅提升系統成本。應用在中小功率場(chǎng)景的 LLC 多采用半橋結構,初級有兩顆開(kāi)關(guān)管且需增加諧振電容,次級為全波整流方式,需要兩顆同步整流的 MOS,外圍功率器件數量多,控制部分及外圍 BOM 成本高,且調壓范圍受限,不適合寬輸入或寬輸出應用。
可實(shí)現軟開(kāi)關(guān)功能的常見(jiàn)電路拓撲
次級控制軟開(kāi)關(guān)技術(shù),讓系統性能更高效
在深入了解常見(jiàn)軟開(kāi)關(guān)電路痛點(diǎn)的基礎上,南芯科技突破性的 POWERQUARK?系列產(chǎn)品通過(guò)次級同步整流 (SR) 控制實(shí)現初級側軟開(kāi)關(guān)。對比其它傳統反激電路,該方案無(wú)需增加任何器件,即可實(shí)現初級開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)通。
POWERQUARK電路拓撲
POWERQUARK 系列產(chǎn)品通過(guò)同步整流管為反激變壓器提供負向勵磁電流。此負向勵磁電流在同步整流關(guān)閉后抽取初級功率管寄生電容能量,使得初級功率管上電壓接近于零,從而實(shí)現初級開(kāi)關(guān)管零電壓開(kāi)通。通過(guò)這一技術(shù),POWERQUARK 系統可極大降低開(kāi)關(guān)損耗,提升整個(gè)充電過(guò)程的效率及用戶(hù)體驗。我們的參考設計在 230V/65W 條件下可實(shí)現 95% 以上的效率。
POWERQUARK參考設計
系統EMI性能提升,讓研發(fā)過(guò)程更高效
更低的系統電磁干擾是 POWERQUARK 次級控制軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的另一大優(yōu)勢。反激變換器工作過(guò)程中,電壓變化率 (dv/dt) 和電流變化率 (di/dt) 高,產(chǎn)生嚴重的電磁干擾,工程師需花費較多時(shí)間和較長(cháng)的驗證周期來(lái)優(yōu)化系統 EMI 性能,開(kāi)發(fā)成本也隨之增加。POWERQUARK 支持初級高壓功率管軟開(kāi)關(guān),極大減小了開(kāi)關(guān)節點(diǎn)的 dv/dt,有效降低電磁干擾,提高研發(fā)效率。同時(shí)軟開(kāi)關(guān)也大幅度降低了次級同步整流功率管的電壓尖峰,進(jìn)一步提高系統的可靠性。
POWERQUARK次級功率管尖峰收益
此外,當系統采用次級控制方式時(shí),同步整流控制部分在諧振段也不會(huì )出現誤發(fā)波的風(fēng)險。在這種系統設計下,VCC二極管可以選擇慢管,進(jìn)一步利好系統整體 EMI。
總結
南芯科技從未停止對效率的極致追求。通過(guò)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)上的創(chuàng )新,POWERQUARK 進(jìn)一步提升了快充系統的效率,優(yōu)化了 EMI 性能,幫助客戶(hù)高效開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品,為終端用戶(hù)帶去尺寸更小、系統溫升更平穩等切實(shí)的體驗優(yōu)化,引領(lǐng)快充新世代。
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