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量子傳感器:研究人員和濱松眼光電探測器技術(shù)

作者: 時(shí)間:2024-07-31 來(lái)源:EEPW編譯 收藏

傳感器幾乎對任何行業(yè)和應用都至關(guān)重要;然而,研究人員和公司如何利用光電探測器等技術(shù)將傳感技術(shù)帶入量子領(lǐng)域?

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202407/461550.htm

隨著(zhù)世界向更智能的設備和系統邁進(jìn),對高端傳感器技術(shù)的需求呈指數級增長(cháng)。此外,傳感器不僅需要提高性能以應對這些新挑戰,而且還必須在占地面積和功耗方面更小。

最近人們非常感興趣的一個(gè)特定傳感器是光電探測器。

光電探測器中使用的光電二極管示例。

 

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光電探測器中使用的光電二極管示例。圖片由濱松提供

這些設備在各種應用中的靈活性使它們如此有吸引力,因為這些傳感器可用于環(huán)境傳感、物體檢測以及數據傳輸和處理。

所有這些應用都需要在高速和低功耗下運行,這促使許多人走向量子領(lǐng)域來(lái)構建他們的光電探測器,結果正在帶來(lái)回報。

盡管量子領(lǐng)域的傳感仍處于起步階段,但在本文中,我們將總結一些最近的研究和正在創(chuàng )建的設備,以邁出量子傳感技術(shù)的下一步。

膠體量子點(diǎn)(CQD)技術(shù)的量子傳感

最近,其中一個(gè)量子光電探測器是通過(guò)量子點(diǎn)建造的。更具體地說(shuō),光子科學(xué)研究所(ICFO)的研究人員在《自然光子學(xué)》上發(fā)表了一份報告,詳細介紹了他們使用膠體量子點(diǎn)(CQD)技術(shù)開(kāi)發(fā)的溶液處理紅外激光器。

ICFU的激光器采用CQD技術(shù)。

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ICFU的激光器采用CQD技術(shù)。圖片由ICFO提供

CQD由CQD光電探測器綜述論文定義,是一種在溶液相中合成和加工的納米結構材料。

這些激光器在室溫下工作,更重要的是,它們與互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術(shù)直接兼容。這種兼容性是優(yōu)化系統設計的一個(gè)關(guān)鍵方面。

總體而言,這些激光器在電信范圍內具有可調的輸出波長(cháng),從而實(shí)現了芯片間或芯片內的光通信。

在此之前,紅外激光器通常使用摻鉺光纖或III-V外延半導體制造,但這些很難制造并與電子設備集成。

正如ICFO團隊之前討論的那樣,這種CQD技術(shù)已被用于制造光電探測器和LED;然而,在Gerasimos Konstantatos教授的領(lǐng)導下,他們是第一個(gè)通過(guò)CQD產(chǎn)生激光的人。

用于制造這種激光器的腔經(jīng)過(guò)嚴格優(yōu)化,以找到最佳的光學(xué)增益和共振。

此外,研究人員設計了傳感器的表面來(lái)抑制“陷阱狀態(tài)”,這會(huì )導致系統中的過(guò)量噪聲有利于受激發(fā)射。

總而言之,該團隊最終希望這一發(fā)現能夠導致完全集成的硅光子學(xué)。

濱松光子學(xué)創(chuàng )建量子級聯(lián)光電探測器

濱松光子學(xué)公司也參與了這項工作,因為他們生產(chǎn)了“有史以來(lái)第一個(gè)”量子級聯(lián)(QCD)光電探測器,稱(chēng)為P16309-01。

QCD光電探測器的基本結構和氣橋布線(xiàn)

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QCD光電探測器的基本結構和氣橋布線(xiàn)。圖片由濱松提供

該探測器在室溫下以極高的速度運行,最高可達20 GHz。此外,該器件在4.6μm波長(cháng)下具有1mA/W的高峰值靈敏度,具有出色的信噪比(SNR)。它的設計最大限度地減少了內部的暗電流。

憑借全球最高的響應時(shí)間,濱松認為這是整個(gè)紅外光譜中紅外QCD傳感器系列的開(kāi)始。

量子阱光電探測器

最后,根據《自然》雜志發(fā)表的一篇文章,一種新材料正被用于金屬半導體金屬(MSM)量子阱光電探測器的結。

所提出的光電探測器示意圖

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所提出的光電探測器的示意圖。圖片[修改]由羅等人提供

自MSM設備問(wèn)世以來(lái),由于其固有的高響應速度,MSM設備一直是人們感興趣的領(lǐng)域。此外,與CQD技術(shù)類(lèi)似,它們很容易集成到CMOS技術(shù)中。

然而,由于這些器件的結的制造,它們一直存在與暗電流有關(guān)的問(wèn)題,因為金屬沉積過(guò)程會(huì )導致化學(xué)無(wú)序,從而導致量子隧穿電流效應。

這種效應是暗電流的來(lái)源,使得MSM技術(shù)難以使用。

除此之外,在這個(gè)過(guò)程中通常使用不透明的金屬,它們會(huì )反射一些入射光被吸收,從而降低傳感器的響應能力。

本文研究了一種名為MXene的新型二維材料,其通式為:

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解釋?zhuān)?/p>

n=1,2,3

M是一種早期過(guò)渡金屬

X是碳和/或氮原子

Tx是表面終止官能團,通常是氧、氫氧化物和/或氟化物

這種新型材料在導電性方面具有金屬的優(yōu)點(diǎn),但也具有柔性、親水性、良好的傳輸性,最重要的是化學(xué)穩定性,因此可以在低溫下沉積。

此外,它具有可調的功函數,使其成為具有多種不同類(lèi)型半導體材料的MSM器件的可行選擇。在任何一種情況下,它都可以通過(guò)沒(méi)有化學(xué)紊亂來(lái)最大限度地減少暗電流,使其他人能夠充分利用MSM技術(shù)。

可以看出,當前的需求要求非常嚴格,我們必須進(jìn)行納米級優(yōu)化來(lái)滿(mǎn)足這些要求。

因此,量子領(lǐng)域是解決當今市場(chǎng)問(wèn)題的唯一途徑,因此,將繼續使我們的世界更加互聯(lián)、高效和智能的傳感器將成為。




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