納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅動(dòng)器NSi68515

納芯微單通道智能隔離式柵極驅動(dòng)器NSi68515，專(zhuān)為驅動(dòng)高達2121V直流母線(xiàn)電壓下的SiC MOSFET，IGBT而設計，可廣泛應用于工業(yè)變頻器、伺服、機器人，空調壓縮機，新能源汽車(chē)主驅?zhuān)夥孀兤?、儲能?/span>UPS、高功率電源等領(lǐng)域。 

NSi68515輸入方式兼容光耦輸入，且輸入端與輸出端采用雙電容增強隔離技術(shù)，基于納芯微Adaptive OOK編碼技術(shù), 支持150kV/μs的最小共模瞬變抗擾度（CMTI），提高系統魯棒性。 

NSi68515產(chǎn)品特性：

- 具備超強驅動(dòng)能力，可以提供最大5A的拉灌電流

- 提供軌到軌輸出和非軌到軌輸出兩個(gè)版本

- 輸入側電源電壓VCC：3V至5.5V

- 輸入方式兼容光耦電流型輸入，可耐-6.5V反向電壓

- 驅動(dòng)器側電源正壓軌VCC2：高達35V

- 驅動(dòng)器側電源負壓軌VEE2：高達-17.5V

- 超高的最小共?？箶_能力(CMTI)：150 kV/us

- 提供完善的保護功能

◇ 快速過(guò)流和短路保護，DESAT閾值電壓6.5V

◇ 集成故障時(shí)的軟關(guān)斷功能，軟關(guān)斷電流140mA

◇ 集成米勒鉗位功能，鉗位電流高達：4.5A

◇ 高壓側和低壓側均有獨立的供電欠壓保護功能UVLO

◇ 故障報警 (FLT / ULVO引腳指示)

◇ 可支持故障自動(dòng)復位版本選擇

- 典型傳播延時(shí)：100ns

- 工作環(huán)境溫度：-40℃ ~ 125℃

- 符合 RoHS 標準的封裝類(lèi)型：SOW16, 爬電距離>8mm 

NSi68515經(jīng)典電路圖 

NSi68515 CMTI高，領(lǐng)先行業(yè)水平，提高了系統的抗干擾能力

行業(yè)內常見(jiàn)的帶保護的光耦隔離驅動(dòng)IC，CMTI 一般在35KV/us。隨著(zhù)系統的開(kāi)關(guān)頻率和母線(xiàn)電壓的提高，以及SiC MOSFET的普及使用， 系統的dv/dt 急劇上升，這對隔離驅動(dòng)的抗干擾能力(CMTI)提出了更高的要求。如果隔離驅動(dòng)IC 的CMTI只有35KV/us，顯然已經(jīng)很難滿(mǎn)足系統的要求。而NSi68515 CMTI 大于150KV/us，能夠有效提高系統的抗干擾能力。納芯微基于NSi68515做了靜態(tài)CMTI和動(dòng)態(tài)CMTI 摸底實(shí)驗，實(shí)驗結果是218KV/us均PASS；而同樣的測試條件下，普通的光耦隔離驅動(dòng)在30KV/us左右便已經(jīng)Fail。

NSi68515 短路保護時(shí)間快，提高了管子的魯棒性

當IGBT 和 SiC MOSFET正常開(kāi)通時(shí)，是在飽和區進(jìn)行工作的；但當IGBT 和 SiC MOSFET在開(kāi)通過(guò)程中，發(fā)生過(guò)流或者上下管短路的時(shí)候，電流便會(huì )急劇增大，就會(huì )退出飽和區，VCE也隨之增大，如果不及時(shí)關(guān)斷IGBT 和 SiC MOSFET，則會(huì )導致管子損壞或者使用壽命變短。NSi68515 通過(guò)DESAT 引腳檢測管子的VCE 電壓來(lái)判斷管子短路和過(guò)流，當檢測到管子異常后，能夠快速關(guān)斷管子，防止管子損壞。此外，NSi68515 DESAT引腳內部還做了濾波處理，防止系統誤觸發(fā)。

NSi68515產(chǎn)品選型表