Microchip推出全新MPLAB? SiC電源模擬器，助力客戶(hù)在設計階段測試SiC電源解決方案

電氣化正在推動(dòng)SiC半導體的增長(cháng)，由于其具備快速開(kāi)關(guān)能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能，電動(dòng)汽車(chē)、可持續發(fā)展和工業(yè)等大型細分市場(chǎng)都轉向SiC電源解決方案。為了幫助電源設計工程師輕松、快速和放心地過(guò)渡到SiC電源解決方案，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出MPLAB^? SiC電源模擬器，可在將設計實(shí)現為硬件之前，快速評估各種拓撲結構中的Microchip SiC電源器件和模塊。

Microchip的MPLAB SiC電源模擬器是與Plexim合作設計的基于PLECS的軟件環(huán)境，提供在線(xiàn)免費工具，無(wú)需購買(mǎi)模擬許可證。MPLAB SiC電源模擬器加速了各種基于SiC的電源拓撲結構的設計過(guò)程?？蛻?hù)可以放心地在設計階段對SiC解決方案進(jìn)行基準測試和評估。

Microchip碳化硅業(yè)務(wù)部副總裁Clayton Pillion表示：“追求SiC技術(shù)的客戶(hù)現在可以使用基于網(wǎng)絡(luò )的MPLAB SiC電源模擬器，對設計進(jìn)行基準測試并選擇最適合的Microchip SiC產(chǎn)品。憑借在碳化硅領(lǐng)域二十多年的深耕，Microchip可為客戶(hù)提供多種多樣的SiC電源解決方案，還可以很方便地使用其他Microchip配套器件進(jìn)行設計。”

新工具通過(guò)提供全面的SiC評估，不僅可以提供有價(jià)值的基準數據，還可以減少元件選擇時(shí)間，從而加快產(chǎn)品上市速度。如果一位電源電子設計師要在25 mΩ和40 mΩ SiC MOSFET之間選擇三相有源前端轉換器，就可以立即得到模擬結果，如器件的平均功率耗散和峰值結溫。

MPLAB SiC電源模擬器是OEM廠(chǎng)商為電動(dòng)出行、可持續發(fā)展和工業(yè)應用設計電源系統的重要設計工具，相關(guān)應用包括電動(dòng)汽車(chē)、板上/板下充電、電源和電池儲能系統。

Microchip的SiC產(chǎn)品組合包括具有最低寄生電感（<2.9 nH）的行業(yè)領(lǐng)先的電源模塊，以及具有最高額定電流的行業(yè)領(lǐng)先的3.3 kV分立式MOSFET和二極管。組合內其他產(chǎn)品還包括700V、1200V和1700V的裸片、分立器件和模塊，以及AgileSwitch?可配置數字柵極驅動(dòng)器。

這些SiC器件具有耐用性和優(yōu)異性能，可提供預計超過(guò)100年的柵極氧化物壽命和無(wú)退化體二極管。在大功率應用中，SiC技術(shù)比硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）具有更高的系統效率、功率密度和溫度穩定性。

支持

客戶(hù)在進(jìn)行設計的每個(gè)環(huán)節，都將得到Microchip資深工程師團隊的專(zhuān)門(mén)支持。

供貨與定價(jià)

Microchip的MPLAB SiC電源模擬器免費提供。