目標 2029 年量產(chǎn) MRAM 內存，力積電將與日企 Power Spin 合作

IT之家 2 月 8 日消息，據日經(jīng)新聞近日報道，晶圓代工企業(yè)力積電計劃今年上半年與日企 Power Spin 達成合作，目標 2029 年實(shí)現 MRAM 內存量產(chǎn)。雙方的合作中，Power Spin 將提供 MRAM 相關(guān) IP 授權，力積電進(jìn)行進(jìn)一步的量產(chǎn)化研發(fā)和試產(chǎn)，最終達到量產(chǎn)目標。

▲ 力積電商標

據了解，Power Spin 由日本東北大學(xué)于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相關(guān)技術(shù)。

▲ Power Spin 商標

MRAM 內存是一種非易失性?xún)却?，其在擁有高速讀寫(xiě)性能的同時(shí)可在斷電下保存數據；而且 MRAM 的耗電量相較現有內存也更少，理論上可低至 1/100。不過(guò) MRAM 也面臨多重自身問(wèn)題：成本過(guò)高、耐用性與可靠性仍需進(jìn)一步驗證。

在生成式 AI 浪潮來(lái)襲的今天，數據中心需求大量?jì)却?，能耗?yōu)異的 MRAM 因此成為密切關(guān)注對象，相關(guān)需求增加。日經(jīng)認為，這是力積電找上 Power Spin 合作的重要背景原因。

力積電計劃使用在日合資公司的二期生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn) MRAM 內存，以推動(dòng)這一新型內存的普及。該合資公司由力積電與日本 SBI 控股于去年成立，計劃總投資 8000 億日元（IT之家注：約合 388 億人民幣）在日本建設兩期生產(chǎn)線(xiàn)，首期將于 2027 年建成投產(chǎn)，二期則預估 2029 年投入使用。

MRAM 現已成為半導體代工業(yè)界的前沿熱點(diǎn)：三星之前宣布計劃 2026 年量產(chǎn) 8nm 車(chē)用 eMRAM；臺積電近期也表示下一代 SOT-MRAM 內存研發(fā)成功。Ever Spin 首席技術(shù)官遠藤哲郎稱(chēng)，MRAM 內存市場(chǎng)規模已于 2022 年達到 300 億日元（約合 14.6 億人民幣）。